场发射平板显示器件的进展

概述场致发射平板显示器件（FED）的理论基础、结构和工作原理、种类和制作工艺。对FED作出评价。介绍国际上在FED方面的竞争。展望了FED的前景。

显示技术的重要地位及场致发射显示的概况

本文根据ＳＩＤ（ＳａｉｅｔｙｆｏｒＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎＤｉｓｐｌａｙ）资料，评述显示技术及场发射显示的最新发展。

日本走向经济大国的历史经验

引言:1868年明治维新时日本是一个科技及经济上落后的国家,经过126年的努力1868～1994已从一个落后的国家发展成为全世界公认并瞩目的经济巨人,印度教育家Muttsuddi及芬兰教育家Suvanto对此历史经验作了调查研究,本人细读上述两文后感到126年历史的主导方针是人才资源开发,H.R.D Human ResourcesDevelopment,其哲学思想来自于我国的’青出于兰而胜于兰”及’终身之计莫如树人”。

在振兴科技发展经济中智力投资效果倍增物力投资的历史经验

一、引言 科学技术是生产力,经济的发展需要不断的增长生产力,因此投资于科学研究,技术研究,工业规模生产研究就成为发展经济不可缺少的因素。但通常在考虑科技研究的投资时,往往是考虑了厂房、设备、仪器、材料的物力投资而忽视了提高科技人员、技术工人素质的智力投资。历史经验证明对物力投资辅以智力投资可以使投资效果倍增。高技术的特征国际上公认的是三个密集:技术密集,知识密集和资金密集。国际上工业界人士衡量投资的效果有一个术语称为CostEffectiveness,成本有效性。

直流磁控溅射(Ti、Al)N硬化膜的研制

本文介绍单靶直流磁控溅射三元复合(Ti,Al)N硬化膜的研制结果。制得的Ti_(0.5)Al_(0.5)N腹具有(111)面择优取向Bl NaCl立方结构,显微硬度达到2700kg/mm^2,并具有良好的抗氧化性和抗酸腐蚀性。文中着重讨论了沉膜过强中氮分压、基片负偏压以及基片温度对薄膜显微硬度、形貌、晶粒尺寸和晶格常数的影响。

钨钼材料在真空电子行业中的应用

引言钨钼材料具有优异的高温性能,使之成为电子工业中不可缺少的重要材料,钨钼及其有关合金被广泛应用于电光源、微波管、开关管、电子束管、半导体、计算机等中,几乎涉及电子工业的各个领域。由于真空电子工业的特殊性,对钨钼材料提出了极为苛刻的技术要求,而且除了各类产品的品种繁多,规格各异外,无论丝材、棒材、板材、片材、箔材。

钨在真空电子器件中应用的进展

近年来,由于真空电子器件的再度兴起,在军事和民用方面得到了很大的发展,它已成为电子产业的重要支柱之一。文中阐述了钨在真空电子器件中应用的进展概况,通过分析某些典型的真空电子器件对钨材的特殊要求,指出在发展真空电子器件的同时,必须确保电子专用钨材的先行。

知识工程师的训练与发展——介绍美国数字设备公司的经验

十年之前人工智能技术主要是学术研究的事,现在它已呈现为商业和工业中重要的战略和经济力量,尤其是专家或知识库系统已经证明了其商业价值。

氧作用下浸渍钡钨阴极中钙的强化表面扩散

由于探测技术上的困难,至今对铝酸钡钙扩散阴极表面钙的研究极少。本文利用低压氧锈导下Ca向阴极表面的强化扩散,并借助俄歇电子能谱仪探索了Ca的行为和作用。主要结果是:(1)相当部分Ca以金属态形式存在于钨孔隙中活性物质的近表层区;(2)钙向表面扩散的数量和速度与阴极温度、氧的暴露量成正比,它是一种界面反应驱动下的强化扩散,其激活能约为1.34eV;(3)氧作用下阴极表面氧化钙的增加是导致阴极发射衰减的重要原因,而恢复中毒的再激活机制之一,则是高温下表面钙的蒸发逸离过程。