玻璃肋支撑式玻璃幕墙稳定性影响因素分析

为了研究玻璃肋稳定性和哪些因素有关,论文运用Sap2000软件分析面板分段、自重效应、支撑方式对肋稳定性的影响。结果表明,面板分段对肋稳定性影响较大,面板分段越多,肋的屈曲因子越小。自重效应对吊挂式玻璃肋的稳定性有利,对坐立式玻璃的稳定性不利。三边支撑的玻璃肋屈曲因子远远高于两边支撑的玻璃肋稳定性,两者屈曲因子相差10倍左右。这些结论为玻璃肋支撑式玻璃幕墙的设计提供一些理论依据。

车桥耦合系统动力响应的精细时程分析

为了研究车桥耦合系统的动力响应,首先将普通精细时程积分法进行改进;即将车辆荷载和车辆惯性力以"渐进"的方式加载到整个系统上。然后通过数值实例,编写MATLABT通用计算程序求解,得到运用改进时程法在积分步长较大情况下能得到较精确的结果。最后对计算精度和计算时间进行研究,得到积分步长对计算时间影响较大,积分间隔对计算精度的影响较大,所以在使用改进的精细积分计算式一般选取较大的积分步长和较小的积分间隔。

小麦抗倒伏的力学分析

小麦的高产和抗倒伏是相互制约的。文章利用力学原理建立力学模型,从而推倒出小麦茎秆在无风情况下的临界穗重和有风情况下小麦茎秆的临界风力、穗重、茎秆长度和弹性模量的关系。为育种专家在不同地区培育不同形态、不同产量的小麦品种提供理论依据。

预裂爆破中最佳空孔间距的选择

预留空孔是预裂爆破的常用方法,空孔间距的选择关系到爆破效果的好坏.从理论上研究了空孔的应力集中效应,得出了在空孔壁上时只有炮孔连线方向才有应力出现.分析了空孔间距与爆破参数选取的关系,基于爆炸力学和弹性力学知识从理论上推导出了最适宜的空孔间距.通过具体的算例得出了采用预留空孔爆破时2装药孔之间的间距为868.6mm,没有预留空孔时2炮孔之间的距离为543.4mm,因此预留空孔能够明显提高炸药的能量利用率.

爆炸荷载作用下全玻幕墙动力放大因子求解

目前GB 50009-2012《建筑结构荷载规范》对爆炸荷载的动力放大系数没有明确的说明,要求我们根据动力分析结果确定。为了得到作用在全玻幕墙上的爆炸荷载动力放大系数,本文以天津港爆炸事故为背景,依据荷载规范,运用SAP2000有限元对爆炸荷载作用下全玻幕墙的动力响应进行时程分析,得到动力和静力荷载作用下玻璃肋的最大变形和应力,通过比较不同距离处玻璃肋的最大应力和变形得到爆炸荷载的动力放大系数为1.6,可为全玻幕墙的抗爆设计提供了理论依据。

HgCdTe和HgZnTe在横向磁场中的定向凝固

用定向凝固法在横向磁场中垂直生长Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体。通过测量这些晶锭轴向和径向组分的变化,研究了磁场对该熔体中流体流动性质的影响。磁场的影响在整个外加场强范围内(即2～5kG)都是明显的。当外加上磁场时,CdTe克分子分数的轴向组分分布(用精密的密度测量结果确定)急剧下降,用红外透射和X射线能量色散光谱术测绘的径向组分分布表明:当外加上磁场时,固-液界面经历了三个阶段的演变,即:当磁场初加时,它从径向对称的一种凹形界面变成一个偏心的凹形,然后变成一种倾斜的平面,最后变成一个偏心的凹形界面。一根Hg_(0.84)Zn_(0.16)Te晶锭的轴向组分分布表明了类似的磁场效应。

对在10^(-4)g环境中淬火的Cd_(0.21)Hg_(0.79)Te的分析

一个95g的Cd_(0.21)Hg_(0.79)Te样品在10^(-4)g环境中固化。红外透射分析表明其径向和轴向均一性都比地面样品有显著改善。本文概述了这次试验及其结果。

在加速坩埚旋转条件下用移动加热器法生长Hg_（1－x）Cd_xTe单晶

加速旋转坩涡技术已用于Ｈｇ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅ的ＴＨＭ生长，以在较高速率下生长单晶。扩大界面前的对流搅拌区获得的这种较高的生长速率，可用于解释简单的组分过冷理论的某些结果。研究了几种不同的、可满足简单流体力学和几何学判据的加速坩蜗旋转技术（ＡＣＲＴ）周期。在冶金学均匀性及结构完整性这两方面对生长的晶体作了研究，结果表明，把生长速率从１．５ｍｍ／ｄ提高到８．５ｍｍ／ｄ时，其性能并无衰变。

坩埚旋转的水平移动加热器法生长Hg_（1－x）Cd_xTe

首次研究了一种水平移动加热器法（ＴＨＭ）从未充满的溶区中生长圆柱形晶体。转动安瓿使晶体的整个截面不断地与溶液接触，强迫对流使溶液得到有效的搅拌。这种方法已被用于从富碲溶区中生长Ｈｇ＿（１－ｘ）Ｃｄ＿ｘＴｅ单晶。其结构完整性和冶金学均匀性都与垂直生长的ＴＨＭ材料相当。

排除碲镉汞晶体中碲夹杂降低其位错密度的工艺研究

概述了碲镉汞晶体中碲夹杂和高密度位错的成因,并以此为依据,阐述了排除碲夹杂和降低位错密度的工艺原理和方法。工艺途径分为两步,一步是根据微区域提纯原理,排除原生MCT晶锭中的大部分碲夹杂,第二步是根据大量Hg空位形成碲沉淀的模型和位错在高温下攀移的原理,进一步排除MCT晶片中残存的碲夹杂并降低位错密度。