4H-SiC MESFET特性对比及仿真

通过对双凹栅结构和阶梯栅结构4H-SiC MESFET的直流特性对比,得出阶梯栅结构的直流特性优于双凹栅结构。对阶梯栅结构进行极限化处理后,引出了坡形栅4H-SiC MESFET的结构及其特征参数EP_(CG),通过仿真对比了坡形栅4H-SiC MESFET结构EP_(CG)分别为1/4栅、1/2栅、3/4栅和全栅时的直流特性。结果表明,当EP_(CG)为1/2栅时,最大饱和漏电流取得最大值,在V_G=0 V、V_(DS)=40 V的条件下达到了545 mA;当EPCG为1/4栅、3/4栅和全栅时,最大饱和漏电流均不如EP_(CG)为1/2栅时取得的最大值。