CNTFET器件及电路辐射效应研究进展

简述了碳纳米管场效应晶体管(CNTFET)中作为沟道材料的碳纳米管的基本辐射效应原理及其在抗辐射领域的优势,总结了近年来CNTFET在辐射效应机理和加固领域的研究进展。介绍了不同辐射条件在碳纳米管材料和不同结构的CNTFET中诱发的位移损伤效应机理,重点介绍了电介质是影响器件总剂量效应的主要因素,辐射环境也是影响器件辐照后性能变化的重要因素,并针对这两点总结了加固方法及器件和电路的设计,对国内外研究中不同结构的电路的抗辐射能力进行评述。最后介绍了器件受单粒子效应影响的机理,对比了碳基晶体管器件和硅基晶体管器件的抗辐射能力,并展望了CNTFET及其电路的未来太空应用发展。

负二项抽样下需处理数置信区间构造方法的改进

负二项抽样因其在发病率很低的情况下的优良表现而被广泛应用于流行病学及其它学科之中."需处理数"是一种度量药物疗效的重要指标,它常常用来评价那些结果是二值变量的临床试验所研究的药物的疗效.在实际应用中,通常希望得到需处理数的置信区间,但是目前已有的需处理数的置信区间构造方法都存在一个应用上的难题:区间上限过大以至于不可靠.文章旨在解决需处理数区间上限估计过大的问题,为此提出了需处理数的最短区间构造方法并运用蒙特卡洛模拟方法比较其相对传统方法的优劣,还给出了实际应用的例子.模拟结果表明:改进后的方法能够在控制置信系数的情况下极大地减小区间上限,具有重要的实际价值.