文冠果子叶同步胚的高效诱导及植株再生

以文冠果成熟种子的子叶为外植体,优化培养基配方,诱导收集胚性愈伤组织,建立了高效的同步胚液体培养扩增体系,同步胚转移到固体培养基上,实现了植株的高效再生,为文冠果转基因平台的建立打下了基础。结果表明,文冠果子叶外植体胚性愈伤组织诱导优化培养基为附加2,4-D2.0mg·L-1、NAA1.0mg·L-1、6-BA1.0mg·L-1和3%的蔗糖的MS固体培养基,可产生大量胚性愈伤组织;胚性细胞系经继代和初步扩增后,在附加2,4-D0.5mg·L-1、NAA0.5mg·L-1、6-BA0.5mg·L-1和2%的蔗糖的B5液体培养基中增殖产生大量的同步球形胚;球形胚转入NAA0.25mg·L-1、6-BA0.5mg·L-1的B5固体培养基上,经心形胚、鱼雷形胚和子叶形胚,再生成植株。

Nb掺杂对ZnO压敏陶瓷电学性能的影响

研究了Nb2O5对ZnO压敏材料电学性能的影响。当x(Nb2O5)从0增加到1%时,ZnO压敏电阻的击穿电压从209V/mm降至0.70V/mm,40Hz时,样品电阻从0.21MΩ降至48.3Ω,1kHz时的相对介电常数从831增大到42200。晶界势垒高度测量表明:在实验范围内,Nb对势垒高度的影响较小。ZnO晶粒的变大是压敏电压急剧降低和介电常数增大的主要原因。对Nb掺杂量的增加引起样品阻抗减小的根源进行了解释。

高性能铌酸钾钠无铅压电陶瓷研制

用常规氧化物固溶方法制备了无铅压电铌酸盐((Na0.5K0.5)1-xLixSbyNb1-yO3)陶瓷。实验结果表明,Li+和Sb5+的引入提高了陶瓷的压电性能。在一定配比范围内(Li和Sb在10%摩尔分数以内),材料为斜方、四方相共存的钙钛矿结构,材料的压电常数d33在270 pC/N以上,机电耦合系数kp、kt、k33分别达到49×10–2、43×10–2、64×10–2。介质损耗tgδ小于2.0×10_2,居里温度tC高达375℃。

Na掺杂对ZnO压敏材料电学性能的影响

研究了Na2CO3对ZnO压敏材料电学性能的影响。当掺入的Na2CO3之摩尔分数x从0增加到0.2%时,ZnO压敏材料的击穿电压从209 V/mm增加到934 V/mm,1 kHz时的相对介电常数从1 158降到57。晶界势垒高度测量表明:在实验范围内,Na对势垒高度的影响较小。ZnO晶粒的变小是压敏电压急剧升高和介电常数减小的主要原因。对Na2CO3掺杂量的增加引起ZnO晶粒减小的原因进行了解释。

SnO2-Zn2SnO4与SrTiO3压敏-电容双功能陶瓷电学性能对比研究

通过传统陶瓷制备工艺制备了SnO_2-Zn_2SnO_4陶瓷复合物,与某型号商用SrTiO_3压敏-电容双功能陶瓷对比了电学性能。结果显示,尽管二者的压敏电压均低于10V/mm,但SnO_2-Zn_2SnO_4陶瓷具有较为优越的电学非线性性质,其非线性系数达到7.6,漏电流仅为56μA/cm^2。40 Hz时,SnO_2-Zn_2SnO_4陶瓷的相对介电常数为2×10~4,低于SrTiO_3的9×10~4,同时,SnO_2-Zn_2SnO_4陶瓷的介电损耗要高于SrTiO_3,且随着频率的升高急剧降低。通过对比研究,SnO_2-Zn_2SnO_4陶瓷具有潜在的应用价值。

套袋对富士苹果果实发育期光合同化物积累的影响

以富士苹果为试材,进行不同时期的果实套袋和摘袋处理,以不套袋果实为对照,测定了果实中重要光合同化物的积累,分析比较了套袋对果实中糖分积累和转化的影响。试验结果表明:套袋提高了果实的单果重,降低了果实早期的淀粉积累速率,缩短了积累持续时间;在发育早期,套袋果实中蔗糖、葡萄糖、果糖的含量和变化趋势与不套袋的对照果实基本一致;在果实发育后期,套袋果实中蔗糖和葡萄糖的含量明显降低;合适的摘袋时间有利于提高果实中蔗糖和果糖的含量,改善果实品质,但过早摘袋不利于蔗糖和果糖的积累。反季节套袋也证实了果实后期的遮光处理不利于蔗糖和果糖的积累。

钠过量对铌酸钾钠基陶瓷结构及性能的影响

用常规氧化物固溶法制备了(Na0.520+xK0.480)0.915Li0.085NbO3(x=0～0.025)无铅压电陶瓷,研究了过量Na的掺杂量对其烧结温度、微观结构及压电性能的影响。结果表明,过量Na掺杂在烧结过程中促进液相的产生,导致样品烧结温度显著降低。室温下样品均为四方结构。随x的增加,样品的斜方-四方相变温度tO-T趋向低温。当x从0.010增大到0.025时,Qm从131提高到238,tanδ和d33分别从0.034和125pC/N下降至0.012和105pC/N,表明过量Na实际上起到了"硬性掺杂"的作用。

Sb对Li掺杂的KNN无铅压电陶瓷性质的影响

采用传统工艺制备了无铅压电陶瓷(Na_(0.5)K_(0.45)Li_(0.05))Sb_xNb_(1-x)O_3,研究了Sb掺杂对其压电、铁电、介电等性质的影响.实验结果表明,样品的居里点(T_C)、正交-四方相变温度(T_(T-O))均随Sb含量的增加而降低,掺杂7 mol%Sb时,样品的居里点从454℃降至345℃,T_(T-O)从100℃降至室温以下.Sb^(5+)的引入限制了晶粒的生长,但提高了样品的致密度,从而提高了样品的压电、铁电性能.组分为(Na_(0.5) K_(0.45)Li_(0.05))Sb_(0.05)Nb_(0.95)O_3的样品具有较为优异的性能:d_(33)=241 pC/N,Q_m=50,k_p=38.3%,d_(31)=-83 pC/N,g_(31)1=-0.08 Vm/N,P_r=17μC/cm^2,同时,该组分样品表现最"软",具有相对最高的弹性柔顺常数S_(11)~E=14.2.

新时代重温党史与聚智慧自我革命

中国共产党之所以成为世界上最大的政党,善于自我革命是重要因素。新时代,我们要从丰富的党建党史中汲取经验和凝聚智慧,充分认识增强自我革命能力的重要性,牢记人民立场价值观,增强自我革命的勇气;牢记民主集中制,找寻自我革命的正确方法;牢记一日三省,提高文化修养,加强自我革命的内在动力;牢记实事求是,坚持理论联系实际,把实践标准作为检验革命的基本途径,增强自我革命的验证能力。

CuO掺杂的(Na_(0.66)K_(0.34))NbO_3无铅压电陶瓷性能研究

采用传统工艺制备了CuO掺杂的无铅压电陶瓷(Na0.66K0.34)NbO3,研究了CuO掺杂对其压电、介电、铁电等性质的影响。实验结果显示,CuO掺杂促进了晶粒生长,降低了样品的烧结温度,适量掺杂能够显著提高陶瓷样品的密度。当掺杂量为0.5%(摩尔分数)时,样品的密度为4.26g/cm3,品质因子Qm提高到400,介电损耗tanδ降低至0.8%。实验结果还显示,CuO掺杂使得陶瓷变"硬",起到硬性添加剂的作用。随着CuO掺杂量的增加,样品的居里点(TC)、正交-四方相变温度(TT-O)、压电常数d33以及机电耦合系数kp均明显降低,而矫顽场显著增加。对于不掺杂的(Na0.66K0.34)NbO3陶瓷,其d33高达107pC/N,该陶瓷优异的压电性能表明,除了具有准同型相界结构的(Na0.5K0.5)NbO3外,(Na0.66K0.34)NbO3也是一种具有研究潜力的无铅压电陶瓷组分。

Mn掺杂的SnO_2·ZnO·Nb_2O_5压敏材料

研究了MnCO3掺杂对SnO2-ZnO-Nb2O5压敏材料压敏-介电性能的影响,研究中发现,掺入x(MnCO3)为0.08%的样品显示出最高的非线性系数(α=8.2),最高的势垒高度(φB=1.11eV),最高的击穿电场(E=466.67V/mm)。研究中同时发现,SnO2-ZnO-Nb2O5压敏材料的相对介电常数在573～673K间出现峰值,峰值随MnCO3掺入量的增加而增大,掺入x(MnCO3)为0.3%的样品在593K时,显示出最高的相对介电常数(εr=1.886×104)。

基层党委提升民主集中制效能问题探究——透过朱明国贪腐案谈

通过对朱明国贪腐案的仔细分析,我们深切感受到民主集中制效能低迷的基本原因,主要是理念上的淡漠和制度细则上的空缺,认为只有从加强主要领导的民主集中制的责任感入手,强化意识训练,建立健全各项细则,杜绝两面作风,才能提升民主集中制的纠察和集约化功能。

高温下爱因斯坦模型与德拜模型热容结果的一致性

指出了高温下晶格振动热容理论中爱因斯坦模型与德拜模型的异同之处.理论分析发现,高温下晶格振动能与振动模式近似无关.解释了在相去甚远的假设前提下,两种晶格振动热容理论模型的结果在高温下一致的原因.

新形势下党校理论教育和党性教育的难题及对策

《中共中央关于加强和改进新形势下党校工作的意见》给党校在新时期提供了发展和提升的机遇,《意见》要求各级党校强化党的理论教育和党性教育。深入开展理想信念教育、党的宗旨教育,理论上看并没有什么困难,但实际上深入探讨下去,却发现一大堆难题在等着我们党校人去破解。

牢牢把握中国特色社会主义进入了新时代

学习贯彻党的十九大精神,必须牢牢把握中国特色社会主义进入新时代这根主线,深刻理解中国特色社会主义进入新时代的基本依据和深刻内涵,从而产生在新时代必须有新作为的内生动力。

新中国70年党的军事思想演变及启示

从新中国成立70年来党的军事思想的历史回顾中可以得到一些提示:把握全局,知己知彼,是正确军事思想的产生前提;经济建设是国防建设的基本依托,富国才能强兵,强军才能卫国;科技精兵质量强军是新时代兴军强军的必由之路。

地方高校《固体物理》教学的困惑与思考

社会在发展,对人才的定义也在发展,社会对高校提出了越来越高的要求。高校的办学规模扩大了,仅仅表示高校能够容纳更多的教育工作者和接受教育者。如何使得高校的内涵建设紧跟社会发展的步伐,甚至引导社会发展,成为高等学校目前的主要任务。

新中国70年我党经济思想的历史回顾及其经验

新中国成立70年来,我们党一心一意谋发展,专心致志搞建设,在短短70年时间内,完成了资本主义需要四五百年完成的工业革命和科技革命,探索出了中国特色的现代化强国建设之路。回顾70年来我党经济思想发展历程、揭示我国经济思想发展规律,有助于我们少走弯路、多见成效。

钨掺杂对二氧化钛压敏电阻瓷电性能的影响

通过对样品的伏案性质、介电常数以及晶界势垒的测量和分析,研究了WO3对TiO2压敏电阻瓷电性能的影响。研究发现掺入x(WO3)为0.25%的样品表现出最好的压敏性质,其压敏电压为42.5V/mm,非线性系数α达到9.6,以及较高的相对介电常数(εr=7.41×104),是一种具有较好潜力的电容-压敏电阻器。通过不同烧结温度的实验,发现1 350℃是最佳烧结温度。类比ZnO压敏材料的晶界势垒模型,提出了适合TiO2压敏材料的肖特基势垒模型。

(Nb,Mg,Al)多元掺杂对ZnO压敏材料电学性质的影响

研究了(Nb,Mg,Al)多元掺杂对ZnO压敏材料电学性能的影响。施主Nb离子的掺杂显著提高了压敏电阻的势垒高度,这与它能提供晶界势垒形成所必需的正电荷和负电荷直接相关。小半径离子Mg和Al易于处在ZnO的填隙位置,适量的掺杂也能提高晶界势垒高度,这与处在填隙位置的金属离子能提供正电荷和负电荷有关。而且填隙掺杂还能有效地改善陶瓷的致密度和均匀度,从而降低了ZnO压敏电阻漏电流、残压比和提高了非线性。(Nb,Mg,Al) 多元掺杂的ZnO压敏电阻的漏电流、残压比和非线性系数分别达到了 0.3 mA、V40kA/V1mA 2.5和a 110。