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制备工艺对超薄NiFe薄膜AMR效应的影响
被引量:
1
1
作者
胡凌桐
张万里
+1 位作者
彭斌
张文旭
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第8期26-29,35,共5页
NiFe薄膜广泛用于制作磁阻器件。本文系统研究了Ta缓冲层厚度、NiFe薄膜厚度、退火温度和退火时间对厚度小于20nm的超薄NiFe薄膜AMR效应的影响。研究结果表明:随着Ta缓冲层厚度、NiFe薄膜厚度以及退火温度的增加,AMR系数呈现先升高后降...
NiFe薄膜广泛用于制作磁阻器件。本文系统研究了Ta缓冲层厚度、NiFe薄膜厚度、退火温度和退火时间对厚度小于20nm的超薄NiFe薄膜AMR效应的影响。研究结果表明:随着Ta缓冲层厚度、NiFe薄膜厚度以及退火温度的增加,AMR系数呈现先升高后降低的变化规律。最佳的超薄NiFe薄膜AMR效应的工艺条件为,Ta缓冲层为5nm,NiFe薄膜为11nm,退火温度为350℃,退火时间为3.5h。本文工作可以支持超薄NiFe薄膜磁阻器件的开发。
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关键词
NiFe薄膜
Ta缓冲层
AMR效应
真空磁场退火
磁控溅射
超薄金属薄膜
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职称材料
题名
制备工艺对超薄NiFe薄膜AMR效应的影响
被引量:
1
1
作者
胡凌桐
张万里
彭斌
张文旭
机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第8期26-29,35,共5页
基金
国家重点研发计划项目(2017YFB0406400)
文摘
NiFe薄膜广泛用于制作磁阻器件。本文系统研究了Ta缓冲层厚度、NiFe薄膜厚度、退火温度和退火时间对厚度小于20nm的超薄NiFe薄膜AMR效应的影响。研究结果表明:随着Ta缓冲层厚度、NiFe薄膜厚度以及退火温度的增加,AMR系数呈现先升高后降低的变化规律。最佳的超薄NiFe薄膜AMR效应的工艺条件为,Ta缓冲层为5nm,NiFe薄膜为11nm,退火温度为350℃,退火时间为3.5h。本文工作可以支持超薄NiFe薄膜磁阻器件的开发。
关键词
NiFe薄膜
Ta缓冲层
AMR效应
真空磁场退火
磁控溅射
超薄金属薄膜
Keywords
NiFe thin film
Ta buffer layer
AMR effect
magnetic field annealing in vacuum
magnetron sputtering
thin metal film
分类号
TM271 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
制备工艺对超薄NiFe薄膜AMR效应的影响
胡凌桐
张万里
彭斌
张文旭
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2018
1
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