高性能BiCMOS制造技术及I/O电路优化

本文报导一套先进的ＢｉＣＭＯＳ集成电路制造技术。建立在ＣＭＯＳ工艺基础上的ＢｉＣＭＯＳ制造工艺，增加了双埋层、２．５微米本征外延层、双阱、基区、多晶硅发射区、深集电区和平坦化双层金属布线等工艺技术。器件性能测试和扫描电镜检查结果表明，双极器件和ＭＯＳ器件性能优良，ＢｉｃＭＯＳ器件的抗锁定性能比ＣＭＯＳ器件提高了一个数量级。优化设计了高性能该电路。当负载电容为２．０ｐＦ时，该电路的延迟时间为１．２ｎｓ，ＢｉＣＭＯＳ宏单元的传输速度比同类ＣＭＯＳ电路有所提高，这套制造技术适合于１．２～２．０μｍ ＢｉＣＭＯＳ集成电路的制造。