医用一次性防护服阻传染因子穿透性能评价

目的:对医用一次性防护服的阻传染因子穿透性能进行评价,为GB 19082修订时该类性能指标的设置提供数据支持。方法:选择10批不同品牌型号的防护服,分别按照YY/T 0700—2008、YY/T 0689—2008、YY/T 0506.6—2009、GB 19082—2009、YY/T 0506.5—2009和YY/T 1799—2020规定的方法进行抗合成血穿透、抗噬菌体穿透、阻湿态微生物穿透、颗粒过滤效率、阻干态微生物和阻污染液体气溶胶穿透实验。结果:10批次防护服中抗合成血穿透性能级别为2级、3级、4级、5级和6级的防护服各2批;抗合成血穿透性能为2级、3级、4级、5级和6级的防护服阻湿态微生物穿透性能均为最高级别6级,部分防护服抗噬菌体穿透性能级别低于抗合成血穿透性能级别;所有防护服样品颗粒过滤效率均较高(>95%),阻干态微生物穿透性能均为最高级3级;10批防护服中有5批阻污染液体气溶胶穿透性能为最高级3级,1批为2级,其余4批无法进行级别判定,但穿透后平均对数降低值均>4.5。结论:颗粒过滤效率和抗噬菌体穿透可作为GB 19082修订后的阻传染因子穿透性能要求,用于评价防护服材料对空气颗粒物和液体污染物中的微生物阻隔能力。

沉积-扩散法制取Fe—6.5%Si薄板的织构研究

采用沉积-扩散法，将同步冷轧和异步冷轧的Fe-3％Si薄板渗成Si含量接近6．5％的高硅钢薄板.利用X射线衍射技术测定了渗Si样品的结构和Si含量，分析了不同工艺阶段作品的织构特征。研究结果表明，具有典型冷轧织构的Fe—3％Si薄板，渗Si后形成以｛120｝〈001〉组分为主的η纤维织构，冷轧织构略有残留；经均匀化退火后，冷轧织构完全消失，在同步冷轧样品中｛120｝〈001〉组分有向｛130｝〈001〉组分转化的趋势，而异步冷轧样品其｛120｝〈001〉组分进一步增强。

CVD法制取Fe-6-5% Si薄板的扩散工艺计算机模拟

在分析 Ｃ Ｖ Ｄ 法渗 Ｓｉ 制备 Ｆｅ６５ ％ Ｓｉ 合金薄板的实际工艺要求基础上，择定了母材的 Ｓｉ含量、扩散温度及气氛浓度·利用计算机模拟研究了在所确定条件下对一定厚度样品实施单步扩散和两步扩散的最佳处理工艺·模拟计算结果与实验符合较好·

快凝速度对淬态Fe-6.5%Si薄带织构的影响

用快凝的方法以不同的冷凝速度制备了Ｆｅ－６．５％Ｓｉ薄带。研究了快凝速度对制备态薄带晶粒取向的影响，研究结果表明，凝速较慢时样品为（００１）面织构，随冷速的增高，织构减弱。

快凝Fe—3%Si薄带的织构及重位晶界特征分布的研究

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CaO和NaCl焙烧混合稀土精矿过程中的分解反应

用XRD和TG DTA热分析技术,研究了含独居石和氟碳铈镧矿的混合稀土精矿在100～1000℃焙烧过程中,添加CaO,NaCl时,REPO4和REFCO3的分解反应。研究结果表明:不添加CaO和NaCl时,仅在377～450℃范围内存在REFCO3的分解反应,其产物是REOF,RE2O3,以及Ce2O3进一步的氧化产物CeO2,而REPO4不分解;添加CaO后在660～750℃之间,CaO有3种分解作用:(1)CaO分解REPO4,其产物是RE2O3和Ca3(PO4)2。(2)CaO分解REOF,其产物是RE2O3和CaF2。(3)CaO和REOF的分解产物CaF2共同作用分解REPO4,其分解产物为RE2O3,Ca5F(PO4)3;添加CaO,NaCl后,混合精矿的分解率明显提高,NaCl的作用是为反应体系提供了液相,促进了固相反应物间的传质过程,加快了反应速度。与此同时NaCl还可能参加了CaO分解REPO4的反应。

CaO-NaCl体系焙烧混合稀土精矿的研究

采用TG-DTA热分析技术研究CaO-NaCl体系焙烧混合稀土精矿的分解过程。结果表明:添加CaO-NaCl后,混合稀土精矿的分解过程分为两个阶段,第一阶段在405℃～498℃区间主要是氟碳铈矿的分解,第二阶段在670℃～730℃区间主要是CaO和矿物中的CaCO3分解独居石和稀土氟氧化物。并选择了焙烧温度、CaO加入量、NaCl加入量为影响因素,用二次正交回归实验设计方法研究了混合稀土精矿分解率随三因素而变化的规律,得出了相应的回归方程。通过分析讨论,得到了CaO-NaCl体系焙烧混合稀土精矿的合理工艺条件:温度780℃、CaO加入量15%(质量分数)、NaCl加入量10%(质量分数)。

立方织构Cu-Ni基带及缓冲层的研究

系统研究了Cu Ni合金基带和纯Ni基带的织构形成及转变规律 ,重复地获得了稳定的再结晶 { 0 0 1}<10 0 >立方织构。用表面氧化外延 (SOE)法生成了NiO(2 0 0 )薄膜。轧制总加工率、轧制道次和轧制方向对轧制织构的形成起主要作用 ;再结晶温度、时间是立方织构形成的主要影响因素。在获得了强立方织构Cu Ni合金基底上(其中Φ扫描曲线的半高宽 (FWHM)≤ 10°) ,通过SOE方法得到了取向良好NiO(2 0 0 )

高弹钛合金板材的织构与弹性各向异性

采用X射线衍射分析技术 ,探讨了六方晶系合金板材弹性模量的计算方法。经不同退火工艺 (850～1 0 50℃ )的合金板材 ,其织构由 { 1 1 2 0 } (1 0 1 0 )转向 { 1 0 1 0 } (0 0 0 1 ) +{ 1 0 1 3}(0 0 0 1 )双重织构 ,对应的轧向弹性模量由 1 0 7 7GPa变为 1 33 2GPa,该结果与实测值相吻合。

镍电极材料层错结构的X射线衍射分析

β -Ni(OH) 2 的X射线衍射谱的基本特征是衍射线的选择宽化 ,它与晶粒内部的微结构特性如微晶尺寸参数和层错缺陷结构等有关。通过镍电极材料的全谱X射线分析区分这些微结构特性、测定层错概率 。

织构钛合金轧板定量相分析

利用谐分析法所计算的全极图 ,结合X射线衍射所测不全极图数据 ,用极图法计算了轧制钛合金板材的相比例。极图法能校正织构对钛合金定量相分析的干扰。

X射线三轴晶衍射法测量半绝缘GaAs单晶的化学配比

采用 X射线三轴晶衍射法 ,根据 As间隙原子对作为过量 As在 Ga As单晶材料中存在的主要形式的模型 ,可以无损、高精度测量半绝缘 Ga As单晶的化学配比 .并探讨了引起晶格变化的原因及其与熔体组分的关系 ,对于制备高质量 Ga As单晶及其光电器件具有重要的意义 .

GaAs高温退火过程中热应力对晶体缺陷的影响

用X射线衍射技术分析在高温退火过程中GaAs晶片和石墨接触区域的热应力对晶体缺陷的影响 .结果表明 :在高温退火条件下 ,GaAs晶体与石墨接触区域散热不均匀造成的热应力 ,致使该区域范性形变 ,从而产生高密度的位错 .GaAs晶体中的刃型位错受热应力作用向垂直滑移面的平面移动 ,聚集后可形成小角晶界 。

Si/SiGe/Si-SOI异质结构的同步辐射双晶貌相术和高分辨三轴晶X射线衍射

运用同步辐射双晶貌相术结合高分辨三轴晶X射线衍射对经原位低温热处理的Si/SiGe/Si SOI异质结构进行研究,发现Si层(004)衍射峰两侧半高宽(FWHMs)处同步辐射双晶形貌像特征存在明显差异.对同步辐射双晶摇摆曲线中Si层(004)衍射峰的不对称性给予了解释,同时阐明了高分辨三轴晶X射线衍射2θω扫描曲线中Si层(004)衍射双峰与Si层衍射结构的对应关系.

电子背散射衍射系统的研制和改进

电子背散射衍射装置是获取材料的亚微米的范畴晶体学信息扫描电镜附件 ,此装置可在观察材料的形貌及分析成分的同时研究材料的取向关系。本文介绍了两种不同档次的电子背散射衍射接收系统 ,该系统的CCD以快速方式接收的灵敏度为 5mlux,积累方式接收的灵敏度为 1 0 μlux ,分辨率为 51 2dpi,像元数分别为 51 2× 51 2× 8bit、51 2× 51 2× 1 6bit,扫描卡最高的分辨率为 4 0 96× 4 0 96,并成功地安装在北京有色金属研究总院JSM 84 0扫描电镜上。此系统设计合理、结构简单、操作方便安全。

应变硅结构的高分辨X射线衍射及其图谱分析

运用高分辨X射线双晶衍射(DCD)、三轴晶衍射(TAD)和TAD图谱对绝缘体上Si/SiGe/Si异质结构进行表征.利用TAD结合DCD(TAD-DCD)对称和非对称衍射测定了体Si衬底和外延层以及外延层之间的取向关系、SiGe外延层的Ge含量及其弛豫度等异质外延生长的重要参数.TAD倒易空间图谱能够给出全面的晶体结构信息.高分辨率TAD倒易空间图谱可实现对应变Si层应变量的测定.

双轴拉伸Bopp薄膜的织构研究

采用双轴拉伸制取α 聚丙烯薄膜即(Bopp膜)。利用极图测试、ODF三维取向分布函数计算和回算极图方法,研究了Bopp晶态膜的择优取向特征。分析结果表明,双轴拉伸Bopp晶态膜具有高度择优取向,主要的织构组分为C轴([001]轴)集中沿拉伸方向(M向)分布,沿膜面分别为(010),(110)和(130)晶面。即经双轴拉伸的Bopp晶态膜不再是简单的单轴取向状态,呈现类似于金属薄膜的双轴织构特征。

电子背散射衍射装置及数据处理系统

本文介绍了电子背散射衍射接收装置,该装置的CCD以快速方式接收的灵敏度为5 m lux,积累方式接收的灵敏度为10μlux,,分辨率为512 dpi,扫描卡最高的分辨率为4 096×4 096。并成功地安装在北京有色金属研究总院JSM-840扫描电镜上。此系统设计合理、结构简单、操作方便安全。成功的编写了识别和标定电子背散射衍射花样的软件,可给出测试样品的电子图像、极图、反极图、取向图及微取向分布图(ODF)。