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一种低功耗2.4GHz低噪声放大器设计
被引量:
1
1
作者
翁寅飞
孙玲玲
+1 位作者
高海军
林隆乾
《电子器件》
CAS
2011年第5期517-520,共4页
设计了一个低功耗2.4 GHz低噪声放大器,并详细阐述了电路的噪声匹配理论。该低噪声放大器采用经典的共源共栅结构,为了同时满足共轭匹配与噪声匹配,在输入管的栅源间增加了一个电容Cex。电路设计采用SMIC 65 nm CMOS工艺,并用Cadence进...
设计了一个低功耗2.4 GHz低噪声放大器,并详细阐述了电路的噪声匹配理论。该低噪声放大器采用经典的共源共栅结构,为了同时满足共轭匹配与噪声匹配,在输入管的栅源间增加了一个电容Cex。电路设计采用SMIC 65 nm CMOS工艺,并用Cadence进行仿真。仿真结果表明:电路在1.2 V电源电压下的功耗小于7 mW,噪声系数小于0.7 dB,增益大于21dB。电路在所需频率范围内满足绝对稳定条件,芯片版图面积为0.57 mm×0.65 mm。
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关键词
CMOS
低噪声放大器
噪声匹配
低功耗
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职称材料
题名
一种低功耗2.4GHz低噪声放大器设计
被引量:
1
1
作者
翁寅飞
孙玲玲
高海军
林隆乾
机构
杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室
出处
《电子器件》
CAS
2011年第5期517-520,共4页
基金
基于传输线频率选择器的CMOS硅基毫米波压控振荡器研究(KYZ043710033)
文摘
设计了一个低功耗2.4 GHz低噪声放大器,并详细阐述了电路的噪声匹配理论。该低噪声放大器采用经典的共源共栅结构,为了同时满足共轭匹配与噪声匹配,在输入管的栅源间增加了一个电容Cex。电路设计采用SMIC 65 nm CMOS工艺,并用Cadence进行仿真。仿真结果表明:电路在1.2 V电源电压下的功耗小于7 mW,噪声系数小于0.7 dB,增益大于21dB。电路在所需频率范围内满足绝对稳定条件,芯片版图面积为0.57 mm×0.65 mm。
关键词
CMOS
低噪声放大器
噪声匹配
低功耗
Keywords
CMOS
LNA
noise matching
low power
分类号
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种低功耗2.4GHz低噪声放大器设计
翁寅飞
孙玲玲
高海军
林隆乾
《电子器件》
CAS
2011
1
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