钨基触头材料液相烧结工艺

对钨(碳化钨)基触头材料的液相烧结工艺进行了研究,探讨了在液相烧结过程中烧结体内所产生液相含量的上限。提出在适当的烧结温度下Ag-W、Ag-Wc,Cu-W触头材料中易熔相(Ag Cu)的含量可达78%(体积比)。由于液相烧结工艺制造的触头材料具有导电能力强,耐电弧烧损性能好等优点,可以较好地弥补该类触头容易造成开关温升过高的缺陷。

我国低压电器用触头材料的现状和发展趋势

概述了80年代以来,国产触头材料的使用性能及主要技术经济指标,介绍了触头材料制造工艺现状,展望了触头材料制造技术今后的发展趋势.

碳化钨基真空触头材料除气工艺研究

本文对铜含量20Wt％的Cu—WC基真空接触器用触头材料残存气体的来源,存在状态进行了分析和推测,提出并实施了相应的除气工艺。研究成功一种气体含量低的Cu—WC触头材料(CW—2型)。6kV等级的真空灭弧室改用CW—2型触头后。

新型Ag-5%C电接触材料的制备及其电弧磨损特性的研究

采用将高能球磨、还原剂液相喷雾化学包覆及粉末冶金相结合配以适量碳纳米管做为纤维增强体的工艺 ,制备出新型的Ag 5 %C(质量分数 )电接触材料。该材料具有优异的烧结致密性 ,烧结复压密度可达理论密度的 99.9%,而传统机械混粉工艺及国外发展的烧结挤压工艺同类材料仅能达到 97.0 %～ 98.4%;其硬度达到 64 5MPa ,大大超过同类触头 ;该新型材料由于C在基体中的均匀分布以及高烧结致密性 ,具有很好的导电性能 ,其电导率达到了 3 8 0m·Ω- 1 ·mm- 2 ,远超机械混粉工艺而接近烧结挤压工艺。经由ASTM触头材料试验机进行电磨损分断对比试验 ,发现与常规机械混粉同类触头相比 ,该材料同等条件下电弧磨损量小得多 ,且具有优异的电弧磨损特性 ,其电弧磨损量随分断次数呈指数小于 1的指数函数规律上升 ,即到分断后期其材料损耗量趋于稳定 ,有效抑制了触头分断电涡流磨损现象 ,这种优异的电弧磨损特性对于提高其材料耐电弧磨损性能具有重要意义。

纳米相包覆AgC_5电触头材料

采用化学镀技术 ,在高能球磨所得纳米石墨粉上包覆银 ,制得纳米晶银 /石墨包覆粉体 ,经冷压、烧结、复压工序 ,制备了AgC5触头材料。采用此新工艺制备的触头材料与常规工艺制得的相比 ,在力学和物理性能等方面有了较大的提高。分断实验表明 :将纳米技术应用到银 /石墨触头材料的制备中 ,使材料的抗电弧磨损性能有了较大的改善。

开关电触头的击穿机理及影响真空间隙击穿的因素

在总结分析了电触头在气体和真空介质中的击穿机理及过程的基础上,较系统地论述了电极面积、触头球面半径、触头间隙、真空度、电极材料、电极温度、电极表面状况、操作条件、老炼及电压波形对触头击穿的影响规律。

中压真空接触器用触头材料的研究

对中压真空接触器用触头材料的化学成分进行了研究，通过添加适当元素使触头的抗熔焊性能提高，以致在分断大电流时，不发生熔焊或不产生持续电弧。还着重研究了中压真空接触器用触头材料的除气工艺，有效地降低３Ｃｕ－Ｗ类触头的含气量，使真空灭弧室的真空度在分断试验中，不因触头材料放气而降低性能。通过研究，Ｃｕ－Ｗ类触头的分断能力由目前国内２５００Ａ提高到４０００Ａ以上，材料的平均截流值小于２安培。

合金元素对Ag/MeO电接触材料电弧侵蚀形貌的影（英文）

通过扫描电镜和三维光学轮廓仪观察Ag/MeO(10)触头在直流19 V、20 A和阻性载荷条件下操作50000次后的电弧侵蚀形貌。结果表明:三维光学轮廓仪可以提供更清晰和详细的表面侵蚀形貌信息。在相同的测试条件下,Ag/SnO_2(10)触头的抗电弧侵蚀性能最强,而Ag/CuO(10)触头的抗电弧侵蚀性能最差。Ag/MeO(10)触头的电弧侵蚀形貌主要有三种类型。Ag/Zn O(10)和Ag/SnO_2(10)的电弧侵蚀形貌主要是液体喷溅和汽化,Ag/CuO(10)和Ag/CdO(10)触头的电弧侵蚀形貌主要是材料从阳极到阴极的转移,而Ag/SnO_2(6)In_2O_3(4)触头的电弧侵蚀形貌则既有液体喷溅和汽化又有材料的转移。此外,讨论不同Ag/MeO(10)触头的电弧形貌的形成过程和机理。

制备工艺对AgSnO_2(6.32)Sb_2O_3(3.69)触头材料组织与性能的影响

分别采用内氧化-粉末热挤压工艺和内氧化-热锻工艺制备了AgSnO2(6.32)Sb2O3(3.69)触头材料,研究了制备工艺对AgSnO2(6.32)Sb2O3(3.69)材料组织与性能的影响。结果表明:内氧化-粉末热挤压工艺制备的AgSnO2(6.32)Sb2O3(3.69)材料组织分布的均匀性及其相对密度、硬度和导电率均优于内氧化-热锻工艺相同组分材料。

电子探针分析方法及其在电接触材料研究中的应用

电子探针是在电子光学和X射线光谱学原理的基础上发展起来的一种高效率分析仪器。为了使材料研究者更好地了解电子探针的分析功能和利用电子探针进行材料的研究与分析,本文介绍了JXA-8230型电子探针工作原理和主要分析方法,并采用电子探针对AgNi触头材料进行了定性、定量和元素面扫描分析。结果表明,AgNi触头中除了含有Ag和Ni元素外,还含有少量的C和W元素,其中W元素主要分布在Ni相中。

电触头节银技术的对比分析

分析了中、大容量交流接触器节银触头、断路器节银触头、无银背触头、铆接式元件触头、铆钉型触头的节银模式和节银效果。针对铆接式元件,提出了节银实施方案,同时比较了各种铆钉型触头的节银效果,以达到在保证电器产品可靠性前提下降低成本的目的。

碳纳米管增强纳米晶Ag-5%C电接触材料研究

通过高能球磨结合还原剂液相喷雾化学包覆技术,配以适量碳纳米管作为纤维增强体制备得到纳米晶Ag-5%C(质量百分含量)包覆粉。与常规Ag-5%C机械混粉相比,在相同粉末冶金工艺下制备的触头力学物理性能测试表明,该碳纳米管增强纳米晶Ag-5%C电接触材料各项性能均比机械混粉触头优异。该材料有望成为一种可替代烧结挤压和机械混粉同类材料的新型Ag/C触头材料。

电触头表面状态对接触电阻的影响和改善方法

电触头是电器开关的重要组成部分,电触头的接触电阻不仅影响电器开关的电气性能,对电器产品的节能降耗也有重要意义。本文分析了商用电触头的表面异物、粗糙度、平坦度及表面膜对接触电阻的影响,指出了影响接触电阻的主要因素及改善途径。

CuW电触头材料研究综述

CuW电触头材料密度大、膨胀系数小,且具有良好的导电导热性,因此被广泛应用于开关电器领域。本文回顾了CuW电触头材料的发展历史,从制备工艺和优化改性两方面对国内外研究进展进行了总结,分析了国内外CuW电接触材料各种制备技术的优缺点及使用条件,最后提出了CuW电接触材料今后的发展方向,以期为CuW电触头材料的发展提供参考。

热压法制备AgSnO_2电触头材料性能的研究

为了解决采用合金内氧化工艺难以氧化透较厚产品的问题,采用粉末冶金、内氧化和热压相结合的工艺制备AgSnO2电触头材料,研究了初压密度对材料制备过程的影响以及热压对材料性能的影响。研究结果表明,采用合金粉末压制烧结、内氧化和热压相结合的工艺可以生产出性能良好的AgSnO2电触头材料;经过热压后,氧化物颗粒细小并均匀分布在银基体上;最终产品的密度达到9.89g/cm3,电阻率小于2.8μΩ.cm。

AgNi电触头材料制备工艺进展

综述了AgNi电触头材料的四种制备工艺,分析了不同制备工艺对材料性能的影响,并提出了今后材料的研究重点:控制材料的微观组织,提高材料的综合性能,改进大电流下材料的抗熔焊性。

交替氧化工艺参数对银氧化锡内氧化后组织的影响

AgSn合金内氧化后表层往往出现氧化物聚集层,导致成品中出现大量氧化物聚集,严重影响产品质量。针对上述问题,采用氧化-还原-氧化的交替氧化方法,即在通常内氧化工艺过程中增加还原-氧化步骤,先将氧化后丝材表面氧化层还原,然后再次氧化以获得均匀的组织。还原过程起关键作用,考察了不同还原温度(650℃、700℃、750℃)、不同还原时间(0.5h、1h、3h、5h)对银氧化锡内氧化后显微组织的影响,并优选了一种工艺进行后续加工。研究得出:表面还原层厚度随着还原温度的升高、时间的延长逐渐增加;由于晶界上原子排列较晶粒内部疏松,存在较多空位、位错等缺陷,导致晶界成为氢气快速扩散的通道,还原优先在晶界位置发生;后续加工后的丝材无明显氧化物聚集现象。

AgSn合金粉体粒度对预氧化显微组织的影响

考察了粒度分别为15、116、264μm的AgSn合金粉体对预氧化组织的影响,并比较了15μm和264μm粉体经预氧化挤压后的性能和显微组织。结果表明,粉体粒度为15μm时,氧化主要发生在颗粒边缘,随着粒度增加,颗粒周围形成了氧化层,甚至出现了氧化物聚集;15μm粉体挤压后氧化物颗粒分布均匀,而264μm雾化粉挤压后存在明显的氧化物富集区和贫氧化物区,导致后者的硬度、延伸率略低于前者;较大粒度的AgSn粉体(116μm和264μm)出现氧化层的原因是氧化物膜层松动或开裂,氧化层中出现了合金成分,反应又进入快速反应阶段,形成了一层氧化物层。

一种高氧化物含量AgCdO触点在GMC交流接触器中的应用

介绍了一种高氧化物含量AgCdO材料的试制,进行了不同内氧化工艺条件下触点材料力学物理性能的比较和分析,选取最佳方案产品在GMC-50三极交流接触器中进行AC-4电性能试验,结果表明,触点在56 000次电寿命内性能可靠,温升满足要求。所研究材料可以达到良好的节银效果。

铁路信号继电器用AgCdO(15)触点

介绍了一种铁路信号继电器用AgCdO(15)触点的制备方法。采用多次挤压的方法,提高了材料的塑性及物理性能,可用于制作变形量较大的异形触点。在AX系列继电器上,替代传统的内氧化法AgCdO(15)触点,提高了触点在继电器装配及使用过程中的可靠性。