用芯片图形与数据带比较检查掩模缺陷

为了零缺陷的突破,本文介绍芯片图形与数据带(Die-to-date base)比较检查掩模版缺陷的原理,系统组成和数据结果分析。

兆位级DRAM掩模版的检测技术

针对华晶科研所设计的JSC71095CFAR电路来阐述兆位级DRAM掩模版的质量要求，从而建立兆位级掩模版检测程序，以及切实有效的质量参数指标。并重点描述掩模版“0”缺陷的实现和CD尺寸、套准精度的测试技术及SPC质量统计技术。

ULSI掩模缺陷检查技术研究

本文以KLA－221型自动掩模缺陷检查系统硬件资源为研究工具。详尽地描述了ULSI掩模缺陷检查的实际意义、缺陷检查的原理、检查模式。提出了如何保证缺陷检查的捕俘率以及降低伪缺陷的方法。对单层掩模版的图形品成率和整套掩模版图形成品率的正确预测做了分析研究，并可由预测的结果揭示出IC芯片生产中的成品率应达数。还讨论了掩模秧陷的分类和产生的工艺因素。

掩模缺陷的数理分析

本文主要根据半年来，成套的30批缺陷检查的结果，进行一定的数理分析，以便从中获得改进工艺的效益。