取向硅钢用特种氧化镁的应用研究

采用XRD、SEM和激光粒度仪等手段,观察并研究了不同特性氧化镁在硅钢表面形成硅酸镁底层形貌特点,并结合热力学和差热-失重分析了MgO-SiO2的反应机理。研究结果表明:粒度小,活性值高的特种氧化镁在高温退火过程中与基体表面氧化物生成的硅酸镁底层,界面中硅酸镁底层嵌入基体较多,表面致密,颗粒细小,有利于形成附着性能优良的硅酸镁底层。

高磁感取向硅钢表面处理对铁芯损耗的影响

为了进一步降低趋向硅钢铁损,研究了表面处理对取向硅钢铁芯损耗的影响,采用铁损分离的方法研究了磁滞损耗和异常涡流的变化规律。结果表明:取向硅钢经抛光处理,激光刻痕和PVD制备的高张力涂层复合作用铁芯损耗下降22%以上,其中表面抛光使得磁滞损耗下降28%左右,但异常涡流损耗上升15%左右,进一步采用刻痕和陶瓷涂层细化磁畴工艺处理,磁滞损耗上升5%,异常涡流损耗下降40%左右。

超临界流体干燥技术制备NiO-SiO_2二元纳米材料及其结构特征

简要介绍了超临界流体干燥技术的发展及其基本原理,着重阐述了采用溶胶一凝胶(sol—gel)法和超临界流体干燥技术制得的NiO—SiO2二元纳米材料的组成对其结构的影响规律。用比表面与孔隙度分析仪、TEM等分析手段研究了这种复合材料的结构特性。结果发现:在NiO—SiO2二元纳米材料中,随着NiO含量的不断提高,二元纳米材料的比表面积和孔体积不断减小,而堆密度和孔尺寸不断变大,同时显微形貌由纤维放射状、束状变为椭圆状并逐渐过渡到颗粒更大的圆球状。

氮化硅张力涂层对取向硅钢性能的影响

采用反应磁控溅射技术在取向硅钢片表面制备了氮化硅(Si3N4)张力涂层。通过实验研究反应磁控溅射时间、高温退火温度和实验气氛对硅钢铁损以及涂层附着性的影响。研究表明,反应磁控溅射技术在硅钢表面溅射氮化硅张力涂层可有效的降低硅钢的铁损,且各种工艺条件对硅钢的铁损和涂层的附着性影响很大。在氮气和氩气气氛中,经过5min反应磁控溅射氮化硅,然后在氢气和氮气的气氛中,820℃下进行高温退火时,取向硅钢的铁损可降低18%。

抑制剂和点阵畸变对取向电工钢的再结晶织构的影响

利用X-射线衍射技术研究了Fe-3%Si取向电工钢中的铌含量-点阵畸变-织构三者之间的关系。结果表明,在一定的范围内,随着铌含量的增加,再结晶退火前的钢板内高斯晶粒的点阵畸变增加,再结晶退火后的高斯织构也相应增加,抑制剂是通过影响形变基体的微观应变而影响取向电工钢的再结晶织构的。

氧化镁及其添加剂对取向硅钢成品的影响

详细介绍了对于取向硅钢高温退火隔离剂用氧化镁的性能要求,以及氧化镁涂液中的添加剂和添加元素对高温退火过程中硅酸镁玻璃膜底层的形成、二次再结晶和对最终成品磁性的影响。

电沉积涂层对取向硅钢性能的影响

研究电沉积烧结使表面获得含有微量Y2O3的Al2O3涂层对取向硅钢性能的影响,结果发现,电沉积30s烧结温度800℃烧结时间5min的取向硅钢试样在15mm的圆棒上弯曲后张力涂层没有出现开裂,薄膜完好无损,依然结合致密、均匀无裂纹。间接地证明了含稀有元素Y的氧化物薄膜产生了“活性元素效应”,提高了氧化物涂层的附着性。

钢包渣线浇注料基质组成及其抗渣性

采用特级高铝矾土熟料和电熔镁砂为主要原料，研究了Al2O3-MgO系浇注料中MgO/Al2O3质量比对浇注料基本性能的影响，并分析对比了基质中添加适量工业氧化格、镁锆合成料及矾土尖晶石对浇注料抗渣性的影响及其规律。结果表明：恰当控制基质中MgO/Al2O3质量比及在基质中添加适量的工业氧化铬等组分，可明显提高浇注料的抗渣性。

取向电工钢的单片测量方法

对取向电工钢的两种单片测量方法的由来及差异进行了分析,提出直接感应试样磁场强度的H线圈法由于规避了有效磁路长度的影响,是一种可靠的替代方法。对比试验结果表明:使用H线圈法测量的比总损耗、比视在功率等磁性能明显低于使用GB/T 13789-2008推荐采用的SST(92)法测量的,且两者之间的测量偏差与试样材料、厚度、测量条件等显著相关;通常情况下,在工频和磁极化强度为1.5～1.7T的条件下,H线圈法测量的比总损耗相比SST(92)法测量的低5%～8%,比视在功率低10%～20%。

退火条件对取向硅钢脱碳效果的影响

通过对取向硅钢脱碳退火的实验研究,比较退火气氛、退火温度和退火时间对取向硅钢脱碳效果的影响。结果表明,在退火温度830℃、保护气氛氢浓度为25%条件下退火3 min,保护气氛露点为40.0、42.5、45.0和47.5℃时,试样碳含量分别为33.2×10-6、26.7×10-6、6.3×10-6和62.8×10-6。在退火温度830℃、保护气氛露点为45℃的条件下退火3 min,保护气氛氢气浓度为10%、25%、40%和55%时,试样碳含量分别为298.0×10-6、6.3×10-6、30.0×10-6和26.5×10-6。在保护气氛露点为45℃、氢气浓度25%的条件下退火2.5 min,退火温度为790、810、830、850和870℃时,试样碳含量分别为195.0×10-6、126.0×10-6、10.1×10-6、52.0×10-6和26.0×10-6。在退火温度830℃、保护气氛氢浓度为25%、保护气氛露点为45℃的条件下,脱碳效果最好。脱碳退火时,试样表面生成的氧化物影响H2O、H2和CO等在炉内气氛和脱碳反应界面间的扩散,这是导致试样碳含量随水氢分压比呈"U"型分布的主要原因。退火温度升高,一方面导致试样再结晶速度增快,基体内位错密度下降加快;另一方面导致碳沿晶内和位错扩散系数增大。这是导致试样碳含量随温度呈反"N"型分布的主要原因。

从能源发展谈我国电工钢产业战略思路

电力能源是一个国家经济建设和人民生活的重要支撑,也是电工钢产业发展所需的根本.本文重点围绕能源发展、未来用电需求及结构变化,对高端电工钢需求增长、我国电工钢产业发展过程及今后战略思路等方面进行了分析及展望.

取向硅钢绝缘涂层绝缘性能影响因素分析

绝缘性能是取向硅钢的一个重要指标,本文研究了涂层烧结温度、涂液中硅溶胶含量、绝缘涂层涂敷量对取向硅钢绝缘性能的影响.研究发现:烧结温度升高,涂层表面逐渐出现微观裂纹,钢板表面在850℃下烧结时出现裂纹,退火温度达到900℃后,涂层表面裂纹会急剧增加,导致涂层绝缘性降低.在相同烧结温度下,提高涂液中SiO2含量,将导致涂层表面出现微观裂纹,不利于涂层的绝缘性能.在相同烧结温度下,提高绝缘涂层的涂敷量,有利于提高钢板的层间电阻.在烧结温度为850℃,涂敷量为6 g/m2时,钢板层间电阻可达到82.6Ω·cm2.

铬酐在取向硅钢张力涂层成膜中的作用研究

通过设计试验研究方案,并运用XPS、XRD、TG-DSC及FE-SEM等分析检测技术,对铬酐在取向硅钢张力涂层中的作用机理进行了系统性分析研究。结果表明:向张力涂层配料中添加铬酐,在升温固化初始阶段,可利用铬酐低熔点的特点,有助于形成凝胶状膜类物质;在高温固结阶段,通过铬酐自身发生氧化还原反应生成的三价铬骨架结构,同时由磷酸盐和二氧化硅等小分子成膜物填充其间,可减少涂层微孔结构,增加涂层成膜致密性;张力涂层与硅酸镁底层一起对铁基体施加张应力作用,从而细化磁畴,大幅降低硅钢片铁损。

高温环型炉温度场对取向硅钢磁性能影响的研究

利用环型炉温度场模型,对取向硅钢环型炉高温退火的温度场分布情况进行了研究,探讨了高温环型炉退火工艺对取向硅钢性能的影响.结果表明:环型炉内钢卷升温阶段温度差异明显,影响取向硅钢的二次再结晶过程,进而造成取向硅钢磁性能水平的差异.

无取向硅钢应用于风力发电机的损耗分析

以低速大转矩的风力发电机为研究对象,针对电机选用不同硅钢材料进行电磁仿真分析,研究不同规格硅钢片在同一电机模型中的性能差异,并采用铁损分离方法分析了不同规格硅钢材料的损耗特性。结果表明,针对风力发电机较低工作频率的使用要求,选用较低磁滞损耗的材料,可获得更佳的电机性能。

铌对取向电工钢冷轧板550℃退火织构的影响

用X-射线织构和微结构分析技术研究了Nb含量对Fe_3%Si取向电工钢冷轧板550℃退火织构的影响。结果表明,随着Nb含量的增加,形变<111>//ND织构和<uuw>//ND织构增强;并且经过550℃热处理后,这些织构组分明显增强。这种在回复后出现的织构变化可以解释为位错的重新排列和消失。

取向硅钢底层结构对表层附着性的影响

通过对附着性较好和附着性较差的取向硅钢的微观形貌和成分分布进行对比,研究了取向硅钢的底层结构对附着性的影响.结果表明:取向硅钢底层主要分为绝缘涂层和硅酸镁玻璃层(部分硅酸镁底层深入基体形成钉扎),硅酸镁玻璃层和磷酸盐绝缘涂层没有明显的过渡层以及相互融合的区域;取向硅钢附着力的主要来源应为硅酸镁底层与钢基之间的机械作用,附着性的好坏主要由硅酸镁底层的结构来决定;良好的附着性需要致密的硅酸镁底层并且搭配大颗粒的钉扎,钉扎分布的位置靠近硅酸镁底层,形成"半岛状"钉扎.底层中镁铝尖晶石应分布在钉扎中.

磁畴结构对取向硅钢磁致伸缩的影响

本文概述了取向硅钢磁致伸缩的影响因素,采用交直流磁性测量仪、磁致伸缩测试仪和磁畴观察仪等手段研究了磁感应强度和磁畴结构对取向硅钢磁致伸缩的影响.结果表明:磁畴结构中主畴偏离角直接影响负的最大磁致伸缩,而锲形畴则对饱和磁致伸缩有显著影响,通过激光刻痕可以减少锲形畴,降低磁致伸缩.

取向硅钢高温退火炉内罩内钢卷温度均匀化仿真分析

采用FLUENT仿真软件对环形炉炉膛模型、单个内罩模型、温度优化模型进行仿真模拟,研究内罩内温度分布情况,提出温度均匀性改进方案并进行试验验证.结果表明:在钢卷底座侧叠加隔热材料对钢卷顶底温差和磁性均匀性有改善作用,为取向硅钢磁性改善提供支撑.

电解-ICP-AES法测定取向硅钢脱碳退火板氧化层中SiO_2含量

探讨了采用电解-ICP-AES法测定取向硅钢脱碳退火板氧化层中SiO_2含量的方法。通过红外吸收光谱分析,可知电解能有效提取试样氧化层中的SiO_2。试验不同电解时间对测定结果的影响,确定了最佳电解时间为4 h。在优化条件下,对2组试样进行测量,测得氧化层中w(SiO_2)的平均值为0.098%和0.087%,其R SD分别为4.29%和4.90%,均小于5%,能较好地满足分析要求。