SiC晶须在高压静电场作用下单向排列的研究

研究了在高压静电场作用下，经过预处理的SiC晶须在含有适量非离子表面活性剂的氟里昂（R－113）中单向排列的工艺，探讨了SiC晶须单向排列可能的机理。结果表明，在高压静电场的作用下，SiC晶须首先极化并且在电场力的作用下朝着静电场方向定向排列。

CCD信号的高速A／D转换及数据采集系统

研制了一个可以对ＣＣＤ信号实现高速数据采集的系统，该系统由８０３１单片机控制，采用频率可调的ＣＣＤ驱动电路、高速视频Ａ／Ｄ转换器以及总线隔离技术，实现对ＣＣＤ信号的数据采集和处理，该系统不同于ＤＭＡ系统，结构简单、价格便宜、适用范围广。