碲镉汞表面钝化层研究

本文简要报导了碲镉汞（ＭＣＴ）光导探测器表面钝化层的研究及结果，介绍了阳极氧化膜的制备，氧化膜的化学组成及氧化膜的物理化学性质。阐述了阳极氧化膜的退火处理。经过退火处理，提高了氧化膜的绝缘性能。

0.1eV HgCdTe光导探测器的1/f噪声特性

在77K和10^(14)phcm^(-2)s^(-1)光子背景条件下,测量了具有新的电极结构和不同尺寸的0.1eV HgCdTe光导探测器的灵敏度。依照响应率数据,通过解非平衡少数载流子一维扩散方程,导出产生-复合噪声(g-r噪声)和少子寿命,然后讨论了1/f噪声问题,并得出特征性结论。

线列探测器的冷屏设计(Ⅱ)

本文报导线列探测器中椭圆形小孔冷却屏蔽的退光效应的计算结果。计算时小孔的长轴/短轴比是可变的。结果表明,椭圆形小孔比矩形小孔的设计更好。

碲镉汞材料的离子束蚀刻研究

本文对Hg_(1-x)Cd_xTe(MCT)材料的离子束蚀刻规律进行了一些探索。结果表明可以选取低能量、小束流密度,用302光刻胶作掩模来蚀刻MCT材料,蚀刻的图形边缘整齐,边壁陡直。随着MCT组分x值的增大,其蚀刻速率减小是由于x值大的MCT材料中Cd-Te键占的比例大,Cd-Te键的结合要强于Hg-Te键。