基于MOS管的忆阻器电路仿真器设计

运用互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)技术,设计了2款浮地型忆阻器电路仿真器,并研究电路仿真器在不同激励条件下的特性。理论推导表明,设计的电路仿真器的端口电压电流关系符合忆阻器与状态变量相关的欧姆定律方程。仿真结果表明,设计的忆阻器电路仿真器具有特有的捏滞回环特性,验证了其正确性和可行性。