IGZO薄膜晶体管的制备及其光电特性的研究

以InGaZnO(IGZO)为有源层的薄膜晶体管(TFT)可以应用于光电探测领域。在实验中,研究了该器件的电学特性和在不同光照条件下的光电响应。IGZOTFT具有与传统金属氧化物TFT相当的电学性能,在VDS为15V时性能最好,得到的饱和迁移率为1.65cm^(2)/Vs,电流开关比达到10^(8),阈值电压为29V,亚阈值摆幅大约为2V/decade的开关器件。并对254nm和365nm的光均发生了响应,得到了稳定、连续的动态响应曲线。因此,这种TFT可以应用于光电探测领域。

沟道长度对IGZO薄膜晶体管性能的影响

在室温条件下采用射频磁控溅射的方法在热氧化SiO_(2)衬底上生长IGZO薄膜作为有源层,并将其制备为薄膜晶体管器件.研究不同的沟道长度对IGZO薄膜晶体管电学性能的影响.使用场发射扫描电子显微镜(SEM)表征IGZO薄膜的厚度,使用原子力显微镜(AFM)表征薄膜的表面形貌.实验结果表明,沟道长度对IGZO薄膜晶体管有着重要影响.当沟道长度为10μm时,IGZO薄膜晶体管的开关电流比达到1.07×10^(8),载流子迁移率为3.81cm^(2)/V,阈值电压为27V,亚阈值摆幅为2V/dec.