负性光敏聚酰亚胺的种类及研究进展

由于优异的综合性能,负性光敏聚酰亚胺已成为微电子领域不可或缺的材料,根据负性光敏聚酰亚胺结构和合成工艺的不同,总结了其主要种类和研究进展。随着微电子技术的高度集成化和扇出型晶圆级封装技术的发展,对负性光敏聚酰亚胺材料提出了更高的要求,如更低的介电常数、更低的热膨胀系数和更低的固化温度等。本文进一步介绍了负性光敏聚酰亚胺材料的不同改性方法及其微观作用机制,并对比分析了各类改性方法的优缺点,为高性能负性光敏聚酰亚胺材料的设计开发提供理论基础。

基于块间关系的低复杂度去块效应方法

为了尽可能减少块效应后处理的计算复杂度,提出了一种基于块间关系的去块效应算法,该方法以块间关系作为滤波处理的分类依据,通过对相邻模块多个像素点的值进行计算,提炼出5种块间关系,并根据它们对图像质量影响程度的不同而采取强滤波、弱滤波或者不滤波等方法进行处理,这种分类方式和传统分类方法相比较,去除了大量冗余操作,同时通过考虑计算机体系结构的相关特性,简化了处理过程.实验表明,该算法在图像的主观质量和客观性能都有所改善的基础上运算速度得到了很大的提高,在运算资源有限的领域有很好的应用前景.

正性光敏型聚酰亚胺的研究和应用进展

随着光刻工艺的发展,光敏型聚酰亚胺(PSPI)已成为当下电子化学品领域的研究热点,并且广泛应用于芯片制造领域。文中综述了具备正性光刻功能的正性光敏聚酰亚胺(p-PSPI)近年来的研究与应用进展,介绍了目前各种p-PSPI的结构特点、合成路线、性能指标以及提高其性能的工艺方法。系统分析了功能基团修饰、光敏剂、添加剂等对p-PSPI光刻胶的灵敏度、对比度、分辨率、力学性能、热稳定性等的影响。以低温固化型p-PSPI为实例,介绍了可以在低温下发生亚胺化反应的p-PSPI制备工艺。最后,总结了目前国内p-PSPI产品与世界先进水平间存在的差距。