各向异性抛物势对非对称半指数量子阱中杂质极化子基态能量的影响

当非对称半指数量子阱中在阱的生长方向存在非对称半指数受限势,而在垂直于阱的生长方向存在各向异性抛物受限势时,我们理论上研究了类氢杂质対非对称半指数量子阱中弱耦合杂质极化子基态能量性质的影响.应用线性组合算符方法和两次幺正变换导出了非对称半指数量子阱中弱耦合杂质极化子的基态能量.我们挑选非对称半指数GaAs半导体量子阱晶体为例,计算了非对称半指数量子阱中弱耦合杂质极化子的基态能量与库仑杂质势的强度,非对称半指数受限势的两个正参数和x方向和y方向的各向异性抛物势的受限强度变换关系.通过数值我们发现非对称半指数量子阱中弱耦合杂质极化子的基态能量随库仑杂质势的强度的增加而增大,杂质极化子的基态能量是参量U和x方向和y方向的各向异性抛物势的受限强度的的增函数,而它是参量σ的减函数.表现了奇特的量子尺寸限制效应.

半导体量子点中极化子的有效质量

研究了半导体量子点中极化子的有效质量 .采用改进的线性组合算符方法 ,导出在电子 -体纵光学声子 (L O)强耦合时抛物量子点中极化子的振动频率、相互作用能和有效质量随受限强度和电子 -声子耦合强度的变化 .对Rb Cl晶体量子点进行了数值计算 ,结果表明 ,量子点受限越强 ,半导体量子点中强耦合极化子的振动频率和有效质量就越大 ;极化子的相互作用能随受限强度的增加先急剧增加 ,当达到极值后 。

非对称量子点中弱耦合束缚极化子的性质

采用线性组合算符和幺正变换方法研究了非对称量子点中弱耦合束缚极化子的性质。导出了非对称量子点中弱耦合束缚极化子的振动频率和基态能量随量子点的横向和纵向有效受限长度,库仑束缚势和电子-声子耦合强度的变化关系。通过数值计算,结果表明:非对称量子点中弱耦合束缚极化子的振动频率和基态能量随量子点的横向和纵向有效受限长度的减小而迅速增大。

强耦合极化子的温度依赖性

本文研究极性晶体中强耦合光极化子的性质,采用Huybrechts线性组合算符法.得到了有限温度下强耦合光极化子的基态能量.文中对RbCl晶体进行数值计算.结果表明,极化子的振动频率、平均数和基态能量随温度的升高而增加.

聚合物双微椭球的光纤锥温度和磁场传感结构研究

采用紫外光固化技术将聚合物双微椭球固着在光纤锥上制备光纤温度和磁场传感结构。聚合物双微椭球由磁性和非磁性微椭球构成。光纤锥的长度为0.8 mm,2个聚合物微椭球在长轴和短轴方向的长度分别为0.4 mm和0.2 mm,2个聚合物微椭球间多模光纤长为0.2 mm。入射光分别在光纤锥和聚合物微椭球中向前传输,并在光纤锥的另一侧叠加形成干涉谱。利用波长解调技术研究该结构的传感特性。实验结果表明:磁场强度范围为5~35 mT时,该结构干涉谱中两干涉峰的磁场灵敏度分别为0.077 27、0.067 45 nm·mT^(-1);温度在30~60℃范围时,两干涉峰的温度灵敏度分别为0.228 73、0.161 62 nm·℃^(-1),利用传感矩阵方法实现温度和磁场的同时传感探测。

极性半导体的表面电子

有不少的极性半导休,电子与表面声学声子和体纵光学声子的耦合弱,但与表面光学声手的耦台强.本文同时考虑体纵光学声子、表面光学声子以及表面声学声予的影响,研究这类半导体的表面电予的性质,采用线性组合算符和拉格朗日乘子法,导出其有效哈密顿量和重正化质量。

多原子极性晶体中表面激子的自陷条件

本文研究多原子极性晶体中表面激子的性质,采用微扰法导出表面激子的有效哈密顿量.在计及反冲效应中不同波矢的声子之间的相互作用时,讨论对电子、空穴间的相互作用势、表面激子的自陷能和自陷条件的影响.

非对称量子点中强耦合束缚极化子的性质

采用线性组合算符和幺正变换方法研究库仑场对非对称量子点中强耦合极化子性质的影响。导出了非对称量子点中强耦合束缚极化子的振动频率、基态能量和基态结合能随量子点的横向和纵向有效受限长度,库仑束缚势和电子-声子耦合强度的变化关系。数值计算结果表明:非对称量子点中强耦合束缚极化子的振动频率、基态能量和基态结合能随量子点的横向和纵向有效受限长度的减小而迅速增大,表现出新奇的量子点的量子尺寸效应。基态能量随库仑束缚势和电子-声子耦合强度的增加而减小,振动频率和基态结合能随电子-声子耦合强度和库仑束缚势的增加而增大。

多原子极性晶体中表面激子的性质

本文研究多原子极性晶体中表面激子的性质.采用微扰法导出表面激子的有效哈密顿量.多支LO声子对表面激子的自陷能和有效势的影响是相互独立的.对于Wannier激子,电子、空穴间的相互作用的有效势仍是库仑型的,只是介电常数约化为.多支LO声子的作用使激子的自陷能更低.并得到激子的自陷条件.

非对称量子点中电子的激发能量和跃迁谱线频率

研究了非对称量子点中与声子强耦合的电子的性质.采用线性组合算符和幺正变换方法研究非对称量子点中与声子强耦合的电子的第一内部激发态能量、激发能量和第一内部激发态到基态的跃迁谱线频率随量子点的横向和纵向有效受限长度,电子-声子耦合强度的变化关系。数值计算结果表明:非对称量子点中与声子强耦合的电子的第一内部激发态能量、激发能量和第一内部激发态到基态的跃迁谱线频率随量子点的横向和纵向有效受限长度的减小而迅速增大,表现出奇特的量子尺寸效应。非对称量子点中与声子强耦合的电子的第一内部激发态能量随电子-声子耦合强度的增加而减小。非对称量子点中与声子强耦合的电子的激发能量和第一内部激发态到基态的跃迁谱线频率随电子-声子耦合强度的增加而增大。

强耦合多原子极性晶体中的表面激子

本文研究多原子极性晶体中表面激子的性质.采用线性组合算符和拉格朗日乘子法,导出强耦合多原子极性晶体中表面激子的有效哈密顿量,得到了强耦合表面激子的重正化质量.

非对称半指数量子阱中极化子基态能量

研究了非对称半指数量子阱中弱耦合极化子的受限势和基态能量性质.采用线性组合算符方法导出了GaAs非对称半指数量子阱中弱耦合极化子的基态能量随非对称半指数受限势的两个正参数的变化关系.通过数值计算结果显示非对称半指数量子阱的受限势随坐标z的增加而增大,受限势和极化子的基态能量是参量U_0的增函数,而它们是参量σ的减函数.

非对称Gaussian限制势量子阱中强耦合极化子的性质

理论上研究了非对称Gaussian限制势Cs I量子阱中强耦合极化子的性质,采用线性组合算符和LLP变换方法导出了非对称Gaussian限制势量子阱中强耦合极化子的振动频率和平均声子数与非对称Gaussian受限势量子阱的势垒高度和非对称Gaussian受限势的范围的关系.通过数值计算,结果表明极化子振动频率和声子平均数是Gaussian受限势的范围的减函数,而它们是量子阱的势垒高度的增函数.

非对称半指数量子阱中极化子基态结合能的磁场效应

研究了非对称半指数量子阱中弱耦合极化子的性质,采用线性组合算符方法和两次幺正变换方法,对于弱耦合情况下,得到了非对称半指数GaAs材料量子阱极化子基态结合能,并且研究了磁场效应.从而导出了GaAs材料中非对称半指数量子阱极化子的基态结合能随非对称半指数量子阱受限势的两个正参数和回旋频率的函数依赖关系.选择非对称半指数GaAs材料量子阱进行数值计算,结果表明:可以通过改变磁场的回旋频率和量子阱受限势的两个正参数的大小实现调节基态结合能的高低.

声学形变势表面极化子的性质研究进展

综述了近年来对声学形变势表面极化子的性质方面的部分工作 .在第一节中从表面电子—表面光学(SO)声子和电子—表面声学 (SA)声子系的哈密顿量出发 ,用线性组合算符和么正变换法研究与SO和SA声子弱耦合的声学形变势表面极化子的有效哈密顿量、有效相互作用势和有效质量的性质 .在第二节中研究了与SO声子耦合强与SA声子耦合弱的声学形变势表面极化子的振动频率 ,诱生势和有效质量的性质 .在第三节中研究了与SO声子强耦合与SA声子弱耦合的声学形变势表面极化子的有效哈密顿量、振动频率和有效质量的温度效应 .在第四节中计算了与SO声子耦合强与SA声子耦合弱的声学形变势表面极化子的声子平均数随坐标Z、振动频率λ和 η的变化规律 .在第五节中采用微扰法研究了声子之间相互作用对与SO声子强耦合与SA声子弱耦合的声学形变势表面极化子的有效哈密顿量。

强耦合表面激子内部激发态的性质

采用线性组合算符和幺正变换方法 ,研究极性晶体中强耦合表面激子内部激发态的性质。计算了表面激子的激发态能量、激发能量和平均声子数。

强耦合多原子极性晶体中激子的性质

本文研究多原子极性晶体中强耦合激子的性质,采用线性组合算符和拉格朗日乘子法,导出了强耦合多原子极性晶体中激子的有效哈密顿量,得到了强耦合激子的有效质量.

在极性晶体中表面或交界面极化子的性质

不少极性晶体,电子与表面声学声子、体纵光学声子耦合弱,但与表面光学声子耦合强。本文同时考虑体纵光学声子、表面光学声子以表面声学声子的影响,研究这类极性晶体中的表面或交界面极化子的性质。采用线性组合算符和一种简单的么正变换,导出其有效哈密顿量和基态能量。

抛物量子点中强耦合束缚磁极化子的声子平均数

采用线性组合算符和幺正变换方法导出了强耦合束缚磁极化子的振动频率和声子平均数。讨论了量子点的有效受限长度、磁场、库仑场和电子 LO声子耦合强度对抛物量子点中强耦合束缚磁极化子振动频率和声子平均数的影响。数值计算结果表明:强耦合束缚磁极化子的振动频率和声子平均数均随量子点的有效受限长度、回旋共振频率的增加而减小,随库仑束缚势的增加而增加,声子平均数随电子 LO声子耦合强度增加而减小。

磁场中强耦合表面极化子的性质

本文研究磁场中强耦合表面极化子的性质，采用线性组合算符法导出表面极化子的基态能量和振动频率．对ＡｇＣｌ和ＫＣｌ晶体进行了数值计算。结果表明，磁场中强耦合表面极化子的振动频率随磁场的增加而增大，基态能量随磁场的增加而减少．