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自对准Ti-SALICIDE LDD MOS工艺研究 被引量:2
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作者 徐秋霞 龚义元 +4 位作者 张建欣 汪锁发 翦进 海潮和 扈焕章 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第9期603-610,共8页
本文着重研究了0.6μm自对准Ti-SALICIDELDDMOS工艺技术.TiSi2的形成采用两步快速热退火及选择腐蚀完成,Ti膜厚度的最佳选择使SALICIDE工艺与0.2μm浅结相容,源/漏薄层电阻为4Ω/□.上... 本文着重研究了0.6μm自对准Ti-SALICIDELDDMOS工艺技术.TiSi2的形成采用两步快速热退火及选择腐蚀完成,Ti膜厚度的最佳选择使SALICIDE工艺与0.2μm浅结相容,源/漏薄层电阻为4Ω/□.上述技术已成功地应用于0.6μm自对准Ti-SALICIDELDDNMOS器件及其E/DMOS31级环形振荡器的研制,特性良好. 展开更多
关键词 Ti-SALICIDE 自对准 MOS器件 工艺
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