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一种快速电压变换器的研制
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作者 羊庆龄 孟华群 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期160-162,共3页
 介绍了一种快速电压变换器的电路、版图及工艺设计。该电路采用多晶硅发射极自对准工艺制作,获得了小于50ns的输入输出延迟时间。该电路可广泛应用于GaAsFET功率放大器的控制电路中。
关键词 电压变换器 工艺设计 多晶硅发射极 自对准工艺 输入输出延迟时间 模拟集成电路 GaAs-FET功率放大器
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