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基于内嵌式微通道芯片散热结构设计研究综述
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作者 熊园园 刘沛 +2 位作者 付予 焦斌斌 芮二明 《集成电路与嵌入式系统》 2024年第7期12-18,共7页
电子芯片/系统的尺寸微型化、功能复合化导致了其功率密度的增大,伴随着发热也越来越严重,如何应对电子芯片/系统逐渐增加的热流密度,成为散热设计中面临的巨大挑战,也是当前研究的热点。本文详细论述了传统散热技术的优缺点,对国内外... 电子芯片/系统的尺寸微型化、功能复合化导致了其功率密度的增大,伴随着发热也越来越严重,如何应对电子芯片/系统逐渐增加的热流密度,成为散热设计中面临的巨大挑战,也是当前研究的热点。本文详细论述了传统散热技术的优缺点,对国内外正在开展的内嵌式微通道散热结构进行了系统分析,并着重对基于内嵌式微通道芯片散热技术原理、散热性能和创新性解决方案进行了归纳总结。在分析当前国内外解决方案的基础上,总结了基于内嵌式微通道的芯片散热设计经验和结论,以及面临的挑战,基于此给出了芯片散热设计研究现状和发展方向。 展开更多
关键词 芯片散热 内嵌式微通道 热流密度 散热结构 分层复杂歧管
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Incident particle range dependence of radiation damage in a power bipolar junction transistor 被引量:3
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作者 刘超铭 李兴冀 +3 位作者 耿洪滨 芮二明 郭立新 杨剑群 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2012年第10期308-312,共5页
The characteristic degradations in silicon NPN bipolar junction transistors(BJTs) of type 3DD155 are examined under the irradiations of 25-MeV carbon(C),40-MeV silicon(Si),and 40-MeV chlorine(Cl) ions respecti... The characteristic degradations in silicon NPN bipolar junction transistors(BJTs) of type 3DD155 are examined under the irradiations of 25-MeV carbon(C),40-MeV silicon(Si),and 40-MeV chlorine(Cl) ions respectively.Different electrical parameters are measured in-situ during the exposure of heavy ions.The experimental data shows that the changes in the reciprocal of the gain variation((1/β)) of 3DD155 transistors irradiated respectively by 25-MeV C,40-MeV Si,and 40-MeV Cl ions each present a nonlinear behaviour at a low fluence and a linear response at a high fluence.The(1/β) of 3DD155 BJT irradiated by 25-MeV C ions is greatest at a given fluence,a little smaller when the device is irradiated by 40-MeV Si ions,and smallest in the case of the 40-MeV Cl ions irradiation.The measured and calculated results clearly show that the range of heavy ions in the base region of BJT affects the level of radiation damage. 展开更多
关键词 radiation effects ionization damage displacement damage TRANSISTORS
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军用薄介质多层陶瓷电容器保证技术研究 被引量:1
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作者 焦强 王敬贤 +2 位作者 芮二明 田雨 韩福禹 《质量与可靠性》 2022年第4期54-58,共5页
随着欧美国家技术的成熟,薄介质多层陶瓷电容器(MLCC)已经在宇航和武器装备上广泛应用。随着薄介质MLCC的不断减薄,其应对电应力、热应力和机械应力的可靠性风险不断提升,并出现了新的失效模式。因此,传统的厚介质MLCC的考核已不适用薄... 随着欧美国家技术的成熟,薄介质多层陶瓷电容器(MLCC)已经在宇航和武器装备上广泛应用。随着薄介质MLCC的不断减薄,其应对电应力、热应力和机械应力的可靠性风险不断提升,并出现了新的失效模式。因此,传统的厚介质MLCC的考核已不适用薄介质MLCC。在分析MIL-PRF-123D、 MIL-PRF-55681G、 MIL-PRF-32535A等标准要求和考核试验的基础上,总结了厚介质和薄介质电容器考核要求的差异性,提出了建立薄介质MLCC军用通用规范的必要性和可行性,以便保证薄介质MLCC的高可靠应用,确保宇航和武器装备的高可靠性。 展开更多
关键词 电容器 薄介质 可靠性 保证
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基于失效物理的结构分析方法和实践
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作者 田雨 芮二明 +4 位作者 焦强 韩福禹 董岩磊 周宇 俞梅 《电子产品可靠性与环境试验》 2022年第2期76-82,共7页
电子元器件可靠性结构分析是评估元器件可靠性的重要方法之一,需要基于失效物理开展分析,其目的是通过分析能够在早期查明元器件的固有可靠性状况、工艺质量及潜在的失效机制,评判元器件的长期可靠性及其在特定工程要求下的适应性。以... 电子元器件可靠性结构分析是评估元器件可靠性的重要方法之一,需要基于失效物理开展分析,其目的是通过分析能够在早期查明元器件的固有可靠性状况、工艺质量及潜在的失效机制,评判元器件的长期可靠性及其在特定工程要求下的适应性。以某型号接口电路为例,详细地论述了基于失效物理的可靠性结构分析的基本方法原则和技术实现的关键。 展开更多
关键词 可靠性 失效物理 可靠性结构分析 物理结构单元
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