不同封装结构SiC MOSFET的开关振荡分析

此处分析了不同封装结构碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)在开关过程中振荡的产生原因和影响因素。首先建立简化电路模型,准确计算出开关稳态后电压振荡的时域表达式,该电路模型考虑了器件的相关性能参数、器件和电路中的寄生参数。其次通过Matlab软件对模型中的时域表达式进行波形拟合。最后搭建了双脉冲测试平台,实验验证了模型的精确性,也具体量化了不同参数对开关振荡的影响。

NPC三电平静止无功发生器SVPWM简化与改进

分析了应用较多的二极管箝位型三电平静止无功发生器主电路原理,着重探讨了三电平SVPWM技术的简化与改进。提出将不同扇区中的三电平参考空间矢量经过旋转、加减运算、再旋转的方法,最终都转化为同一个固定扇区内的两电平参考矢量来进行合成运算,从而实现了三电平SVPWM算法的简化,减轻了主控制器的运算负担。提出了以SVG交流侧瞬时电流为根据修正SVPWM脉冲序列中正、负小矢量作用时间,在控制直流中点电压平衡的同时避免了增加系统的硬件电路,实现了三电平SVPWM算法的改进和优化。仿真和实验结果证实了该SVPWM简化、改进方法的正确性和有效性。

三电平SVG中点电压平衡控制策略

分析了二极管箝位型三电平静止无功发生器主电路原理,讨论了三电平空间矢量脉宽调制技术中小矢量、中矢量、大矢量对直流侧两个电容电压的影响。在此基础上,结合SVG自身控制的要求与特点,提出了基于直流侧两个电容的电压差值和SVG交流侧瞬时三相电流的方向来调整矢量作用序列中等效的正、负小矢量作用时间的比例,从而使直流侧中点电压达到平衡的控制策略,该控制策略不需增加SVG系统的检测电路。最后,通过仿真验证了文章所提出的中点电位控制策略可以有效地抑制三电平SVG直流电容电压不平衡程度,实现算法简单,在工程实践上具有一定的实用性。

基于双同步坐标系软件锁相负序电流抑制的研究

负载和电网电压不平衡会产生大量的负序电流。在电网电压不平衡的情况下,双同步坐标系解耦软件锁相(SSRF-SPLL)能够准确、快速地检测出电网电压基波相位信息,对正、负序电流分别采用轴电流解耦跟踪控制,即使电网电压和负载都不平衡仍能实现正负序坐标系下的分序补偿。在MATLAB/Simulink环境中搭建系统进行仿真,并且在实际工程中验证补偿负序控制策略的正确性。

级联H桥光伏逆变器的功率自适应控制策略

当光伏(PV)组件间的输出功率严重不均衡时,单相级联H桥(CHB)PV并网逆变器的部分H桥单元的调制度将大于4/π,超过H桥变换器最大线性调制范围,使得PV组件的输出功率与相应的H桥变换器实际传输的功率不匹配,导致系统不能稳定运行。为此,基于方波补偿提出一种CHB PV并网逆变器的功率自适应控制策略,能够根据H桥的调制度自适应地控制PV组件的输出功率。即使PV组件间的最大输出功率严重不均衡,系统依然能够以单位功率因数稳定运行。相比现有的控制策略,能够进一步扩大单相CHB PV并网逆变器的运行范围。实验结果验证了所提控制策略的有效性。

1700V Primepack IGBT短路栅极振荡试验与分析

阐述一类短路过程中发生的栅极振荡,该振荡属于射频振荡的一种,这种振荡会导致IGBT短路失效,通过理论分析射频振荡机理,确定振荡原因及能量流通路径,调整不同的栅极封装参数,确认对短路性能的影响,最终通过封装改进并进行了大量试验验证解决了栅极振荡问题。