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题名高压FRD少子寿命控制技术研究
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作者
艾治州
李松岭
张帮会
王二俊
张小辛
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机构
华润微电子(重庆)有限公司
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出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
2024年第2期173-177,共5页
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文摘
快恢复二极管(Fast recovery diode,FRD)常采用寿命控制技术来减小反向恢复时间,但也会改变其他电学性能。本文研究了扩铂工艺、电子辐照工艺以及结合扩铂和电子辐照工艺对1 700 V FRD的导通压降温度特性、反向恢复特性以及反向漏电流的影响。实验结果表面:采用扩铂与电子辐照工艺后,FRD的导通压降分别呈现出负温度系数与正温度系数;结合两种工艺后,FRD的导通压降趋于零温度系数。此外,在导通压降近似为2 V时,扩铂后FRD的反向峰值电流为21.3 A,且反向漏电流最小;电子辐照后FRD的反向峰值电流为35.2 A,且反向漏电流最大;结合两种工艺后,发现反向漏电流介于两者之间,反向峰值电流为25.9 A,同时获得了较小的反向恢复电荷,大小为4148.9 nC。
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关键词
快恢复二极管
扩铂
电子辐照
温度系数
导通压降
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Keywords
fast recovery diode(FRD)
platinum diffusion
electron irradiation
tempera-ture coefficient
on-state voltage drop
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分类号
TN31
[电子电信—物理电子学]
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