流动注射-邻菲啰啉协同催化化学发光法测定痕量的铜

本文拟订了邻菲啰啉-CTMAB-H_2O_2-Co(Ⅱ)-Cu(Ⅱ)协同催化化学发光体系流动注射测定痕量Cu(Ⅱ)的新方法。方法的检出限为8×10^(-12)g/ml Cu(Ⅱ),线性范围为1×10^(-10)-4×10^(-8)g/ml Cu(Ⅱ),相对标准偏差为0.9％分析速度为160样/小时。本法用于头发和水样中Cu(Ⅱ)的测定取得了满意的结果。

流动注射法茜素紫化学发光体系测定钴

本文提出并研究了流动注射法对茜素紫-CTMAB-H_2O_2化学发光体系测定痕量Co(Ⅱ)的方法,应用于人发中痕量钴的测定,取得了满意的结果。本法有很高的选择I生和灵敏度。线性范围是0.02—60μg/L,检出限为0.0032μg/L,分析速度可达500个样/h。对于10μg/L Co(Ⅱ)的测定,相对标准偏差为0.27％。

共挤保护膜研究概况

介绍了共挤保护膜的特点及国外发展现状以及共挤保护膜所用基材种类及特点,压敏胶主要成分及作用。