研究了RE Ni W B B4 C MoS2 复合镀层在不同氧化温度和时间下的抗高温氧化性。结果显示 ,当温度小于80 0℃时 ,RE Ni W B B4 C MoS2 复合镀层被氧化的程度较小 ;温度超过 80 0℃ ,氧化膜的增重呈直线增加。RE Ni W B B4 C MoS2 复合镀...研究了RE Ni W B B4 C MoS2 复合镀层在不同氧化温度和时间下的抗高温氧化性。结果显示 ,当温度小于80 0℃时 ,RE Ni W B B4 C MoS2 复合镀层被氧化的程度较小 ;温度超过 80 0℃ ,氧化膜的增重呈直线增加。RE Ni W B B4 C MoS2 复合镀层的硬度随着热处理温度的升高而增加 ,当热处理温度达到 4 0 0℃时 ,复合镀层的硬度升到极大值 (136 8HV) ;若继续升高温度 ,镀层硬度逐渐降低。RE Ni W B B4 C MoS2 复合镀层的耐磨性经 4 0 0℃热处理后最好。工艺条件对RE Ni W B B4 C MoS2 复合镀层的表面形貌影响较大 ,随着电流密度或镀液温度的升高 ,复合镀层结晶粗 ,晶粒大 ;反之 ,镀层结晶细 ,表面晶粒细小。RE Ni W B B4 C MoS2 复合镀层的镀态下以非晶态为主 ,部分已晶化 ;当经 5 0 0℃热处理后 ,复合镀层已晶化 ;经 80 0℃热处理后 ,CeO2 和B4 C仍以化合物的形式存在 ,由此可以说明 ,CeO2 和B4 C的加入 ,可以提高RE Ni W B B4 C MoS2展开更多
为了进一步掌握电沉积RE Ni W P SiC复合材料镀层的阴极过程 ,采用电位线性扫描测绘法、镀液pH值测定法研究了复合镀层阴极过程 ,结果表明 ,当镀液中加入SiC微粒和稀土后 ,复合材料的阴极沉积电流密度增加 ,有利于Ni W P合金在阴极沉积 ...为了进一步掌握电沉积RE Ni W P SiC复合材料镀层的阴极过程 ,采用电位线性扫描测绘法、镀液pH值测定法研究了复合镀层阴极过程 ,结果表明 ,当镀液中加入SiC微粒和稀土后 ,复合材料的阴极沉积电流密度增加 ,有利于Ni W P合金在阴极沉积 ,并形成Ni W P SiC和RE Ni W P SiC复合材料。而镀液中加入PTFE后却降低了复合材料镀层的阴极沉积电流密度。当稀土的添加量为 7~ 9g/L时 ,复合材料镀层的阴极沉积电流密度增加并不明显 ;随着稀土添加量的增加 ,复合材料镀层的阴极沉积电流密度增加较明显 ,当添加量达到 11~ 13g/L时 ,镀层的阴极沉积电流密度增加并达到最大值 ;若进一步增加稀土用量 ,则阴极沉积电流密度有所下降。如此可以加大SiC和RE对阴极电沉积的影响。展开更多
文摘研究了RE Ni W B B4 C MoS2 复合镀层在不同氧化温度和时间下的抗高温氧化性。结果显示 ,当温度小于80 0℃时 ,RE Ni W B B4 C MoS2 复合镀层被氧化的程度较小 ;温度超过 80 0℃ ,氧化膜的增重呈直线增加。RE Ni W B B4 C MoS2 复合镀层的硬度随着热处理温度的升高而增加 ,当热处理温度达到 4 0 0℃时 ,复合镀层的硬度升到极大值 (136 8HV) ;若继续升高温度 ,镀层硬度逐渐降低。RE Ni W B B4 C MoS2 复合镀层的耐磨性经 4 0 0℃热处理后最好。工艺条件对RE Ni W B B4 C MoS2 复合镀层的表面形貌影响较大 ,随着电流密度或镀液温度的升高 ,复合镀层结晶粗 ,晶粒大 ;反之 ,镀层结晶细 ,表面晶粒细小。RE Ni W B B4 C MoS2 复合镀层的镀态下以非晶态为主 ,部分已晶化 ;当经 5 0 0℃热处理后 ,复合镀层已晶化 ;经 80 0℃热处理后 ,CeO2 和B4 C仍以化合物的形式存在 ,由此可以说明 ,CeO2 和B4 C的加入 ,可以提高RE Ni W B B4 C MoS2
文摘为了进一步掌握电沉积RE Ni W P SiC复合材料镀层的阴极过程 ,采用电位线性扫描测绘法、镀液pH值测定法研究了复合镀层阴极过程 ,结果表明 ,当镀液中加入SiC微粒和稀土后 ,复合材料的阴极沉积电流密度增加 ,有利于Ni W P合金在阴极沉积 ,并形成Ni W P SiC和RE Ni W P SiC复合材料。而镀液中加入PTFE后却降低了复合材料镀层的阴极沉积电流密度。当稀土的添加量为 7~ 9g/L时 ,复合材料镀层的阴极沉积电流密度增加并不明显 ;随着稀土添加量的增加 ,复合材料镀层的阴极沉积电流密度增加较明显 ,当添加量达到 11~ 13g/L时 ,镀层的阴极沉积电流密度增加并达到最大值 ;若进一步增加稀土用量 ,则阴极沉积电流密度有所下降。如此可以加大SiC和RE对阴极电沉积的影响。