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带锥台托盘KH_(2)PO_(4)晶体生长与位错分布
1
作者
胡今三
李明伟
王鹏飞
《重庆大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第9期106-114,共9页
利用光学显微镜对采用锥台托盘及传统平托盘生长的晶体进行位错腐蚀观察,发现锥台托盘生长的晶体上半部分位错分布与平托盘生长的晶体相似,部分区域位错密度低于平托盘生长的晶体。对于锥台托盘生长的晶体下半部分,其柱面位错缺陷很少,...
利用光学显微镜对采用锥台托盘及传统平托盘生长的晶体进行位错腐蚀观察,发现锥台托盘生长的晶体上半部分位错分布与平托盘生长的晶体相似,部分区域位错密度低于平托盘生长的晶体。对于锥台托盘生长的晶体下半部分,其柱面位错缺陷很少,位错集中在与锥台直接接触的下锥面。下锥面的存在阻止了柱面底部新位错的形成,为柱面生长提供了更好的生长条件。硬度分析表明使用锥台托盘一定程度上提高了晶体结晶完整性。
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关键词
KDP晶体
化学腐蚀
位错
硬度检测
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职称材料
题名
带锥台托盘KH_(2)PO_(4)晶体生长与位错分布
1
作者
胡今三
李明伟
王鹏飞
机构
重庆大学能源与动力工程学院
出处
《重庆大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2022年第9期106-114,共9页
基金
国家自然科学基金资助项目(51476014)。
文摘
利用光学显微镜对采用锥台托盘及传统平托盘生长的晶体进行位错腐蚀观察,发现锥台托盘生长的晶体上半部分位错分布与平托盘生长的晶体相似,部分区域位错密度低于平托盘生长的晶体。对于锥台托盘生长的晶体下半部分,其柱面位错缺陷很少,位错集中在与锥台直接接触的下锥面。下锥面的存在阻止了柱面底部新位错的形成,为柱面生长提供了更好的生长条件。硬度分析表明使用锥台托盘一定程度上提高了晶体结晶完整性。
关键词
KDP晶体
化学腐蚀
位错
硬度检测
Keywords
KDP crystal
chemical etching
dislocation
hardness testing
分类号
O782.1 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
带锥台托盘KH_(2)PO_(4)晶体生长与位错分布
胡今三
李明伟
王鹏飞
《重庆大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2022
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