中长双色红外焦平面探测器组件技术研究

在(211)B碲锌镉衬底上,采用分子束外延生长制备了PPP型中长双色碲镉汞材料,通过台面孔刻蚀、侧壁钝化等工艺,实现中长双色640×512红外焦平面探测器组件研制。中长双色碲镉汞材料测试结果表明,表面宏观缺陷(2~10μm)密度统计分布约773 cm^(-2),同时对材料进行了XRD双晶衍射半峰宽(FWHM)测试和位错腐蚀坑(EPD)统计,XRD测试FWHM约31.9 arcsec,EPD统计值约为5×10^(5) cm^(-2);双色器件芯片台面刻蚀深度达到8μm以上,深宽比达到1∶1以上,侧壁覆盖率达到72.5%。中长双色红外焦平面组件测试结果表明,中波波长响应范围为3.6~5.0μm,长波波长响应范围为7.4~9.7μm,中波向长波的串音为0.9%,长波向中波的串音为3.1%,中波平均峰值探测率达到3.31×10^(11) cm·Hz^(1/2)/W,NETD为17.7 mK;长波平均峰值探测率达到6.52×10^(10) cm·Hz^(1/2)/W,NETD为32.8mK;中波有效像元率达到99.46%,长波有效像元率达到98.19%,初步实现中长双色红外焦平面组件研制。

77K低温下MOSFET非固有电容参数提取研究

77K低温参数是制冷型碲镉汞红外焦平面探测器读出电路设计与精确仿真的关键点之一。通过研究MOSFET非固有电容的特性,并基于BSIM3通用模型对电容的描述,在77K低温下进行测试提取,得到了相关的模型参数。嵌入SPICE软件仿真对比,证明了参数的准确性。

中波碲镉汞雪崩光电二极管的增益特性

采用不同工艺制备了中波碲镉汞(Hg Cd Te)雪崩二极管(APD)器件,利用不同方法对其结特性和增益随偏压变化关系进行了表征,并基于Beck模型和肖克莱解析式进行了拟合分析.结果表明,不同工艺制备的APD器件饱和耗尽区宽度分别为1. 2μm和2. 5μm,较宽的耗尽层有效抑制了高反偏下器件的隧道电流,器件有效增益则从近100提高至1 000以上.用肖克莱解析式拟合Hg Cd Te APD器件增益-偏压曲线,获得了较好的效果.拟合结果与Sofradir公司的J. Rothman的报道相似.

CdTe/ZnS复合钝化层对长波碲镉汞器件性能的影响研究

采用CdTe/ZnS复合钝化技术对长波HgCdTe薄膜进行表面钝化,并对钝化膜生长工艺进行了改进。采用不同钝化工艺分别制备了MIS器件和二极管器件,并进行了SEM、C-V和I-V表征分析,研究了HgCdTe/钝化层之间的界面特性及其对器件性能的影响。结果表明,钝化工艺改进后所生长的CdTe薄膜更为致密且无大的孔洞,Cd Te/HgCdTe界面晶格结构有序度获得改善;采用改进的钝化工艺制备的MIS器件C-V测试曲线呈现高频特性,界面固定电荷面密度从改进前的1.67×1011cm^(-2)下降至5.69×1010 cm^(-2);采用常规钝化工艺制备的二极管器件在较高反向偏压下出现较大的表面沟道漏电流,新工艺制备的器件表面漏电现象获得了有效抑制。

长波碲镉汞变面积二极管器件

采用不同钝化工艺制备了一系列具有不同P/A比的变面积光电二极管器件.在77147 K温度范围对器件R0A和1 000/T关系进行了分析,结果表明在该温度区间器件暗电流主要以扩散电流占主导.对器件的R0A分布进行了研究,77 K下HgCdTe薄膜内的体缺陷及非均匀性对器件性能产生了重要的影响;127 K下由于体扩散电流增加,缺陷对器件的作用显著弱化.77 K和127 K下器件R0A随P/A比增大而减小,表明表面效应对器件具有重要的影响.基于Vishnu Gopal模型对器件1/R0A值和P/A关系进行了拟合分析,证实了器件存在较大的表面漏电现象,且通过表面钝化工艺的改进,有效减小了表面效应对器件性能的影响.

中波碲镉汞/钝化层界面电学特性研究

HgCdTe表面/界面特性对器件性能具有重要的影响,表面/界面的状态主要依赖于表面处理和钝化工艺。采用Br2/CH3OH腐蚀液对液相外延(LPE)生长的中波HgCdTe薄膜进行表面处理后,使用Cd Te/Zn S复合钝化技术进行表面钝化,制备了相应的MIS器件并进行器件C-V测试。结果表明,HgCdTe/钝化层界面固定电荷极性为正,面密度为2.1×1011 cm-2,最低快界面态密度为1.43×1011 cm-2·e V-1,在10 V栅压极值下慢界面态密度为4.75×1011 cm-2,较低的快界面态密度体现出了CdTe/ZnS复合钝化技术的优越性。

高性能弹用碲镉汞红外焦平面读出电路

研制出一种高性能弹用凝视型碲镉汞(MCT)中波红外焦平面CMOS读出电路(ROIC)芯片。读出电路采用快照(Snapshot)积分模式,具有积分后读出(ITR)、积分同时读出(IWR)、长/短帧组合(COMBINED)积分和长/短帧插入(INTERLACED)积分4种模式可选功能,有效解决高灵敏度和大动态范围的矛盾;其他特征包括抗晕、多级增益可选、串口功能控制,以及全芯片电注入测试功能。该读出电路采用0.35?m DPTM标准CMOS工艺,工作电压5.0 V。测试结果体现了良好的性能:在77 K条件下,全帧频可到250 Hz(插入积分模式),功耗典型值为20 mW。

基于栅控二极管研究碲镉汞器件表面效应

采用不同工艺生长了CdTe/ZnS复合钝化层,制备了相应的长波HgCdTe栅控二极管器件并进行了不同条件下I-V测试分析.结果表明,标准工艺制备的器件界面存在较高面密度极性为正的固定电荷,在较高的反偏下形成较大的表面沟道漏电流,对器件性能具有重要的影响.通过钝化膜生长工艺的改进有效减小了器件界面固定电荷面密度,使HgCdTe表面从弱反型状态逐渐向平带状态转变,表面效应得到有效抑制,器件反向特性获得显著改善.此外,基于最优的工艺条件制备的器件界面态陷阱数量得到大幅降低,器件稳定性增强;同时器件R_0A随栅压未发生明显地变化.

中波碲镉汞光电二极管pn结特性研究

采用液相外延（LPE）生长的中波Hg Cd Te薄膜,基于B离子注入n-on-p平面结技术,制备了LBIC测试结构和I-V测试芯片并进行了相应的测试和分析。LBIC测试结果表明,Hg Cd Te pn结实际结区尺寸扩展4～5μm,这主要与光刻、B离子注入以及注入后低温退火等器件工艺有关。二极管器件C-V和I-V特性研究表明,所制备的Hg Cd Te pn结不是突变结也不是线性缓变结。中波Hg Cd Te二极管器件最高动态阻抗大于30 GΩ,器件优值R0A高达1.21×10^5Ωcm^2,表现出较好的器件性能。

大熊猫犬瘟热研究进展

由农业部最新公布的动物疫病病种名录可知犬瘟热属于三类动物疫病。在犬所患的各种疾病中,犬瘟热无论是传染强度,病情的严重程度,还是死亡率都可列为榜首。不仅如此,大熊猫对犬瘟热病毒(canine distemper virus,CDV)也有高度易感性,并且犬瘟热已经成为威胁大熊猫种群数量和生命安全的第一大烈性传染病。至今为止,对于该病的防治措施除定期进行免疫接种外,全球范围内尚无特异性治疗方法。因而对于大熊猫而言,早期诊断和有效预防该病显得尤为重要。现将国内外大熊猫犬瘟热的临床诊断和疫苗免疫现状综述如下。

“书法”情结对计算机字库的渗透与干扰

计算机文字录入大大提高了人们的工作效率,但是人们在享受它带来便利的同时,也会为其中个别的错字所误导.计算机字库的错误,形成原因很多,有的来自管理法规的冲突;有的来自相关部门对字体制造者的管理缺失;有的源于"书法"情结对计算机字体的渗透.通过阐释"书法"情结对计算机字库的渗透与干扰,希望能够唤起相关部门、相关专家对此问题的重视,维护《国家通用语言文字法》应有的尊严.

“马克思主义经典著作引文自动校核系统”的开发与版权问题

在我国,马克思主义经典著作引用率高,不准确率亦高。人工核对费时费力,又难以做到全无差错。开发"马克思主义经典著作引文自动校核系统"本属轻而易举之事,但是其中涉及的版权问题令人望而却步。其实,自动校核系统只是内嵌于经典著作,作为工具,并不可直接阅读,并非以电子文本形式传布经典著作,故而不存在侵权问题。

农机化信息网建设浅析

随着互联网应用技术的高速发展和普及,我国已经步入了一个由网络构建起的全新社会。网络的作用正在逐步扩大,其影响力也在日益提升。农机化信息网作为农机行业的网站,在为用户提供行业最新动态方面发挥了巨大的作用。下面本文就农机化信息网站的定位、现状等进行详细阐述，同时提出完善农机化信息网站建设的建议。

基于互联网的农机网络销售环境浅析

随着现代互联网技术的发展,一种新型的销售模式——网络销售走进了社会生活。据中国互联网信息中心（CNNIC）发布的《2009年中国网络购物市场研究报告》显示,至2009年6月,我国网购用户已达8788万户,

甚高灵敏度红外探测器读出电路研究进展

在读出电路有限的像元面积内获得尽可能大的电荷存储量是实现甚高灵敏度红外探测器的关键。基于脉冲频率调制的像元级模数转换(ADC)是实现甚高灵敏度红外探测器读出电路的主要方法,阐述了像元级脉冲频率调制ADC的原理,介绍了美国麻省理工学院林肯实验室、法国CEA-LETI在像元级数字读出电路的研究进展。作为从立体空间拓展电路密度的新技术,介绍了三维读出电路的研究进展。最后介绍了昆明物理研究所甚高灵敏度红外探测器读出电路的研究进展。利用像元级ADC技术和数字域时间延迟积分(TDI)技术,昆明物理研究所研制的长波512×8数字化TDI红外探测器组件,峰值灵敏度达到1.5 mK。

矿井-260水平大型绞车房的施工

介绍了大型绞车房在矿井一定水平里的施工方案应用与实践．该技术在其他同类工程有一定的推广应用价值。

卫星用高光谱红外焦平面读出电路设计

研制出一款高性能卫星用高光谱红外焦平面CMOS(complementary metal oxide semiconductor)读出电路ROIC(readout integrated circuit)芯片。读出电路设计包括任意行选择功能以及行增益单独调制功能,满足高光谱应用对读出电路提出的新要求。读出电路7档增益可选,适用于中波与短波碲镉汞HgCdTe(MCT)芯片;其他功能包括边积分边读出IWR(integration while reading),抗晕,串口功能控制以及全芯片电注入测试功能。读出电路采用0.35mm曝光缝合工艺,电源电压5 V,测试结果表现出良好的性能:在77 K条件下,全帧频可达450 Hz,功耗可调且典型值为300 mW。本文介绍了在读出电路设计的基本架构,提出设计中遇到的问题以及相应的解决方法,在文末给出了电路的测试结果。

红曲霉素——中药合生元对京红鸡免疫的影响

用红曲霉素——中药合生元作为饲料添加剂对京红鸡进行30天喂养试验,于喂养试验结束后测定京红鸡的血液指标和脏器系数并对京红鸡的法氏囊和脾脏进行组织学检查。结果表明,试验组京红鸡的血液指标以及脏器系数与空白组有差异,法氏囊细胞凋零时间延长。试验证明在饲料添加剂中添加适量红曲霉素可以增强京红鸡的免疫能力。

CdTe钝化膜溅射功率对HgCdTe器件性能的影响研究

采用不同的溅射功率在长波HgCdTe(碲镉汞)薄膜表面沉积了CdTe钝化膜,制备了相应的MIS器件和二极管器件,并对器件进行了I-V测试和C-V测试,研究了溅射功率对CdTe钝化膜和器件性能的影响。结果表明,CdTe钝化膜溅射功率由140 W升高到180 W后,沉积速率显著增加,由3.5 nm/min增加到了9.5 nm/min;HgCdTe/钝化层界面固定电荷面密度增大,由2.43×10^(11) cm^(—2)增大到了2.83×10^(11) cm^(—2);慢界面态密度也随溅射功率的增加而增大。