LiAl取代的NiZnCu铁氧体粉末的结构和磁性能研究

主要采用化学共沉淀法制备了LiAl联合替代的、名义成分为Ni0.25-2xLixAlxCu0.15Zn0.6Fe2O4(x=0.00、0.01、0.02、0.03、0.04)的铁氧体粉末样品,研究了不同LiAl替代量对样品磁性能和结构的影响。结果表明,所有样品皆形成了典型的单相尖晶石型晶体结构,其磁滞回线呈现出典型单相软磁材料的特性,其饱和磁化强度随着LiAl替代量的增加而呈现线性下降。晶体结构和饱和磁化强度的变化表明,LiAl替代离子占据了尖晶石结构的晶格格点位置。另外,随着LiAl取代量的增加,样品的形貌变化较小,LiAl联合替代对样品晶粒的生长没有明显的影响。

离子替代M型Ba铁氧体的最新研究进展

六角晶系M型钡铁氧体(BaO.6Fe2O3)是一种应用范围十分广泛的磁性材料。采用离子替代的方法,可以根据不同的应用需要对其各种性能作调整,如今仍然是磁性材料研究的热门之一。本文综述了近年来国内外一元、二元和三元离子替代M型钡铁氧体所取得的研究成果,并指出了离子替代M型钡铁氧体的下一步研究重点。

NPC电池染料敏化剂的研究进展

简要介绍了染料敏化纳米晶体光电化学太阳能电池(简称NPC电池)的发展、结构、工作原理和表征方法,并着重对纳米晶体光电化学太阳能电池染料敏化剂的研究进展进行了综述。在此基础上,提出了一些值得深入研究的问题。

基于MBE生长的一种Be掺杂InGaAs基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs DHBT

报道了一种以InGaAs为基区的新结构InGaP/InGaAs/GaAs双异质结晶体管,获得了直流性能良好的器件.其共射直流增益β达到100,残余电压Voffset约为0.4V,膝点电压Vknee约为1V,击穿电压BVceo超过10V,器件的基极和集电极电流理想因子分别为nb=1.16,nc=1.11,可应用于低功耗、高功率领域.

MBE生长的InP DHBT的性能(英文)

报道了一种自对准InP/InGaAs双异质结双极晶体管的器件性能.成功制作了U型发射极尺寸为2μm×12μm的器件,其峰值共射直流增益超过300,残余电压约为0·16V,膝点电压仅为0·6V,而击穿电压约为6V.器件的截至频率达到80GHz ,最大震荡频率为40GHz .这些特性使此类器件更适合于低压、低功耗及高频方面的应用.

应用型本科电子科学与技术专业实验教学改革的探索

文章根据宁波工程学院电子与信息工程学院应用型本科电子科学与技术专业实验教学的特点和要求，针对实验教学中存在的相应问题，优化实验教学体系，探索新的实验教学模式，在促进本专业学生的实践能力和创新能力的培养方面做了一些积极、有益的探索。

带有复合掺杂层集电区的InP/InGaAs/InP DHBT直流特性分析

设计了一种新结构InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT),在集电区与基区之间插入n+-InP层,以降低集电结的导带势垒尖峰,克服电流阻挡效应.采用基于热场发射和连续性方程的发射透射模型,计算了n+-InP插入层掺杂浓度和厚度对InP/InGaAs/InPDHBT集电结导带有效势垒高度和I-V特性的影响.结果表明,当n+-InP插入层掺杂浓度为3×1019cm-3、厚度为3nm时,可以获得较好的器件特性.采用气态源分子束外延(GSMBE)技术成功地生长出InP/InGaAs/InPDHBT结构材料.器件研制结果表明,所设计的DHBT材料结构能有效降低集电结的导带势垒尖峰,显著改善器件的输出特性.

BaCe_(0.75)Y_(0.25)O_(3-δ)中温电解质的制备及单电池性能

采用溶胶-凝胶法制备掺Y3+的BaCeO3电解质BaCe0.75Y0.25O3-δ.通过TG-DTA和烧结曲线测试表明,样品在1 080℃附近开始烧结;XRD谱分析表明,空气中1 450℃烧结10 h的样品已成单相,为正交钙钛矿结构;单电池H2(wet),Ag BCY1450 Ag,A ir(dry)测试结果表明,基于BCY1450电解质的单电池在中温范围具有较高的开路电压.

脉搏信号采集及无线监测系统的设计

本设计以Freescale系列单片机为核心,利用脉搏传感器、信号处理电路、nRF24L01无线模块、显示模块等组成一个脉搏无线检测系统。阐述了各个模块的选型与工作原理,特别的说明了无线模块的配置流程和注意事项,并编写了相应的驱动程序。经过测试,系统整体性能良好,符合系统需求,并留有相关的接口供未来升级使用。

《理论物理导论》教学改革的探索与实践

文章论述了《理论物理导论》课程建设和改革中,教学内容、教学方法和教学手段改革的思路和措施。通过课程内容的整合,体现应用开发人才的培养特色;通过改革传统的教学方法和教学手段,实现教学模式的创新和教学手段的多样化。实践证明,《理论物理导论》教学改革提高了教学质量,培养了学生自主学习、勇于创新的能力,保证了教学目标的实现。

采用新的T型发射极技术的自对准InP/GaInAs单异质结双极晶体管的性能(英文)

研究了一种采用新的T型发射极技术的自对准InP/GaInAs单异质结双极晶体管.采用了U型发射极图形结构、选择性湿法腐蚀、LEU以及空气桥等技术,成功制作了U型发射极尺寸为2μm×12μm的器件.该器件的共射直流增益达到170,残余电压约为0·2V,膝点电压仅为0·5V,而击穿电压超过了2V.器件的截止频率达到85GHz ,最大振荡频率为72GHz ,这些特性使此类器件更适合于低压、低功耗及高频方面的应用.

SiN_x:H膜沉积压强与扩散薄层电阻的匹配性研究

利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法在多晶硅片上生长Si N_X:H膜,研究了不同沉积压强与Si N_X:H膜折射率和钝化效果的关系。在沉积压强为1.4Torr时,Si N_X:H膜的折射率和钝化效果均达到理想的范围。对于扩散层电阻为80Ω/□、Si N_X:H膜的厚度为(83±2)nm、折射率在2.03时,制得的太阳电池开路电压和短路电流最高,电池效率达到17.8%。

基极微空气桥和发射极空气桥的InP/InGaAs HBT(英文)

报道了具有基极微空气桥和发射极空气桥结构的InP单异质结双极型晶体管(SHBT).由于基极微空气桥和发射极空气桥结构有效地减小了寄生,发射极尺寸为2μm×12.5μm的InPHBT的截止频率达到了178GHz.这种器件对高速低功耗的应用非常关键,例如OEIC接收机以及模拟、数字转换器.

162GHz自对准InP/InGaAs异质结双极型晶体管(英文)

报道了发射极自对准的InP基异质结双极型晶体管.在集电极电流IC=34·2 mA的条件下,发射极面积为0·8μm×12μm的InP HBT截止频率fT为162GHz ,最大振荡频率fmax为52GHz ,最大直流增益为120,偏移电压为0·10V,击穿电压BVCEO达到3·8V(IC=0·1μA) .这种器件非常适合在高速低功耗方面的应用,例如OEIC接收机以及模拟数字转换器.

基于PBL模式的光电子技术实验课程教学研究

针对当今社会对创新意识、合作精神、问题解决能力等应用型人才的渴求和日趋重视,本文把学习设置到复杂的有意义的实际问题情景中的PBL教学模式引入到光电子技术实验课程的实施中,最大可能地挖掘学生的自主学习潜能,让学生将分散、不易理解的知识点与工程实际相结合,进而培养学生的工程应用能力,通过大胆尝试,效果良好。

一种电子防丢器的设计

本文介绍了一种电子防丢器的设计。该系统分为母机和子机两部分,主要由Zig Bee、GPS、GSM、报警、显示等模块组成。其中,Zig Bee模块主要用于解决传输过程中的干扰问题,从而提高数据传输的可靠性。结果表明,本系统定位精准、性能稳定,可用于贵重物体的防盗、特需人员的防丢等场合。

基于WiFi的微型航拍飞行器设计

近年来,微型飞行器在航拍领域内渐渐兴起。考虑到现有的微型航拍飞行器大多成本较高且实现不易,笔者提出以STM32单片机为控制平台,使用低成本惯导传感器,通过主控单元控制摄像头拍照并存储的设计方案。通过PC和安卓APP控制进行实验验证,证明该飞行器设计方案是切实可行的。

CoMnCuO系NTC热敏电阻的复阻抗分析

本文研究了化学共沉淀工艺制备的CoMnCuo系NTC热敏电阻元件在不同温度下的复阻抗谱 ,并建立了相应的模拟等效电路。根据Cole Cole图 ,我们获得了材料的晶粒、晶界电阻随温度的变化关系。结果表明 :晶粒、晶界电阻与温度均呈E指数关系 ,但晶界电阻远大于晶粒电阻。为此 ,我们与以往NTC热敏电阻的导电机制进行了比较 。

Na_2CO_3作沉淀剂制备NiZnCu铁氧体粉末及其性能研究

采用化学共沉淀法制备NiZnCu铁氧体时,如果采用NaOH或者氨水作为沉淀剂,会造成Zn2+离子的大量损失。为此,本文选用Na2CO3为沉淀剂制备了名义配方为Ni0.4-xZn0.6CuxFe2O4(x=0,0.05,0.10,0.15,0.20)的铁氧体粉末,并对其结构和磁性能作了研究。实验发现,前驱体粉末在900℃温度下煅烧2小时后皆形成单相铁氧体粉末;样品的饱和磁化强度Ms和矫顽力Hc随着Cu含量的增加而减小,起始磁化率χi呈现先增加后减小的趋势,在x=0.10时达到最大值。研究表明,Cu的最佳取代量在x=0.10左右。