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烹调油烟冷凝物致小鼠遗传毒性的研究 被引量:2
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作者 李丁 王淑华 +2 位作者 高丹 付平 翟东媛 《中国实验动物学杂志》 CAS 2002年第5期299-299,共1页
关键词 烹调油烟冷凝物 小鼠 遗传毒性 诱变
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基于LMD信号重构和支持向量机的柱塞泵故障诊断分析 被引量:10
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作者 洪晓艺 翟东媛 乔庆鹏 《液压与气动》 北大核心 2021年第6期91-96,共6页
为了提高基于机器学习的柱塞泵故障诊断效率,在柱塞泵故障5种状态振动信号基础上,提出基于局部均值分解(Local Mean Decomposition,LMD)信号重构和支持向量机(Support Vector Machine,SVM)的柱塞泵故障诊断方法。对消噪信号进行LMD分解... 为了提高基于机器学习的柱塞泵故障诊断效率,在柱塞泵故障5种状态振动信号基础上,提出基于局部均值分解(Local Mean Decomposition,LMD)信号重构和支持向量机(Support Vector Machine,SVM)的柱塞泵故障诊断方法。对消噪信号进行LMD分解,将重构信号与原始信号的样本熵进行对比。通过相关系数法处理分解后的PF分量和原始振动信号,以低相关性的分量作为噪声信号,同时重构高相关性的分量。结果表明:每种状态重构信号和原始信号之间的相关系数都达到0.9以上,说明重构信号内已经含有原始信号主要信息。各状态重构信号样本熵形成了比原始信号样本熵更优的分布状态,说明LMD重构信号可以减弱噪声对故障特征提取造成的影响。200组样本中识别准确率高达99%,表明以SVM多类分类器可以获得较高的故障识别诊断准确率。相对于原始信号,LMD重构信号达到了更高的训练准确度与测试准确性,表现出很好的计算精度。 展开更多
关键词 故障诊断 柱塞泵 极限学习 支持向量机 仿真分析
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改性条件对半导体Ni片上电纺丝沉积碳纳米纤维结构和性能的影响
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作者 洪晓艺 翟东媛 《真空科学与技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第6期576-580,共5页
选择乙醇电纺丝工艺制备碳纳米纤维,优化了工艺条件,并制备得到结构均匀的碳纳米纤维。选择EP溶液与水蒸气作为碳纳米纤维的改性介质,分析不同方法对碳纳米纤维进行表面改性的差异性。研究结果表明:通过乙醇电纺丝方法制备碳纳米纤维的... 选择乙醇电纺丝工艺制备碳纳米纤维,优化了工艺条件,并制备得到结构均匀的碳纳米纤维。选择EP溶液与水蒸气作为碳纳米纤维的改性介质,分析不同方法对碳纳米纤维进行表面改性的差异性。研究结果表明:通过乙醇电纺丝方法制备碳纳米纤维的最优条件为:锂盐溶液质量分数为70%,镍片-电纺丝间距1.5 cm,烧制时间为9 min。通过电纺丝工艺制得了高碳含量的碳纳米纤维。通过DFT方法进行分析发现其孔径尺寸为9.2 nm,微孔与介孔的孔容依次为0.094与0.213,形成了大量的微孔与介孔。EP-CNFs、Na-CNFs与CNFs都跟水形成了均匀混合状态,未出现分层的情况,而Wc-CNFs混合液形成了澄清液,说明Wc-CNFs已出现沉降的情况。采用EP改性方法可以使EP活化基团和碳纳米纤维活性基团发生相互作用,增强碳纳米纤维表面极性,避免发生团聚,达到更稳定的分散状态。 展开更多
关键词 乙醇电纺丝法 碳纳米纤维 表面改性 性能分析
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High performance trench MOS barrier Schottky diode with high-k gate oxide 被引量:2
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作者 翟东媛 朱俊 +3 位作者 赵毅 蔡银飞 施毅 郑有炓 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第7期426-428,共3页
A novel trench MOS barrier Schottky diode(TMBS) device with a high-k material introduced into the gate insulator is reported, which is named high-k TMBS. By simulation with Medici, it is found that the high-k TMBS c... A novel trench MOS barrier Schottky diode(TMBS) device with a high-k material introduced into the gate insulator is reported, which is named high-k TMBS. By simulation with Medici, it is found that the high-k TMBS can have 19.8% lower leakage current while maintaining the same breakdown voltage and forward turn-on voltage compared with the conventional regular trench TMBS. 展开更多
关键词 trench MOS barrier Schottky diode high-k gate oxide leakage current
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加载匹配结构的小型化和多波束全息天线设计
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作者 潘少鹏 胡旖旎 +2 位作者 蒋建辉 翟东媛 李高升 《微波学报》 CSCD 北大核心 2021年第1期14-20,共7页
从全息天线的理论出发,对源天线与目标天线的干涉场进行了分析,根据设计需求创建了椭圆族全息结构。进一步地,基于对全息结构上电磁能量分布的计算与分析,对原型全息结构进行截取,设计了小型化微波全息天线,并采取电磁调控方法解决了方... 从全息天线的理论出发,对源天线与目标天线的干涉场进行了分析,根据设计需求创建了椭圆族全息结构。进一步地,基于对全息结构上电磁能量分布的计算与分析,对原型全息结构进行截取,设计了小型化微波全息天线,并采取电磁调控方法解决了方向图主瓣分裂的问题。借助于匹配结构加载方法,解决了天线端射的问题,改善了全息天线的辐射性能。在小型化的基础上,对全息结构进行组合设计,实现了多波束全息天线。通过理论分析并结合仿真计算评估了全息天线的频率扫描特性,在14 GHz,15 GHz和16 GHz三个频点处,获得了20.9°的波束扫描范围。实际加工制作小型化全息天线,并在微波暗室开展测试,测试结果与仿真结果吻合较好。设计的全息天线具有波束偏转、波束赋形、多波束、频率扫描等功能,在卫星通信系统和新型微波成像系统等领域具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 全息天线 小型化 电磁调控 匹配结构 多波束 频率扫描
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沟槽形状对硅基沟槽式肖特基二极管电学特性的影响 被引量:3
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作者 翟东媛 赵毅 +2 位作者 蔡银飞 施毅 郑有炓 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期304-310,共7页
随着对电子产品节能环保要求的提高,对广泛应用于电子产品的肖特基二极管电学性能的要求也越来越高.含金属-氧化物-半导体结构的沟槽式肖特基二极管(trench barrier Schottky diodes,TMBS)由于其优异的性能而备受青睐.沟槽结构对提高肖... 随着对电子产品节能环保要求的提高,对广泛应用于电子产品的肖特基二极管电学性能的要求也越来越高.含金属-氧化物-半导体结构的沟槽式肖特基二极管(trench barrier Schottky diodes,TMBS)由于其优异的性能而备受青睐.沟槽结构对提高肖特基二极管性能起着至关重要的作用,但是关于沟槽形状对二极管电学性能的影响尚未见有深入的研究报道.本文提出了两种新型的沟槽结构——圆角沟槽和阶梯型沟槽.通过模拟研究发现,圆角沟槽与传统的直角沟槽TMBS器件相比,在维持同样的漏电流和正向导通电压的条件下,击穿电压可以提高15.8%.阶梯沟槽与传统直角沟槽TMBS器件相比,可以在击穿电压不减小的情况下,漏电降低35%,正向导通电压仅略有增加.这归结于圆角沟槽和阶梯沟槽对有源区内部电场强度分布的调节. 展开更多
关键词 肖特基二极管 金属-氧化物-半导体结构 沟槽式肖特基二极管 沟槽形状
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高抗ESD瞬态电压抑制器的研究 被引量:3
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作者 杨周伟 翟东媛 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期169-171,共3页
瞬态电压抑制器是一种用来保护芯片的分立器件,它能有效避免芯片受到高能瞬态脉冲的损坏。目前,静电损伤已经成为造成电子设备损坏的一个主要因素,为了能更好更有效地保护芯片,需要瞬态电压抑制器将高能脉冲钳位在一个对其本身和芯片都... 瞬态电压抑制器是一种用来保护芯片的分立器件,它能有效避免芯片受到高能瞬态脉冲的损坏。目前,静电损伤已经成为造成电子设备损坏的一个主要因素,为了能更好更有效地保护芯片,需要瞬态电压抑制器将高能脉冲钳位在一个对其本身和芯片都没有损伤的电位下,同时尽快将电流通过瞬态电压抑制器自身泄放掉。本文通过结构设计的改进,对一种常用的平面结构单向瞬态电压抑制器的反向三极管进行优化,通过TLP测试,并结合Tsuprem4、Medici的模拟和理论分析显示,这种改进方法使得瞬态电压抑制器具有了更强的抗静电放电的能力,从而可以更好地保护电子设备。 展开更多
关键词 瞬态电压抑制器 芯片 电子设备 瞬态脉冲 三极管 集电极 电气设备 集电装置 ESD 泄放电流
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