一种基于量块垂直边线的相机标定方法

针对在切向畸变较明显的环境下标定参数的精确度存在明显误差的问题,利用标准量块形状简单、量值稳定的几何特性,提出一种基于量块垂直边线的系统标定方法。该方法采用标准量块为标定物,首先将相机坐标系与世界坐标系重合,避免了相机外部参数的计算,减少了运算量;其次利用Sobel算子检测量块边线边缘,利用最小二乘拟合得到直线,检测标定图像中垂直边线的交点;最后获取这些交点的世界坐标和图像坐标来标定相机,得到相机的内部参数。实验结果表明,在光栅投影测量系统中的相机切向畸变误差精度达到0.001。该方法原理简单、使用方便,对切向畸变有较好的修正精度和可操作性。

高职院校校本共享型专业资源库建设探讨——以绍兴职业技术学院为例

建设共享型专业教学资源库是我国高等职业教育发展的国家策略,但在具体建设中还存在诸多问题,主要表现在资源平台不足以体现"以人为本"原则、资源内容无法满足不同主体需求、资源建设缺少长效机制保障等。高职院校校本共享型专业教学资源库建设应严格遵守国家高职教学资源库建设的各项规范标准,体现区域特色,注重长效机制建设。

一种基于空封技术新颖白光数码管的研究

利用对不同波长蓝光芯片激发黄色荧光粉膜条件下制备的空封白光数码管与传统工艺白光数码管进行的测试实验,分析了在相同实验环境下,两种工艺制备的白光数码管光通量与光效存在差异的原因及一些必要的改进措施;通过对显色指数与色温测试值的比较,得出蓝光芯片主波长对上述2个参数的影响。从实验中得到的对光性能的测试数据,可以得出研制基于空封技术的白光数码管的市场可行性。

硅单晶片中的氧及对后续缺陷的影响

通过测量硅晶棒不同部位的氧含量,分析了氧在硅晶棒中的分布规律。结合高温氧化后的缺陷观察结果,研究了氧含量及后续高温生产工艺对硅晶体中缺陷数量的影响。对不同氧含量的两种硅单晶片所生产的功率集成电路进行了失效分析。结果表明,硅单晶片中的氧含量对产品成品率具有重要影响。当氧含量在1.77×1018～1.87×1018atoms/cm3及以上时,硅单晶片边缘出现明显的位错排,断面存在大量层错和位错缺陷,部分缺陷进入外延层中的晶体管,造成该处晶体管结漏电。相反,当氧含量偏低时,硅单晶片内的缺陷较少且分布不均,使得硅单晶片受到金属污染时不能有效吸杂而产生失效。

引线孔接触电阻不稳定对基准电压源的影响及改善

该文通过对双极集成电路产品基准电压源稳定性的分析和调查,简述了基准电压源的原理和影响基准值的因素。通过模拟仿真,确定了接触电阻对电阻值的影响从而影响了基准电压的结果,通过增加软刻蚀工艺及在刻蚀后进行氟化铵和氢氟酸混合腐蚀液清洗的方法,改善了引线孔接触电阻的稳定性、提高了基准电压的一致性,达到了良率提升的目的。