高可靠大功率1．3μm发光二极管

把１．３μｍ波长分段吸收式脊形波导结构发光二极管进行不同温度的加速老化寿命试验，共测试２４８５００器件小时。该器件在２５℃、１５０ｍＡＣＷ的平均寿命为１．２×１０６ｈ，其退化激活能Ｅａ＝０．４８ｅＶ；与标准单模光纤耦合后，在２５℃、１００ｍＡ下的光功率大于３０μＷ，最大可大于５０μＷ。

长波长量子阱LD的实用化研究

长波长量子阱ＬＤ的实用化研究李同宁，刘涛，金锦炎，丁国庆，郭建委，胡常炎，吴桐，李明娟，赵俊英，魏泽民（武汉电信器件公司）近十年来，ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ、ＣＢＥ工艺研究在半导体超薄层材料制备行业中非常活跃。国际上长波长多量子阱激光器件多采用ＭＯＣＶＤ工...

高可靠1.3μm InGaAsP/InP激光二极管

用一次液相外延及自对准制管技术精心制作出了可靠性很高的脊形波导（ＲＷＧ）激光器。其阈值电流的一致性好、远场特性好，用标准单模光纤耦合功率Ｐｆ（Ｉｔｈ＋２０ｍＡ）的典型值为１．５ｍＷ。它的制作工艺用了自对准技术使得工艺较为简单，重复性好、成品率高。由于只用一次液相外延且在工艺制作中没有破坏有源层，它具有比掩埋型（ＢＨ）激光器高得多的可靠性，经过加速老化寿命试验，得到了环境温度为２５℃，１００ｍＡ、ＣＷ条件下的寿命（ＭＴＴＦ）为１．０３ｘ１０~６ｈ，其退化激活能Ｅａ＝０．５４３ｅＶ。

脊形波导大功率发光二极管

采用自对准工艺制作的分段吸收式脊形波导结构发光二极管，在出光面蒸镀λ／４介质增速膜，以增大器件的自发辐射分量，增大器件耦合效率。光束发散角小。用标准单模光纤耦合后，在２５℃、１００ｍＡ下的光功率大于２０μｗ，最大可达５０μｗ。用７０支器件在５０、８０、１２０℃及１５０ｍＡＣＷ条件下进行加速老化寿命试验，在测试３５５０ｈ后，共计２４８５００器件小时，没有一支器件失效，器件性能稳定可靠。用测试结果可计算出ＲＷＧＬＥＤ的２５℃、１５０ｍＡＣＷ的平均寿命为１．２×１０６ｈ，其退化激活能Ｅα＝０．４８ｅＶ。

1．3μm波长InGaAsP／InP脊形波导激光器

本文介绍用一次液相外延制备五层结构的晶体材料及自对准的工艺方法研制成功的１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ脊形波导（ＲＷＧ）结构的激光器。用有源区向上的装架方式，在２５℃时，激光器最小连续波（ＣＷ）阈值电流为２３ｍＡ，且均匀性较好；最大单面光电转换效率为０．１８ｍＷ／ｍＡ；在６５℃的环境温度下其最大发射功率仍大于１０ｍＷ；用标准单模光纤耦合，２５℃下阈值电流为２０ｍＡ的入纤光功率大于１．５ｍＷ。

1．3μm InGaAsP／InP RWG型激光器的可靠性

通过对１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰＲＷＧ型激光器的加速老化寿命试验，证明了此种结构激光器的可靠性，它在环境温度为５０℃、１００ｍＡＣＷ及环境温度为８０℃、１００ｍＡＣＷ的条件下加速老化，经过３２２０ｈ的实际测试共计１９３２００器件小时，在测试过程中没有一支器件失效。在这样的条件下其５０℃下的外推寿命ＭＴＴＦ为２０万ｈ，其统计标准偏差为σ＝１．０１６；８０℃下的外推寿命ＭＴＴＦ为３．８万ｈ，其统计标准偏差为σ＝０．８０４，从而推算出该结构激光器的退化激活能Ｅａ＝０．５４３ｅＶ，其２５℃下的寿命ＭＴＴＦ为１０３万ｈ。