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在高等教育中应积极实施和完善学分制
被引量:
3
1
作者
耿振海
《黄河水利职业技术学院学报》
2005年第3期58-60,共3页
实行学分制是我国高等教育改革的重要举措。学分制能够保证学生在教学过程中的主体地位,能够拓宽学生在教学计划下的选择范围,能够提高学生的学习质量,能够促进学校的教学改革,能够适应高等教育“大众化”的要求。我国在学分制实施中也...
实行学分制是我国高等教育改革的重要举措。学分制能够保证学生在教学过程中的主体地位,能够拓宽学生在教学计划下的选择范围,能够提高学生的学习质量,能够促进学校的教学改革,能够适应高等教育“大众化”的要求。我国在学分制实施中也出现了诸如选修课比例偏小、教学秩序较为紊乱、思想政治教育有所淡化、经费投入相对不足等问题。但这些只能在改革中完善,而不能退缩。为此,应以人为本、全面实施素质教育,加大选修比、完善配套机制,加强基本建设、改善教学条件,建立政治教育新模式,进一步推进高等教育的学分制改革。
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关键词
素质教育
高等教育
教学改革
学分制
实施
功能
完善
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职称材料
具有部分超结的新型SiC SBD特性分析
被引量:
3
2
作者
杨银堂
耿振海
+3 位作者
段宝兴
贾护军
余涔
任丽丽
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期566-570,共5页
提出了一种具有部分超结(super junction,SJ)结构的新型SiC肖特基二极管,命名为SiC Semi-SJ-SBD结构,通过将常规SBD耐压区分为常规耐压区和超结耐压区来减小导通电阻,改善正向特性.利用二维器件模拟软件MEDICI仿真分析,研究了不同超结...
提出了一种具有部分超结(super junction,SJ)结构的新型SiC肖特基二极管,命名为SiC Semi-SJ-SBD结构,通过将常规SBD耐压区分为常规耐压区和超结耐压区来减小导通电阻,改善正向特性.利用二维器件模拟软件MEDICI仿真分析,研究了不同超结深度和厚度时击穿电压(VB)和比导通电阻(Ron-sp),与常规结构的SBD比较得出,半超结结构可以明显改善SiC肖特基二极管特性,并得到优化的设计方案,选择超结宽度2W为2μm,3μm,超结深度大于5μm,可以使Ron-sp降低量大于10%,而且保持VB基本不变(降低量小于4%).
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关键词
SiC肖特二极管
super
JUNCTION
导通电阻
击穿电压
原文传递
题名
在高等教育中应积极实施和完善学分制
被引量:
3
1
作者
耿振海
机构
黄河水利职业技术学院
出处
《黄河水利职业技术学院学报》
2005年第3期58-60,共3页
文摘
实行学分制是我国高等教育改革的重要举措。学分制能够保证学生在教学过程中的主体地位,能够拓宽学生在教学计划下的选择范围,能够提高学生的学习质量,能够促进学校的教学改革,能够适应高等教育“大众化”的要求。我国在学分制实施中也出现了诸如选修课比例偏小、教学秩序较为紊乱、思想政治教育有所淡化、经费投入相对不足等问题。但这些只能在改革中完善,而不能退缩。为此,应以人为本、全面实施素质教育,加大选修比、完善配套机制,加强基本建设、改善教学条件,建立政治教育新模式,进一步推进高等教育的学分制改革。
关键词
素质教育
高等教育
教学改革
学分制
实施
功能
完善
Keywords
quality-oriented education
teaching reform in higher education
the credit system
implement
function
perfect
分类号
G642.471 [文化科学—高等教育学]
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职称材料
题名
具有部分超结的新型SiC SBD特性分析
被引量:
3
2
作者
杨银堂
耿振海
段宝兴
贾护军
余涔
任丽丽
机构
西安电子科技大学微电子学院、宽禁带半导体材料与器件重点实验室
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期566-570,共5页
基金
国家部委预研项目(批准号:51308030201,9140A08050509DZ0106)资助的课题~~
文摘
提出了一种具有部分超结(super junction,SJ)结构的新型SiC肖特基二极管,命名为SiC Semi-SJ-SBD结构,通过将常规SBD耐压区分为常规耐压区和超结耐压区来减小导通电阻,改善正向特性.利用二维器件模拟软件MEDICI仿真分析,研究了不同超结深度和厚度时击穿电压(VB)和比导通电阻(Ron-sp),与常规结构的SBD比较得出,半超结结构可以明显改善SiC肖特基二极管特性,并得到优化的设计方案,选择超结宽度2W为2μm,3μm,超结深度大于5μm,可以使Ron-sp降低量大于10%,而且保持VB基本不变(降低量小于4%).
关键词
SiC肖特二极管
super
JUNCTION
导通电阻
击穿电压
Keywords
SiC SBD, super junction, specific on-resistance, breakdown voltage
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
在高等教育中应积极实施和完善学分制
耿振海
《黄河水利职业技术学院学报》
2005
3
下载PDF
职称材料
2
具有部分超结的新型SiC SBD特性分析
杨银堂
耿振海
段宝兴
贾护军
余涔
任丽丽
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
3
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