共电感电磁带隙结构的电磁干扰抑制性能研究

提出了一种抑制多层印刷电路板(PCB)电源分配网络(PDN)电磁干扰(EMI)的单元组共电感电磁带隙(EBG)结构。该EBG结构是在电源层上蚀刻阵列正八边形EBG单元,在四个相邻八边形EBG单元围成的公共区域内蚀刻出环绕的共享电感,并与四个EBG单元分别连接。研究分析了共电感绕制圈数以及单元尺寸对EBG结构性能的影响。仿真结果表明,该EBG结构可以较好地平衡感性、容性分布,频率禁带宽,EMI隔离性能优越,采用边长10 mm网格单元可在3.59~5.93 GHz、7.35~10 GHz实现噪声隔离度优于-40 dB的禁带性能;而采用边长30 mm的网格单元可在1.08~4.74 GHz的频带内实现噪声隔离度优于-60 dB的禁带性能。实验结果与仿真结果基本吻合。

1D介质型EBG噪声隔离性能的有限元建模分析

提出了一种分析多层印刷电路板电源分配网络(power distribution network,PDN)中一维(1D)介质型电磁带隙(electromagnetic band-gap,EBG)结构噪声隔离性能的1D有限元数值计算方法.将1D介质型EBG的3D结构简化为1D有限元模型,通过直接求解波动方程获得传输系数T、反射系数R以及散射参数S.利用R-T曲线可直观地判定频率禁带,而采用分贝表示的S21参数则更方便评价噪声隔离度.根据介质型EBG的周期数、介电常数和周期长度等参数对噪声隔离性能影响的仿真结果,针对少周期、不完全禁带EBG结构提出了先采用多周期EBG结构预测禁带,再通过调整介电常数和周期长度扩展禁带和增强噪声隔离度的两阶段设计方法.采用3D全波电磁仿真验证了1D有限元算法的合理性.

“资产评估”课程案例式教学实践探索

资产评估学是会计和审计专业的一门重要课程,与实际联系紧密,具有很强的理论性和应用性。由于课程具有很强的综合性,需要用到多个领域的知识,这就要求学生具有更强的综合运用能力。为了达到较好的教学效果,本文对“资产评估”课程案例式教学模式进行探索,给出了“资产评估”课程案例式教学模式的实施过程、教学效果评价和优化建议。

河南电网线路污闪跳闸分析及对策

介绍了2001年初河南电网发生的污闪故障情况,探讨和分析了污闪故障的原因,并提出了相应的对策。

EUT对TEM传输室特性阻抗影响的边界元分析

采用边界元法分析了金属箱体的受试设备对横电磁波传输室特性阻抗的影响 .计算结果表明 ,当受试设备不满足“三分之一准则”时 ,对特性阻抗的影响达 5Ω以上 ,当满足“三分之一准则”时 ,对特性阻抗的影响小于 2Ω .测量结果证实了计算方法的有效性 。

TEM传输室置入金属EUT后场分布的边界元分析

横电磁波传输室广泛应用于电磁兼容试验中,当置入受试设备后,其中的场分布会发生扰动。本文采用边界元法分析了横电磁波传输室中置入金属箱体的受试设备后场分布的规律,对受试设备所受暴露场的场强进行了计算,并提出了具体的估算方法。对空载时横电磁波传输室的场分布进行了测量,测量结果证实了计算方法的正确性。

条件置换子群对有限群结构的影响

有限群G的一个子群H称为G的条件置换子群,如果对于G的任意子群T,存在x∈G,使得HTx=TxH.如果H是G的每个包含H的子群的条件置换子群,则称H是G的完全条件置换子群.该文主要研究了极大子群、Sylow子群的某些子群以及极小子群的条件置换性对有限群构造的影响,获得了一些新的结果.

多层印制电路板边缘辐射的一种精确计算方法

研究了精确评估多层印制电路板电源分布网络辐射发射的计算方法.采用高效的两维边界元法计算出信号返回电流经过电源/地平面的阻抗,将过孔转换结构的等效物理电路模型与外部电路连接成整体电路,采用电路仿真的方法获得精确的辐射发射激励电流.由边界元法计算出激励电流在电源/地平面边缘产生的场分布,进而由边缘场的等效磁流求出远区的辐射场.计算了不同频率时的辐射发射激励电流及最大辐射值.研究结果表明:在反谐振频率处辐射场达到极大值.计算结果与全波有限元电磁场仿真的结果基本吻合.

金属线列横电磁波小室的场分布分析

金属线列横电磁波(WTEM)小室是一种新型电磁兼容试验设备。对WTEM小室的场分布特性进行了数值分析。采用边界元法分析了WTEM小室的准静态场分布,采用有限元法计算了WTEM室的高次模截止频率,并与TEM小室进行了对比,最后采用时域有限差分(FDTD)法分析了WTEM小室的场均匀性和交叉极化特性。计算结果表明:金属线列的内导体有助于减弱水平方向的高次模;通过金属线列的优化排列可显著扩展可用测试区;场均匀性满足6 dB准则,不过,高于一定频带后交叉极化特性下降,但仍满足放松要求。WTEM小室用于宽频带电磁兼容试验可行。

TEM传输室多层介质支撑特性阻抗的数值分析

采用边界元法分析了芯板支撑对TEM传输室特性阻抗的影响。介绍了建模方法，以及边界元法计算多介质区域特性阻抗的基本思想。计算结果表明：芯板支撑对特性阻抗的影响比较显著，随材料介电常数的不同，影响值一般为2-5Ω左右。测量结果与计算结果基本吻合。提出的数值计算方法有助于TEM传输室的设计。

GTEM小室交叉极化特性及三维场均匀性FDTD分析

采用时域有限差分法评价了1GHz以内吉赫兹横电磁波(GTEM)小室的交叉极化特性和三维场均匀性.根据IEC61000-4-20标准,采用9点网格法分别对测试区的1/3和1/2内导体高度区的场分布特性进行了宽频带分析,并以测试区中心截面的名义场强为参考评估了沿纵向的场均匀性.计算结果表明:在1/3内导体高度区,三维场均匀性满足6dB限制,但工作频率超过一定频带后,交叉极化分量满足小于主分量6dB要求较为困难;随频率和测试区的增大,交叉极化特性和场均匀性下降,但较易满足放松要求.经实验证实计算结果准确可靠.

EUT对TEM传输室基本特性影响的边界元分析

采用边界元法分析了不同尺寸的良导体受试设备 (EquipmentUnderTest ,EUT)对TEM传输室特性阻抗和场分布的影响 ,并估算了敏感度测试中EUT所承受暴露场强的大小。计算结果表明 :与空载时相比当EUT满足“1/ 3准则”时 ,TEM传输室的特性阻抗下降值小于 2Ω ,EUT上、下方场强增加 3～ 4dB ,EUT上部所承受暴露场强比通常的估算方法高约 4～ 6dB。

横电磁波室试验场强评估的影响因素分析

研究了横电磁波室试验场强的评估与校准技术。采用边界元法分析了受试设备(EUT)的尺寸、位置、形状和介电常数等因素对试验场强的影响,给出了金属EUT和电介质EUT受试场强的变化曲线和变化规律。计算结果表明:当工作频率低于第一阶高次模截止频率时,EUT实际承受场强与常用近似法所得场强的最大差异达6.5dB;电介质EUT与金属EUT受试场强的差异小于2 dB;EUT的位置和尺寸是试验场强评估的重要影响因素。计算结果有助于减小电子设备电磁场辐射敏感度试验结果的不确定度。

完全条件置换子群与有限群的超可解性

利用完全条件置换子群的概念研究了有限群的极小子群和4阶循环子群,得到了超可解群的一些充分条件。

GTEM传输室特性阻抗的三维有限元分析

采用有限元法对GTEM传输室的特性阻抗进行了三维分析。沿球面波的方向截取GTEM传输室的一段作为计算模型,通过分段多角度计算,求出芯板的最佳张角。考虑芯板厚度对阻抗的影响给出了芯板优化方案。在有限元分析软件AN SYS下开发了计算特性阻抗的用户模块,提高了设计效率。由于本文提出的计算方法能更好地逼近场分布的真实情况,因而具有较高的计算精度。

完全条件置换子群与有限群结构

有限群G的子群H称为G的完全条件置换子群,如果对于G的任一子群K,存在〈H,K〉的某个元素x,使得HKx=KxH.本文利用完全条件置换子群的概念研究有限群的超可解性的问题,获得了一些结果.

远场区同轴传输线测试法的原理与进展

介绍了远场区电磁屏蔽材料屏蔽效能同轴测试法的原理背景和测试方法,建立了各种测试方法的等效电路模型,分析了影响测试结果可靠性的主要因素,并对各种测试法的性能进行了比较。同时指出了同轴测试法在电厚情况下的局限性是限制同轴测试法高频应用的主要原因之一。

超拟中心与有限群的超可解性

利用完全条件置换子群的概念研究了有限群的超拟中心和4阶循环子群,通过极小阶反例法证明了:若G的极小子群皆属于超拟中心Q∞(G)且4阶循环子群在G中完全条件置换,则G为超可解群。

GTEM小室中EUT受试电磁场场分布性能的FDTD分析

研究了GTEM小室中EUT受试电磁场的场均匀性和主TEM模特性。在笛卡尔坐标系中建立了加入金属EUT后GTEM小室的三维FDTD模型，计算分析频率达2GHz。计算了一个“大EUT”和“小EUT”的场分布特性，分析了EUT大小对场分布性能的影响。不仅研究了主分量的场均匀性，还研究了总场强的场均匀性，此外，还给出了各场分量的平均值随频率变化的趋势。研究结果表明：满足“小EUT”条件时，场均匀性良好，而“大EUT”在超出其许可频率后，场均匀性下降；在高频情况下不论是“大EUT”还是“小EUT”交叉极化特性均有所下降，主要表现为纵向场分量的增加。

评估圆形PCB过孔转换反射系数的二维有限元法

提供了一种计算信号电流通过过孔转换结构时的反射系数和传输系数的高效数值方法。研究了单个过孔位于圆形PCB中心的特定情形,从而可方便地采用二维轴对称有限元法。计算结果表明,在电源/地平面未出现谐振时,过孔不连续结构对信号传输性能影响较小,但频率较低时反射较大。此外,对场分布的研究发现,在过孔附近场分布为准静态场,距离过孔较远时电源/地平面内的场分布模式转变为TM00模。采用全波有限元软件对计算结果进行了验证。所得结论对定性评估其它形状PCB中的过孔不连续影响具有参考意义。