期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
InP本征调制掺杂
1
作者
苏宇观
《电子材料快报》
2000年第3期15-16,共2页
关键词
Ⅲ-Ⅴ族
化合物半导体
磷化铟
本征调制掺杂
下载PDF
职称材料
SiGe单晶的研究进展
2
作者
苏宇观
《电子材料快报》
1998年第12期1-3,共3页
关键词
SIGE
单晶
半导体材料
下载PDF
职称材料
题名
InP本征调制掺杂
1
作者
苏宇观
出处
《电子材料快报》
2000年第3期15-16,共2页
关键词
Ⅲ-Ⅴ族
化合物半导体
磷化铟
本征调制掺杂
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
SiGe单晶的研究进展
2
作者
苏宇观
出处
《电子材料快报》
1998年第12期1-3,共3页
关键词
SIGE
单晶
半导体材料
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
InP本征调制掺杂
苏宇观
《电子材料快报》
2000
0
下载PDF
职称材料
2
SiGe单晶的研究进展
苏宇观
《电子材料快报》
1998
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
