GaN功率器件的驱动及控制策略研究

氮化镓(GaN)功率器件作为典型的第三代半导体器件,相比于传统的硅(Si)器件,在导通电阻和栅极电荷上更具优势,可使功率转换器体积更小、频率及效率更高,因而被广泛应用在高频开关电源,以及民用、工业、通信等领域,具有广阔的应用前景。然而,Ga N功率器件在实际应用中,存在驱动电压范围窄、阈值低的不足,易导致驱动误通、栅极击穿等问题。基于此,文章研究了Ga N功率器件变换器拓扑结构的选择,以及适用于Ga N功率器件的驱动及控制策略,可为Ga N功率器件在高频开关电源中的应用设计合适的驱动电路,以确保其在实际应用中的可靠性和稳定性。

应用于高频开关电源GaN功率器件动态特性表征技术研究

电源在所有电子电气设备中起着非常重要的作用,随着科技的不断进步,人们对于电源的相关需求越来越高,并逐渐向着高频化、高功率密度、小型化和节能的方向发展。功率半导体器件是开关电源技术的核心器件,对实现开关电源高频化、小型化发展趋势尤为重要,其中第三代半导体GaN功率器件的出现,将进一步助力这一趋势的发展,符合当下人们的消费需求。本文主要研究应用于高频开关电源中的GaN器件动态特性表征技术,希望对以后从事开关电源设计方面工作的工程师给予较好的借鉴。