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CuPc有机薄膜晶体管稳定性研究
1
作者
严剑飞
吴志明
+5 位作者
太惠玲
李娴
肖战菲
朱涛
熊丽霞
罗振飞
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期168-171,279,共5页
以酞菁铜为有源层,二氧化硅为绝缘层,钛/金作为电极,制作了沟道宽长比为6 000/10的有机薄膜晶体管。通过比较在不同时期器件在空气环境中的电学特性,分析了环境对器件电学性能的影响。结果表明,在其他条件不变的情况下,当器件置于空气中...
以酞菁铜为有源层,二氧化硅为绝缘层,钛/金作为电极,制作了沟道宽长比为6 000/10的有机薄膜晶体管。通过比较在不同时期器件在空气环境中的电学特性,分析了环境对器件电学性能的影响。结果表明,在其他条件不变的情况下,当器件置于空气中时,其载流子的浓度和体电导率逐渐增大,迁移率几乎不受影响;相同栅极电压下器件达到饱和状态所需的源漏电压增大,线性区向饱和区推进;阈值电压减小,在栅极电压为0时,界面处逐渐形成导电沟道,器件从增强型向耗尽型转变。
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关键词
CUPC
有机薄膜晶体管
迁移率
体电导率
阈值电压
下载PDF
职称材料
极化诱导实现AlGaN薄膜材料中的超高电子浓度(10^(20)cm^(-3))掺杂
被引量:
1
2
作者
李世彬
肖战菲
+4 位作者
苏元捷
姜晶
居永峰
吴志明
蒋亚东
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第16期171-176,共6页
材料的载流子浓度和迁移率是影响器件性能的关键因素,变温Hall测试结果证明杂质掺杂A1GaN中的载流子浓度和迁移率随温度降低而减小.然而极化诱导掺杂的载流子浓度和迁移率不受温度变化的影响.以准绝缘的GaN体材料作为衬底,在组分分层渐...
材料的载流子浓度和迁移率是影响器件性能的关键因素,变温Hall测试结果证明杂质掺杂A1GaN中的载流子浓度和迁移率随温度降低而减小.然而极化诱导掺杂的载流子浓度和迁移率不受温度变化的影响.以准绝缘的GaN体材料作为衬底,在组分分层渐变的AlGaN中实现的极化诱导掺杂浓度仅仅在10^(17)cm^(-3)数量级甚至更低.本研究采用载流子浓度为10^(16)cm^(-3)量级的非有意n型掺杂GaN模板为衬底,用极化诱导掺杂技术在分子束外延生长的AlGaN薄膜材料中实现了高达10^(20)cm^(-3)量级的超高电子浓度.准绝缘的体材GaN半导体作衬底时,只有表面自由电子作为极化掺杂源,而非有意掺杂的GaN模板衬底除了提供表面自由电子外,还能为极化电场提供更多的自由电子"源",从而实现超高载流子浓度的n型掺杂.
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关键词
超高电子浓度
极化诱导掺杂
线性渐变
AlGaN膜
原文传递
题名
CuPc有机薄膜晶体管稳定性研究
1
作者
严剑飞
吴志明
太惠玲
李娴
肖战菲
朱涛
熊丽霞
罗振飞
机构
电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期168-171,279,共5页
基金
中央高校基本科研业务费专项资金项目(ZYGX2009J052)
中央高校基本科研业务费学生专用资金项目
文摘
以酞菁铜为有源层,二氧化硅为绝缘层,钛/金作为电极,制作了沟道宽长比为6 000/10的有机薄膜晶体管。通过比较在不同时期器件在空气环境中的电学特性,分析了环境对器件电学性能的影响。结果表明,在其他条件不变的情况下,当器件置于空气中时,其载流子的浓度和体电导率逐渐增大,迁移率几乎不受影响;相同栅极电压下器件达到饱和状态所需的源漏电压增大,线性区向饱和区推进;阈值电压减小,在栅极电压为0时,界面处逐渐形成导电沟道,器件从增强型向耗尽型转变。
关键词
CUPC
有机薄膜晶体管
迁移率
体电导率
阈值电压
Keywords
CuPc
organic thin film transistors
mobility
bulk conductivity
threshold voltage
分类号
TN321.5 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
极化诱导实现AlGaN薄膜材料中的超高电子浓度(10^(20)cm^(-3))掺杂
被引量:
1
2
作者
李世彬
肖战菲
苏元捷
姜晶
居永峰
吴志明
蒋亚东
机构
电子科技大学光电信息学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第16期171-176,共6页
基金
国家自然科学基金(批准号:61101029)资助的课题~~
文摘
材料的载流子浓度和迁移率是影响器件性能的关键因素,变温Hall测试结果证明杂质掺杂A1GaN中的载流子浓度和迁移率随温度降低而减小.然而极化诱导掺杂的载流子浓度和迁移率不受温度变化的影响.以准绝缘的GaN体材料作为衬底,在组分分层渐变的AlGaN中实现的极化诱导掺杂浓度仅仅在10^(17)cm^(-3)数量级甚至更低.本研究采用载流子浓度为10^(16)cm^(-3)量级的非有意n型掺杂GaN模板为衬底,用极化诱导掺杂技术在分子束外延生长的AlGaN薄膜材料中实现了高达10^(20)cm^(-3)量级的超高电子浓度.准绝缘的体材GaN半导体作衬底时,只有表面自由电子作为极化掺杂源,而非有意掺杂的GaN模板衬底除了提供表面自由电子外,还能为极化电场提供更多的自由电子"源",从而实现超高载流子浓度的n型掺杂.
关键词
超高电子浓度
极化诱导掺杂
线性渐变
AlGaN膜
Keywords
ultra-high electron concentration, polarization doping, graded AlGaN films
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
CuPc有机薄膜晶体管稳定性研究
严剑飞
吴志明
太惠玲
李娴
肖战菲
朱涛
熊丽霞
罗振飞
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2011
0
下载PDF
职称材料
2
极化诱导实现AlGaN薄膜材料中的超高电子浓度(10^(20)cm^(-3))掺杂
李世彬
肖战菲
苏元捷
姜晶
居永峰
吴志明
蒋亚东
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
1
原文传递
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