1、2MeV双电荷态磷离子注入硅的研究

本文介绍了离子源使用不同放电物质所获得的双电荷态磷离子注入硅的工作。实验结果表明:在600kV离子注入机上利用双电荷态离子得到的1.2MeVP^(2+)注入硅可获得适用于制备VLSI的CMOS电路中杂质反向分布N阱结构的掩埋层。

820离子源在600kV离子注入机上的应用

文章报道了820离子源在600kV离子注入机上的应用。已经从820离子源引出了20个以上的离子品种应用于半导体、金属和绝缘体的材料改性研究。还讨论了离子束流污染问题。

SI GaAS中S^+注入的电学特性

本文研究了经常规热退火和快速热退火后SIGaAs中S^+注入的电学特性.热退火后,GaAs中注入S^+的快扩散和再分布不决定于S^+或砷空位V_(AS)的扩散而决定于离子注入增强扩散.使用快速热退火方法能抑制注入S^+在GaAs中的增强扩散,明显减小S^+的再分布,可以获得适合于制造GaAs MESFET器件的薄有源层.