基于交联型丙烯酸酯类共聚物的Krf光刻胶分析

阐述在40nm以下技术节点的光刻工艺中,深紫外光刻胶(Krf Photoresist)应用比较广泛,仍是使用量最大的光刻胶种类,但已量产的Krf光刻胶由于开发时间较早,在部分工艺中抗刻蚀性能上存在不足。通过使用交联型单体合成一种交联型丙烯酸酯类共聚物,由于其独特的交联网状结构,该树脂与非交联型的树脂相比,其可以显著增强光刻胶树脂在刻蚀工艺中抗刻蚀性能。将该交联型共聚物配制成Krf光刻胶,经测试该光刻胶满足集成电路芯片制造中耐蚀刻要求,并且满足Dense和ISO光刻图形分辨率达到140nm的工艺要求。