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一种快速电压变换器的研制
1
作者
羊庆龄
孟华群
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第2期160-162,共3页
介绍了一种快速电压变换器的电路、版图及工艺设计。该电路采用多晶硅发射极自对准工艺制作,获得了小于50ns的输入输出延迟时间。该电路可广泛应用于GaAsFET功率放大器的控制电路中。
关键词
电压变换器
工艺设计
多晶硅发射极
自对准工艺
输入输出延迟时间
模拟集成电路
GaAs-FET功率放大器
下载PDF
职称材料
题名
一种快速电压变换器的研制
1
作者
羊庆龄
孟华群
机构
中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第2期160-162,共3页
文摘
介绍了一种快速电压变换器的电路、版图及工艺设计。该电路采用多晶硅发射极自对准工艺制作,获得了小于50ns的输入输出延迟时间。该电路可广泛应用于GaAsFET功率放大器的控制电路中。
关键词
电压变换器
工艺设计
多晶硅发射极
自对准工艺
输入输出延迟时间
模拟集成电路
GaAs-FET功率放大器
Keywords
Analog IC
Voltage converter
Polysilicon emitter
Self-aligned process
分类号
TM42 [电气工程—电器]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
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操作
1
一种快速电压变换器的研制
羊庆龄
孟华群
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2003
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