基于SOC应用恒定跨导Rail-to-Rail CMOS运算放大器

基于SOC应用,采用CSMC 0.5μm DPDM CMOS工艺,设计了一种恒定跨导的Rail-to-Rail CMOS运算放大器。该运算放大器采用平方根电路恒定输入级总跨导;同时运用Class AB推挽电路作输出级,获得高驱动能力和低谐波失真。在5 V单电源工作电压、30 pF负载电容和10 KΩ负载电阻情况下,经过Hspice仿真,运放的直流开环增益达到98 dB,相位裕度为65°,输入级跨导最大偏差低于17%。

CMOS运算放大器失调电压消除设计

基于直流对称偏置技术、版图的对称布局布线和先进的CMOS工艺技术。文中设计了一种低失调电压的高性能运算放大器。测试结果表明,在负载电容100 p F和电阻10 kΩ的情况下,最大失调电压<2 m V;开环增益为98 d B;单位增益带宽达到10.4 MHz;相位裕度为55°;电源抑制比为-87 d B。该电路可广泛用于高性能数模混合电路、高性能模拟、计算、控制等系统中。

基于FPC应用的电磁屏蔽膜设计

基于电磁屏蔽膜在FPC应用上日趋广泛,本文以片状银粉作为导电介质,以油墨作为绝缘体,以环氧树脂、固化剂等试剂混合为成膜剂设计出用于FPC软性电路版上的电磁屏蔽薄膜,本电磁薄膜屏蔽效能达到55d B,压合后厚度在15-21um,具有良好的制成适用性、耐高温、抗化学性,符合环保要求,性价比高。

一种低压新型曲率补偿基准电压源设计

要基于Chrt0.35μmCMOS工艺,设计了一种基于亚阈值工作区的一阶温度补偿和I2PTAT电路组成的带隙基准电压源。芯片测试结果表明,电路在1.2 V电源电压下便可工作;在温度-20～120℃范围内,基准电压源平均温度系数<2×10-6/℃。该带隙基准源具有良好的可应用于高精度模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)和系统集成芯片(SOC)中。

基于WCDMA接收机系统的低噪声放大器设计

介绍了低噪声放大器的基本工作原理,并对噪声源进行了分析。提出了采用先进的TSMC90 nm工艺,设计了一种基于WCDMA接收机系统的全差分拓扑共源共栅型低噪声放大器。该放大器片内集成了电感、电容,片外配置匹配网络。芯片测试结果表明:电路在2 GHz工作频率下,电压增益达到20 dB、噪声系数NF为1.4 dB、IIP3为-3.43 dBm。综合各项数据表明,该低噪声放大器具备良好的性能,可广泛适用于通讯系统之中。

用于环路校准的延迟锁相环设计

延迟锁相环能够产生精确的延时而被广泛使用。本文介绍了一种适用于直接调制发射机锁相电路环路校准的延迟锁相环。电路采用TSMC 0.18μm CMOS工艺实现,参考频率为26 MHz。在3.3 V电源电压下的仿真结果显示:延迟锁相环锁定时间为520ns,锁定相位为2π,同时输出8路相位差为45o间隔的时钟。

5×10^(-6)/℃的带隙基准电压源设计

在传统一级温度补偿带隙基准电路的基础上,对电路进行了改进,实现二级温度补偿,该电路可以在-40～115℃范围内,达到平均低于5×10-6/℃的温度系数。整个电路采用Chartered0.35μmCMOS工艺实现,使用Hspice仿真器进行仿真。仿真结果证明此基准电压源具有很低的温度系数。

低压下5×10^(-6)/℃的带隙基准电压源设计

为了减小高精度Pipeline/ADC中基准源的温漂特性,从而保证系统的整体性能,通过对传统一阶温度补偿电路进行改进,采用二阶温度系数补偿,获得了低于5×10-6/℃温度系数的基准电压源。整个电路采用成熟先进的Chrt0.35μmCMOS工艺,使用Hspice进行仿真。仿真结果证明此基准电压源的温度系数极低,平均温度系数低于5×10-6/℃。

看不见的竞争对手最可怕

不管是微软的比尔·盖茨,苹果的乔布斯,还是雅虎的杨致远,甚至中国的马云他们都一致认为,最可怕的竞争对手不是看得见的同级别对手,而是看不见的竞争者。是隐藏在车库里、地下室里、民房里面的创新者。事实也证明了,相当比例的伟大公司就是在这种环境中产生的,显然,还会继续产生更多。

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