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BaTiO_3表面改性对其环氧树脂复合材料性能的影响 被引量:7
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作者 罗遂斌 于淑会 +2 位作者 孙蓉 梁先文 杜如虚 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期46-49,共4页
采用硅烷偶联剂KH550对BaTiO3粉末进行了表面改性,以提高BaTiO3-环氧树脂复合材料的性能。研究了钛酸钡颗粒的表面状态、复合材料的微观形貌和介电性能以及复合材料与铜箔间的结合力,探讨了表面改性影响复合材料电学和力学性能的作用机... 采用硅烷偶联剂KH550对BaTiO3粉末进行了表面改性,以提高BaTiO3-环氧树脂复合材料的性能。研究了钛酸钡颗粒的表面状态、复合材料的微观形貌和介电性能以及复合材料与铜箔间的结合力,探讨了表面改性影响复合材料电学和力学性能的作用机理。结果表明:BaTiO3的表面改性有利于BaTiO3在环氧树脂基体中的分散,提高了复合材料的介电常数。与未改性BaTiO3-环氧树脂复合材料相比,使用改性BaTiO3制备复合材料时,复合材料与铜箔之间的结合力提高了30%以上。 展开更多
关键词 复合材料 埋入式电容 表面改性 钛酸钡 环氧树脂 硅烷偶联剂
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钛酸钡-环氧树脂复合材料厚膜的制备及性能研究 被引量:2
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作者 罗遂斌 于淑会 +1 位作者 孙蓉 庄志强 《陶瓷学报》 CAS 北大核心 2009年第3期304-307,共4页
通过棒式涂布的方法得到了厚度均匀的钛酸钡-环氧树脂复合厚膜。研究了环氧树脂的热固化性质及钛酸钡含量对复合材料的微观结构、剥离强度及介电性能的影响。结果表明:随着BaTiO3(BT)含量的增加,复合材料中的气孔不断增加,导致剥离强度... 通过棒式涂布的方法得到了厚度均匀的钛酸钡-环氧树脂复合厚膜。研究了环氧树脂的热固化性质及钛酸钡含量对复合材料的微观结构、剥离强度及介电性能的影响。结果表明:随着BaTiO3(BT)含量的增加,复合材料中的气孔不断增加,导致剥离强度在BT含量为40vol%时达到最高值后急剧下降。复合材料的介电常数及介电损耗随着BT含量的增加而不断增加。在BT含量一定时,复合厚膜的介电常数和介电损耗分别随着频率的增加而减小和增加。 展开更多
关键词 钛酸钡 环氧树脂 棒式涂布 埋入式电容器
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聚丙烯酸对BaTiO_3颗粒的分散及其机理研究
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作者 罗遂斌 庄志强 +1 位作者 刘勇 林宙峰 《陶瓷学报》 CAS 2008年第4期334-337,共4页
通过沉降实验及FT-IR分析,研究了分散剂PAA对BaTiO3颗粒的分散机理。结果表明:PAA电离的RCOO-吸附在BaTiO3颗粒表面形成的Ba-OH+2正电中心,产生静电稳定作用和空间位阻作用,从而使BaTiO3颗粒分散。当PAA加入量为0.3wt%,pH=10时,PAA完全... 通过沉降实验及FT-IR分析,研究了分散剂PAA对BaTiO3颗粒的分散机理。结果表明:PAA电离的RCOO-吸附在BaTiO3颗粒表面形成的Ba-OH+2正电中心,产生静电稳定作用和空间位阻作用,从而使BaTiO3颗粒分散。当PAA加入量为0.3wt%,pH=10时,PAA完全电离,吸附达饱和,可以得到高分散、高稳定的浆料。 展开更多
关键词 聚丙烯酸 BATIO3 分散
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正硅酸乙酯改性的银填充聚偏二氟乙烯介电复合材料的制备及性能研究 被引量:2
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作者 梁先文 于淑会 +2 位作者 孙蓉 罗遂斌 庄志强 《绝缘材料》 CAS 北大核心 2010年第4期40-44,共5页
利用湿化学还原法制备了银(Ag)颗粒,并用正硅酸乙酯对其进行处理,通过混合和热压工艺制备了正硅酸乙酯改性的银填充聚偏二氟乙烯介电复合材料。研究了正硅酸乙酯水解得到二氧化硅(SiO2)绝缘层对该复合材料介电性能的影响。结果表明:正... 利用湿化学还原法制备了银(Ag)颗粒,并用正硅酸乙酯对其进行处理,通过混合和热压工艺制备了正硅酸乙酯改性的银填充聚偏二氟乙烯介电复合材料。研究了正硅酸乙酯水解得到二氧化硅(SiO2)绝缘层对该复合材料介电性能的影响。结果表明:正硅酸乙酯水解在Ag颗粒之间生成的SiO2绝缘层避免了Ag颗粒之间的直接接触,形成了内部电子阻隔层,使复合材料的渗流阈值增大,介质损耗保持较低的值(小于0.08,1kHz,体积分数28%),电导率为2.85×10-5S/m(1 kHz,体积分数28%)。由于SiO2绝缘层具有一定的厚度(计算值为10 nm),载流子在金属Ag颗粒间及颗粒与基体间跃迁相对较难,导致了该复合材料具有较低的介电常数值(ε=38.5,1 kHz,体积分数28%)。 展开更多
关键词 正硅酸乙酯 聚偏二氟乙烯 复合材料 嵌入式电容 纳米银
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SrTiO_3基高压陶瓷电容器材料的改性研究 被引量:1
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作者 林宙峰 庄志强 +1 位作者 许英伟 罗遂斌 《陶瓷学报》 CAS 2008年第4期353-356,共4页
研究了Bi2O·33TiO2和MgTiO3的加入量对SrTiO3基高压陶瓷电容器材料性能的影响,并用扫描电子显微镜(SEM)对样品进行形貌观察。实验结果表明:加入适量的Bi2O·33TiO2能提高材料的介电常数和降低介质损耗,适量MgTiO3的加入改善了... 研究了Bi2O·33TiO2和MgTiO3的加入量对SrTiO3基高压陶瓷电容器材料性能的影响,并用扫描电子显微镜(SEM)对样品进行形貌观察。实验结果表明:加入适量的Bi2O·33TiO2能提高材料的介电常数和降低介质损耗,适量MgTiO3的加入改善了材料的温度特性,且其晶粒尺寸均匀。 展开更多
关键词 SRTIO3 MGTIO3 Bi2O3·3TiO2 陶瓷 高压电容器
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面向FC-BGA的增层胶膜封装基板镀铜工艺
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作者 李鹏 于均益 +4 位作者 罗遂斌 赖志强 肖彬 于淑会 孙蓉 《中国科学:化学》 CAS CSCD 北大核心 2023年第10期1866-1879,共14页
近年来,基于增层胶膜材料,采用半加成法工艺生产制造窄线宽/线距电子线路的倒装芯片球栅阵列(FCBGA)封装基板的相关技术发展迅速.增层胶膜材料微观结构及其物理、化学性质、镀铜工艺参数和化学药水等多个因素共同决定线路精细度和结合力... 近年来,基于增层胶膜材料,采用半加成法工艺生产制造窄线宽/线距电子线路的倒装芯片球栅阵列(FCBGA)封装基板的相关技术发展迅速.增层胶膜材料微观结构及其物理、化学性质、镀铜工艺参数和化学药水等多个因素共同决定线路精细度和结合力,并最终影响封装基板的品质和可靠性,其内在关联性值得关注和深入研究.本文基于FC-BGA增层胶膜封装基板的导电互连制造技术,重点探讨半加成法工艺所用化学药水的成分及作用,并结合镀铜的性能评价,提出未来进一步提高封装基板线路品质的发展方向. 展开更多
关键词 封装基板 增层胶膜 倒装芯片球栅阵列 镀铜 半加成法 精细线路
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