使用BGO-HPGe阵列的在束γ实验技术

对使用多个带BGO康普顿抑制器的HPGe探测器进行的在束γ多参数测量的实验要求及相应的电子学线路做了详细讨论。所使用的电子学线路具有逻辑合理、工作可靠、灵活方便的特点,可适用于γ单谱、γ-γ符合、γ多重性以及康普顿抑制性能等多种测量。

联合在束γ装置的实验测量

构成联合在束γ实验装置的四套带有对称型和六套带有非对称型BGO康普顿抑制的高纯锗探测器装置,已分别在北京中国原子能科学研究院和兰州中国科学院近代物理研究所完成研制测试.用该联合装置最近进行了首批在束实验.本文着重对实验装置、实验测量的一般情况以及康普顿抑制性能做了讨论.对^(121)Cs测到的25/2^+是目前Cs各同位素中带头为9/2^+(1g9/2质子空穴态),△J=1级联中自旋最高的能级.