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双极MOS复合器件及其发展动向
1
作者
臧觉民
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第4期5-8,共4页
微电子技术与电力电子技术相结合,不但使电力电子领域为控制部分向数字化、小型化和高性能方向发展,而且使功率半导体器件自身向高耐压、大容量和高频化方向发展.功率半导体器件中,作力电力电子学基石的晶闸管具有大电流特性,但无自关...
微电子技术与电力电子技术相结合,不但使电力电子领域为控制部分向数字化、小型化和高性能方向发展,而且使功率半导体器件自身向高耐压、大容量和高频化方向发展.功率半导体器件中,作力电力电子学基石的晶闸管具有大电流特性,但无自关断能力;广泛使用的双极晶体管需较大的基极驱动电流;可关断晶闸管GTO能在比双极晶体管更大的电流密度下工作,但开关速度低且门极关断电流大;
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关键词
双极型
MOS
复合器件
发展
晶闸管
全文增补中
题名
双极MOS复合器件及其发展动向
1
作者
臧觉民
机构
南通晶体管厂
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第4期5-8,共4页
文摘
微电子技术与电力电子技术相结合,不但使电力电子领域为控制部分向数字化、小型化和高性能方向发展,而且使功率半导体器件自身向高耐压、大容量和高频化方向发展.功率半导体器件中,作力电力电子学基石的晶闸管具有大电流特性,但无自关断能力;广泛使用的双极晶体管需较大的基极驱动电流;可关断晶闸管GTO能在比双极晶体管更大的电流密度下工作,但开关速度低且门极关断电流大;
关键词
双极型
MOS
复合器件
发展
晶闸管
分类号
TN34-1 [电子电信—物理电子学]
全文增补中
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
双极MOS复合器件及其发展动向
臧觉民
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1989
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