薄膜铌酸锂低串扰交叉波导

随着绝缘体上铌酸锂(LNOI)平台集成器件的增加,实现大规模集成变得尤为重要。低串扰和低损耗的多通道交叉波导可以大大减少波导连接的面积,从而提高集成密度和路由的灵活性。利用铌酸锂的各向异性,设计了基于自成像原理的不同尺寸的2×2交叉波导。该交叉波导基于X切LNOI,制造出的器件在C波段的串扰分别小于-33.31 dB(Y传方向)和-30.81 dB(Z传方向),插入损耗最小分别为0.094 dB(Y传方向)和0.356 dB(Z传方向)。