GaN/6H-SiC紫外探测器的光电流性质研究

本文研究了以金属有机物化学气相沉积方法生长在６Ｈ－ＳｉＣ衬底上的ＧａＮ外延薄膜制成的光导型紫外探测器的光电流性质．通过对其光电流谱的测量，获得了ＧａＮ探测器在紫外波段从２５０～３６５ｎｍ近于平坦的光电流响应曲线，并且观察到在～３．４ｅＶ带边附近陡峭的截止边，即当光波长在从３６５ｎｍ变到３７５ｎｍ的１０ｎｍ区间内，光电流信号下降了３个数量级．在３６０ｎｍ波长处，我们测得ＧａＮ探测器在５Ｖ偏压下光电流响应度为１３３Ａ／Ｗ，并得到了其响应度与外加偏压的关系．通过拟合光电流信号强度与入射光调制频率的实验数据，我们获得了ＧａＮ探测器的响应时间及其与偏压的关系．

一种基于贪婪搜索的码率兼容LDPC码打孔算法

为了提高有限长LDPC码的打孔性能,提出一种码率兼容LDPC码的打孔算法。结合打孔变量点恢复树结构的特点,采用贪婪搜索算法逐级最大化k步可恢复节点的数量,以获得尽可能多的k值较小的k步可恢复节点,从而改善码率兼容系列子码的误码性能。针对随机构造和PEG构造下的LDPC码,验证了本文打孔算法的性能。仿真结果表明,本文方法生成的系列码率兼容子码的误码性能均优于随机打孔方法,特别是当子码的码率较高时,误码性能改善越明显。

MOCVD 两步生长法制备 GaN 量子点

报道了用金属有机化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）方法在蓝宝石衬底上成功地制备出ＧａＮ量子点。采用了５００℃低温沉积和１０５０℃高温退火的两步制备法制备出密度为５×１０８ｃｍ－２～６×１０９ｃｍ－２、直径约４０ｎｍ的ＧａＮ量子点。ＧａＮ量子点的密度和大小由原子力显微镜（ＡＦＭ）观察测得，并由制备温度和时间所控制。观察到ＧａＮ量子点仅在高温退火后生成，这可解释为由于低温沉积，最初的沉积层中的应变能得不到释放而成为具有较高能量的中间亚稳态相，高温退火使得应变能得到释放，生成ＧａＮ量子点。

α-Al_2O_3衬底上GaN膜瞬态光电导性质研究

本文报道了蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３）衬底上ＧａＮ薄膜的瞬态光电导性质．用ＹＡＧ∶Ｎｄ脉冲激光器测量的光电导衰减曲线存在两个特征区域，即起始衰减区域和拖尾区域，分别对应时间常数：τ０１～０．１ｍｓ和τ０２～１．０ｍｓ．在相同偏压和光强下，加热样品至３００℃，光电导衰减曲线的两个特征区域均发生变化，对应的两个时间常数都相应变小．实验结果说明在导带边几十ｍｅＶ内存在大量陷阱．对衰减曲线起始２００ｎｓ取样，发现光照时光电导呈“Ｓ”形上升，停止光照，光电导锐利下降并出现振荡，表明光照停止后，载流子在导带和深陷阱能级的再分布．用一个浅能级陷阱和一个深能级陷阱的模型来近似导带边陷阱结构能很好的解释实验结果．另外，测得的光电导随光强的变化关系也进一步证实了模型的合理性．

Si基热氧化Si_(1-x-y)Ge_xC_y薄膜的室温光致发光特性

采用等离子体增强化学气相淀积 ( PECVD)法在 Si( 1 0 0 )衬底上淀积一层厚度约为1 70 nm的富 Ge高 C含量的 Si1- x- y Gex Cy 薄膜 ,然后将其分别在 80 0℃和 1 1 0 0℃下湿氧氧化2 0 min.在室温下观测到强烈的光致发光 .室温下的光致发光谱 ( PL谱 )测量显示 ,80 0℃下氧化后的样品在 370 nm和 396nm附近有两个光致发光带 ,1 1 0 0℃下氧化后的样品只在 396nm附近有一个光致发光带 .396nm附近的发光带可归之于由氧化薄膜中的缺陷 O- Si- O ( Si02 )或 O- Ge-O( Ge02 )引起的 ,而 370 nm附近的发光带与薄膜中 Ge-

高阶调制系统下LDPC码优化设计

为了提高编码调制系统的整体编码增益,提出一种高阶调制系统下LDPC码的度分布优化方法。根据高阶调制符号中不同比特的误比特特性,将调制符号所经历信道建模为一组对称二进制输入加性高斯信道。在此基础上,推导了高阶调制系统下LDPC码高斯近似密度进化分析方法,并得到译码收敛条件。结合度分布约束关系及译码收敛条件,提出高阶调制系统下LDPC码的度分布优化问题及差分进化实现方法。仿真结果表明,设计的LDPC码在高阶调制系统中的渐进性能和误码性能优于基于比特优化映射的编码调制方案。

不规则LDPC码度分布的优化设计研究

针对非规则LDPC码的度分布优化,研究了差分进化算法,并利用差分进化算法得到了最大门限的度分布序列,同时在AWGN信道下,通过高斯近似方法得到了在该度分布对下的较精确的LDPC译码门限。通过仿真发现,在改进后的优化算法中的度分布对得到了更高的门限值。同时高斯近似还能应用到其他高效纠错码,对现代高效纠错码具有重要的指导意义。

GaN光导型紫外探测器

研究了以金属有机物化学气相沉积方法生长在6H－SiC衬底上的GaN光导型紫外探测器的光电流性质。通过光电流谱的测量，获得了GaN探测器在波长250nm-360nm范围近于平坦的光电流响应，并且观察到在365nm（～3．4eV）带边附近陡峭的截止边。测得GaN探测器在5V偏压下在360nm波长处的光电流响应度为133A／W，并得到了其响应度与外加偏压的关系。通过拟合光电流信号强度与入射光调制频率的实验数据，获得了GaN探测器的响应时间。

一种基于改进线性规划的LDPC码混合译码算法

与基于消息迭代的置信传播译码相比,线性规划(linear programming,LP)译码分析有限长LDPC码性能更为有效。然而,传统LP译码算法运算量非常大,不利于系统实现。本文结合LDPC码校验矩阵的特点,去掉传统LP译码中不必要的约束,得到一种低复杂度LP内点译码算法。为了降低译码延时,将LP内点译码算法与置信传播译码算法结合,提出LDPC码混合译码算法。仿真结果表明,混合译码算法的误码性能优于传统LP译码和BP译码算法,而译码延时低于传统LP译码。

Si上Si_(1-x-y)Ge_(x)C_(y)三元合金薄膜的生长

研究了 Si衬底上 Si Ge C合金薄膜的生长。以 C2 H4 为 C源、采用快速加热超低压化学气相淀积 (RTP/VL P- CVD)的非平衡生长技术 ,在 Si(10 0 )衬底上生长出具有一定代位式 C含量的硅基 Si Ge C合金。实验表明 :较低的生长温度和较高的 Si H4 /C2 H4 流量比有利于代位式 C原子的形成和材料晶体质量的提高。

Si基Si_(1-x-y)Ge_xC_y合金生长中C的影响

报道了Si基Si1 x yGexCy 合金生长中C对Ge组分和生长速率的抑制作用 ,提出一个Si、Ge、C原子的排列构型 ,从理论上给出了C对Ge组分的抑制度和Ge/C原子比的关系 ,并指出在富Ge情况下C对Ge的抑制作用会趋向于饱和。

基于校验矩阵优化扩展的码率兼容LDPC码设计

为了提高低密度校验（low density parity check,LDPC）码的打孔性能,提出一种基于校验矩阵优化扩展的码率兼容LDPC码设计方法.从码率兼容码的度分布约束关系出发,提出母码的度分布优化算法.在此基础上,结合打孔变量点的译码恢复规则,构造适合打孔的LDPC码校验矩阵.采用贪婪搜索算法逐级最大化不同类型的打孔变量点数目,提高码率兼容系列子码的误码性能.仿真结果表明,与编码高效的码率兼容LDPC码相比,所提方法生成的码率兼容子码误码性能有较大改善,特别是当码率大于0.8时,编码增益提高约0.7～0.8 dB.

光加热低压金属有机化学气相淀积生长AlGaN

采用光加热低压金属有机化学气相淀积方法成功地制备出高质量的、组分均匀的AlGaN外延层。结果表明 ,铝和镓的并入效率基本相等 ,这有别于其他研究报道。此外 ,建立了铝相对镓的并入效率与气相预反应之间的关系模型 ,它表明 ,光加热对预反应有较大的影响。结合GaN的生长可以看出 ,光加热有利于抑制预反应 ,从而有利于提高样品质量和铝组分的均匀性。

Si基Ge0.85Si0.15异质结光电二极管

采用低温生长缓冲层，高温生长ＧｅＳｉ外延层的方法在ｎ型Ｓｉ衬底上外延生长（ｉ）Ｇｅ０．８５Ｓｉ０．１５－（ｐ）Ｓｉ层，以此材料作为吸收区制备成ＧｅＳｉ／Ｓｉ异质结ｐｉｎ台面光电二极管。其波长范围为０．７－１．５５μｍ，峰值波长位于１．０６μｍ，暗电流密度低达０．０３３μＡ／ｍｍ＾２（－２Ｖ），在１．０６μｍ和１．３μｍ处的响应度分别为１．８Ａ／Ｗ（－２Ｖ）和０．０６６Ａ／Ｗ（－Ｖ）。

Si上Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元合金薄膜的化学气相淀积生长研究

本文报道了用快速加热化学气相淀积方法，乙烯（ Ｃ２ Ｈ４）作为 Ｃ 源在 Ｓｉ（１００）衬底上生长 Ｓｉ１ｘ ｙ Ｇｅｘ Ｃｙ 合金薄膜的实验结果．经喇曼（ Ｒａｍ ａｎ）光谱和傅里叶变换红外光谱（ Ｆ Ｔ Ｉ Ｒ）测量表明：我们成功地制备了具有一定代位式 Ｃ 含量的 Ｓｉ１ｘ ｙ Ｇｅｘ Ｃｙ 合金薄膜材料，较低的生长温度和较高的 Ｓｉ Ｈ４ ／ Ｃ２ Ｈ４ 流量比有助于提高代位式 Ｃ 含量和薄膜材料的晶体质量。

能隙阶梯缓变结构Si_(1-x)Ge_x/Si光电探测器

提出了一种新结构Si1-xGex/Si光电探测器─—能隙阶梯缓变结构的Si1-xGex/SiPIN型近红外光电探测器。理论分析表明 ,能隙缓变增大了载流子的离化率 ,价带的不连续则有利于空穴离化 ,从而对载流子的收集有利 ,可获得高的光电响应。实验结果表明 ,该探测器具有良好的I V特性 ,反向漏电低达 0 1μA/mm2 (- 2V)。该探测器主峰值波长在 0 96 μm。其光电流响应随着反向偏压的增加有明显的增大 ,在同等条件下其光电流响应约为商用Si PIN探测器的 15倍。

MOCVD生长GaN膜的光调制反射谱研究

采用光调制反射光谱（PR）研究了（0001）晶向蓝宝石村底上MOCVD方法生长的单晶六角GaN薄膜的室温光学性质。测得六角GaN薄膜的禁带宽度为3．400eV，对PR谱的调制机理进行了分析，发现信号来自缺陷作用下的表面电场调制。光吸收增和光反射谱的测量，得到3．39eV的光学吸收边和3．3eV的反射峰，证实了光调制反射光谱的结果。

基于分组排序的码率兼容打孔LDPC码BP译码算法

由于在一定码率范围均能获得良好的误码性能,码率兼容打孔LDPC(rate-compatible punctured LDPC,RCP-LDPC)码成为时变信道下优选编码方案。然而,与非打孔码相比,RCP-LDPC码的BP译码收敛速度太慢。为了提高译码收敛速度,提出一种基于打孔变量点分组优化和串行调度的BP译码算法。根据BP译码消息的可靠度对打孔变量点进行排序和分组,使其在译码时,按可靠度由高到低的次序依次更新各组变量点消息。仿真结果表明,当最大译码迭代次数较低时,本文方法的误码性能优于BP算法和随机分组洗牌BP算法。特别是当打孔比特较多时,性能改善越明显。

浅谈县级电视媒体运作中的瓶颈与应对策略

作为我国广电媒体层级较低的县级电视媒体,在面临网络媒体带来的巨大冲击中,在改革发展过程中仍旧面临着许多的运作瓶颈,本文主要提出了现阶段县级电视媒体运作中存在的一系列问题,并提出了相关的解决措施,以供参考。