基于全集成自提取结终端隔离BCD新工艺的场致发光高压驱动芯片

本文提出可集成自提取结终端的0135Lm 150V-BCD(双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体)全套新型高压工艺.利用此工艺研制出100V场致发光用高低侧驱动芯片,并提出了基于双极器件BC(双极集电极)结短路自提取结终端新工艺与新结构,既可满足场致发光高压驱动芯片应用,又能取代传统采用氧化扩散工艺的P-ISO(P型隔离结构)传统隔离结构,显著简化了工艺和提高了芯片的高集成度,确保片内集成的低电阻率VDNMOS/LDPMOS(N型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管/P型横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)高压驱动模块与低压逻辑控制模块在100V高压脉冲交替工作状况下无负电位、EMMI(微光显微镜)等寄生现象出现.

一种基于DALI通信电路的设计

介绍目前用于智能照明系统的数字可寻址照明接口(DALI)协议,重点介绍了该协议的通信电路组成及软件设计方法。针对智能照明控制系统,提出一种采用单片机设计的DALI协议通信电路,给出了具体通信电路的硬件设计,以及一种高可靠的DALI协议通信的软件设计方法。通过对整体通信电路的常温、高温测试验证,结果达到了设计要求。该电路设计思想可以应用在符合DALI通信协议标准的各种主从控单元中,程序设计思想可以方便移植到其他单片机上。该方案简单实用,可以进一步推广应用,是一种实现低成本、高可靠的DALI协议通信解决方案。

多晶硅发射极微波功率管的三维热电耦合模型

文章结合双层多晶硅发射极双极型微波功率管器件结构,采用步内建模法,首次建立了三维热电耦合模型,并进行了直流稳态模拟。模拟结果表明,新的三维热电耦合模型可准确预测功率管结温的均匀状况。与单子胞器件C1相比,多子胞器件C2的中心区域结温变化平缓,结温温度约为390K,比单子胞器件C1的结温温度下降约10K。此外,低热传导率的深槽结构有效地切断了相邻子胞之间的热电耦合效果,器件C2热源区与场氧区的温度差比器件C1大20K。因此,三维热电耦合模型对研制出高可靠性的双极型微波功率管提供了合理的理论依据。

新一代GaN基DC/DC Buck电源模块测试与分析

文中对宜普电源转换公司（EPC）Buck转换器EPC9107进行参数测试与分析。测试结果表明,当EPC9107电源模块工作于开关频率1000 kHz、宽幅输入电压12-28 V时,输出电压恒定3.3 V,输出电流约为0-16 A,效率最高约为96.1%,功率密度约为14 W·cm^-3,转换时间小于4 ns,具有良好的抗干扰度和瞬态响应,纹波小于20 mV。该模块的整体性能均优于当前硅基DC/DC电源模块。