硅中氧行为研究的新进展

本文根据硅片表层器件有源区中的缺陷对器件性能有着严重的影响，以及在制备器件时会引入的杂质和缺陷的事实，提出了使用内吸除技术来改进硅材料与器件的质量，并对与内吸除有关的因素，即硅中氧行为，如硅中氧施主、氧沉淀及其衍生缺陷、硅片中的吸净层、硅片中的氧与翘曲的成因机制等，作了概要介绍。

硅片和硅器件工艺中的背面损伤吸除技术

本文介绍了硅片背面的三种主要损伤吸除技术：机械损伤、激光辐照和离子注入技术。对这三种吸除技术的机理、工艺条件、应用情况和近来进展，作了详细的评述。

LSI/VLSI中缺陷、杂质与器件性能的关系

结合器件工艺的失效分析,评述了硅中缺陷和氧、碳、金属杂质与器件性能、器件工艺之间的相互关系。指出:杂质和缺陷对器件的性能、成品率和可靠性有严重的影响,尤其经金属杂质缀饰的缺陷对器件的危害更大。对硅中某些杂质和缺陷的最新研究进展作了介绍。

硅片和硅器件工艺中的本征吸除技术

本文介绍了本征吸除技术的产生、发展、应用,以及本征吸除的机制。

综合吸除对硅外延片（N／N^＋）性能的影响

本文介绍了使用扫描电镜（ＳＥＭ）、扩展电阻（ＳＲ）、瞬态电容（ｃ－ｔ）和化学腐蚀等技术，对采用不同吸除工艺的重掺Ｓｂ衬底的硅外延片（Ｎ／Ｎ＋）性能进行了研究。结果表明，综合吸除技术不仅能有效地改善Ｗ／Ｎ＋硅外延片的电性能（τｇ）和明显地降低外延层上的表面缺陷密度，而且对硅片剖面的电阻率分布也无影响。文中还对综合吸除的机理作了初步探讨。