氮化镓高电子迁移率晶体管兆声电源波形优化设计——栅源极桥臂串扰及漏源极振荡尖峰问题

针对氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HMET)在兆声清洗电源应用中由频率高导致的栅源极桥臂串扰及漏源极振荡尖峰问题,首先对GaN HEMT产生桥臂串扰进行陈述,基于辅助电容法结合理论计算抑制了桥臂串扰;并对漏源极产生高频振荡和尖峰的问题进行了分析,利用缓冲电路改善了此现象。协同解决栅源极桥臂串扰和漏源极振荡尖峰问题,实验证明所设计的串扰抑制电路和缓冲电路可将栅源串扰电压从+2.4 V减小到-1.6 V,串扰的振荡时间从234 ns缩小到50 ns,漏源极电压尖峰从142 V降低到90 V,振荡时间从310 ns缩短到124 ns,电路开通损耗减小了10.2%,关断损耗减小了10.4%,关断延时减小了14%,显著改善了GaN HEMT的工作波形。