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高压IGBT在di/dt缓冲电路中的短路特性
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作者 Thomas Basler Josef Lutz +6 位作者 Thomas Bruckner Roland Jakob Piotr Sadowski Gunter Junge 魏峰(译) 李立(译) 冬青() 《电力电子》 2012年第4期20-23,共4页
di_C/dt缓冲电路中较高的开通电感使IGBT短路特性在两种短路模式下有明显的不同,由于短路开通时集电极-发射极电压的急剧减小,IGBT短路模式一中的特性变得格外重要,而且还引起V_(CE)变陡峭的去饱和过程。本文描述了该失效模式中IGBT特性... di_C/dt缓冲电路中较高的开通电感使IGBT短路特性在两种短路模式下有明显的不同,由于短路开通时集电极-发射极电压的急剧减小,IGBT短路模式一中的特性变得格外重要,而且还引起V_(CE)变陡峭的去饱和过程。本文描述了该失效模式中IGBT特性,并给出了快速检测这种失效的两种备选方案。利用大面积高压压封IGBT模块及单IGBT芯片进行验证测试。 展开更多
关键词 高压IGBT 缓冲电路 短路 特性
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