Si(111)衬底上GaN的MOCVD生长

利用LP-MOCVD在S i(111)衬底上,以高温A lN为缓冲层,分别用低温GaN(LT-GaN)和偏离化学计量比富Ga高温GaN(HT-GaN)为过渡层外延生长六方相GaN薄膜。采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD),扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和室温光致荧光光谱(RT-PL)进行分析。结果表明,有偏离化学计量比富Ga HT-GaN为过渡层生长的GaN薄膜质量和光致荧光特性均明显优于以LT-GaN为过渡层生长的GaN薄膜,得到GaN(0002)和(10ī2)的DCXRD峰,其半峰全宽(FWHM)分别为698 s和842 s,室温下的光致荧光光谱在361 nm处有一个很强的发光峰,其半峰全宽为44.3 m eV。

“工学结合”模式下的高职院校公共体育教学探索和研究

针对"工学结合"模式下的高职院校公共体育教学存在学校重视力度不够,人才培养方案不合理,教学缺乏"高""职"性,课程缺乏完整性,设施投入不足等一系列问题,提出高职院校应增强认识,制定人才培养策略;优化教师队伍,突出教学"高""职"性;搭建多种平台,保持体育课程完整性;加大经费投入,完善体育教学设施;拓宽内外机制,建立体育公共课程评价体系等建议和对策,希望能为"工学结合"模式下的各个高等职业院校的公共体育教学提供借鉴.

论高校体育养成教育在素质教育中的作用

体育养成教育本身不仅仅是体育教育,它涵盖了养成教育、素质教育、道德情操教育等方面,在对学生的综合素质培养当中发挥出重要的作用。本文从养成教育的概念推开,对体育养成教育的特点、在素质教育中的作用,以及作用的发挥需要依托的手段进行了重点论述。

高黏度齿轮泵运行与结构参数对泵内压力场影响

为解决高黏度齿轮泵普遍存在的噪声、寿命短等问题,针对影响泵内部压力场变化的因素进行研究,包括运行参数:介质黏度、转速、输出压力,结构参数:齿数。与普通齿轮泵相比,高黏度泵泄漏影响减弱,但困油现象引起的径向力不平衡、噪声高、寿命低的问题更加突出。通过CFD方法对高黏度齿轮泵输送介质过程中内部压力场进行全程模拟。结果表明:困油处压力变化范围随着介质动力黏度的增加而升高,升高速率与动力黏度呈指数关系,当动力黏度为3 Pa·s时,升高速率为70 MPa/s,动力黏度为30 Pa·s时,升高速率达到877 MPa/s;转速、输出压力与齿数的增加对泵内压力整体影响较小,但会引起困油处压力的迅速升高。“困油”问题是高黏度齿轮泵优化设计需要考虑的关键因素,合理增加卸荷槽尺寸、降低转速与出口压力、减小齿数是解决高黏度齿轮泵困油问题的有效途径。

非语言沟通在体育教学中的运用

21世纪的体育教学模式面临着巨大的变化,主动的、终身的以及互动的体育行为将取代传统体育理念,这就要求教师与学生之间建立良好的沟通关系。本文积极倡导在体育教学中要适当地运用非语言沟通,并就非语言沟通的主要方式及其在体育教学中的重要作用及教师在运用非语言沟通时应注意的问题进行了重点论述。

职业院校体育教育应注重对学生身心素质的培养

本文通过在体育教育观念的转变、教学计划和学生学习评价的制定、课堂教学的培养等几个方面就如何加强学生身心素质的培养进行了探讨。

我国体育营销的现状与策略分析

20世纪80～90年代以来,体育营销逐渐走入人们的视野,尤其是伴随电视、网络等媒体技术的日新月异,这种新型营销模式正在突飞猛进地发展。就我国体育营销的发展而言,随着奥运会、亚运会等大型体育赛事的举办,体育营销的模式逐渐深入人心,并在不到20年的时间内取得了举世瞩目的成就。然而,体育营销定位、创新机制、管理体系和人才培育等诸多方面还存在弊端,这就要求我国必须高度重视体育营销在推动现代体育事业中的重要性,集中力量朝着可持续性、长期性和专业化的方向发展。

Si(111)衬底上生长的GaN的形貌与AlN缓冲层生长温度的关系

利用LP-MOCVD技术在Si(111)衬底上,用不同温度生长AlN缓冲层,再在缓冲层上外延GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)技术和扫描电子显微镜(SEM)分析这些样品,比较缓冲层生长温度对缓冲层和外延层的影响,并提出利用动力学模型解释这种温度的影响.进一步解释了GaN外延层表面形貌中“凹坑”的形成及“凹坑”与缓冲层生长温度的关系.结果表明,温度的高低通过影响缓冲层初始成核密度和成核尺寸来影响外延层表面形貌.

Ni/ITO与p型GaN的欧姆接触

通过环形传输线方法(CTLM),电流-电压(I-V)曲线、光学透过率、表面形貌等手段,研究了N i层厚度和N i层的高温退火对N i/ITO与p型氮化镓接触特性的影响,探讨了N i/ITO-p-GaN欧姆接触的形成机制,提出了低温氧化N i金属层的方法。获得接触电阻率(cρ)小于9.5×10-5Ω.cm2,透过率达到74%(470 nm)的N i/ITO-p-GaN电极。

双缓冲层法在硅上外延生长GaN研究

利用金属有机物化学金相沉积MOCVD在Si(111)衬底上,以高温AlN和低温GaN为缓冲层生长的GaN薄膜,得到GaN(0 0 0 2 )和(10-12 )的双晶X射线衍射(DCXRD)半高宽(FWHM )分别为72 1和840s。采用高分辨率DCXRD ,扫描电子显微镜(SEM )分析。结果表明,以10 40℃生长的AlN缓冲层能防止Ga与Si反应形成无定形的Si Ga结构,是后续生长的“模板”。低温的GaN缓冲层可有效减低外延层的缺陷。DCXRD测得的FWHM为0 .2 1,GaN峰强达7K。

过渡层结构和生长工艺条件对S i基G aN的影响

为了提高MOCVD外延硅基GaN材料的质量,在硅(111)衬底上以HT-A lN为缓冲层,在缓冲层上再生长变组份过渡层后外延生长GaN。过渡层为多层复合结构,分为高温变组分A lGaN、GaN、低温A lN、高温变组分A lGaN。在高温生长A lGaN和GaN层中插入一层低温生长A lN以缓解降温过程中应力对厚GaN层的影响,为了缓慢释放热应力、采用合适的慢降温工艺。当外延层的厚度小于1.7微米时GaN外延层无龟裂,而厚度不断增加时,GaN外延层产生龟裂。本文研究了A lN缓冲层生长温度、高温变组分A lGaN生长过程中生长时间的变化对所生长GaN材料的影响。采用三维视频显微镜、高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和室温光致荧光光谱(RT-PL)对样品进行了测试分析。测试结果表明所研制的硅基GaN表面光亮、平整,过渡层的引入有利于降低外延层中应力,提高GaN结晶质量。

向列相热致性液晶82832微驱动效果研究

由于温度直接影响液晶材料的黏弹性与介电系数,进而影响驱动性能,有必要对其进行深入研究。以新型热致性液晶材料82832为研究对象,通过DSC试验确定其呈现液晶相的温度为48~118℃。以50、60、70℃为驱动温度,以扭转角0°、45°及90°为基本变量,对82832的驱动性能进行大量试验研究。结果表明:驱动速度随驱动电压的增大而增加,温度为60℃、扭转角为0°时,驱动速度得到最大值;通过改变所施加的驱动电压频率,对驱动效果进行再次验证,得到最佳驱动温度为60℃、最佳驱动频率为10 Hz。在前期研究基础上建立液晶82832数值研究的计算模型并进行理论计算,结果与试验结果吻合较好。研究结果为液晶引流微驱动方式的应用提供参考。

中专体育教学改革对策研究

本文通过对目前中专体育教学工作中存在的一些课程指导纲要滞后、教育模式陈旧等问题进行分析,提出了以生为本的教育理念、提高教师业务水平、改革教学大纲、改善成绩评价体系、提高学生综合素质以及提高体育设施的保障水平等改革对策措施,实现新时期中专体育教学的培养目标。

LED专利最新态势分析

半导体照明技术与应用市场的发展有着极其紧密的联系。技术的发展程度制约着应用市场的拓展。同样应用市场的变化也影响着技术的发展和转移方式。LED专利授权及纠纷等专利事件的变化就明确反映出了这种联系。随着LED应用的快速发展。围绕LED的专利授权及纠纷等专利事件也发生了新的变化、呈现出新的特点。这些变化既受到半导体照明产业发展的影响。也影响着产业的发展速度和方式。

高粘度齿轮泵结构与运行参数优化研究

运用计算流体动力学(CFD)数值模拟方法,对决定高粘度齿轮泵性能的两类参数的影响与优化进行研究,泵体结构参数中齿数与卸荷槽的尺寸对泵的内部压力场变化影响较大,尤其是困油区域,可以结合介质粘度参数对其进行优化;泵运行参数中介质温度对泵性能的影响较小,泵的输入转速与输出压力的提高都会导致泵内部压力场的变化,正比提高泵内部尤其是困油区域的压力数值,因此,高粘度齿轮泵适合的工况为低速轻载小功率。研究结果可为高粘度齿轮泵的优化设计提供理论支持。

GaN外延薄膜的研究进展

首先回顾GaN外延薄膜生长工艺。然后综述了高质量GaN外延薄膜生长技术的最新重要进展，主要的新技术有：横向外延生长技术；柔性衬底技术；多缓冲层技术；短周期超晶格（SPS）技术；沟道接触结技术以及四组分AlInGaN合金技术，最后对GaN外延薄膜生长技术的发展方向及应用前景提出了展望。

Si（111）衬底GaN的MOCVD生长研究

利用LP—MOCVD在Si（111）衬底上,以高温AIN为缓冲层,分别用低温GaN（LT—GaN）和偏离化学计量比富Ga高温GaN（HT—GaN）为过渡层外延生长六方相GaN薄膜。采用高分辨率双晶X射线衍射（DCXRD），扫描电子显微镜（SEM），原子力显微镜（AFM）和光致荧光光谱（PL）进行分析，结果表明，有偏离化学计量比富Ga HT—GaN为过渡层生长的GaN薄膜质量明显优干以HT—GaN为过渡层生长的GaN薄膜，得到GaN（0002）和（10—12）的DCXRD半高宽（FWHM）分别为698s和842s。