Alq基有机发光二极管中Liq的“n型掺杂”机理研究

通过将Liq(8-hydroxyquinolinato-lithium)掺入电子传输层Alq(tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum)中,制备了具有不同结构的仅传输电子的单载流子器件。实验结果表明,掺杂器件的电性能劣于含Liq/Al复合阴极的非掺杂器件,优于含Al阴极的非掺杂器件,这表明掺入Alq的Liq没有产生明显的“n型掺杂”效应,其具有双重作用:掺杂后分散在Alq/Al阴极界面上的Liq以电子注入层的形式出现,通过增强电子注入来提高器件电流;掺杂后存在于Alq体相中的Liq由于自身的导电性差,对电子传输具有不利影响,从而降低了器件的电流。在电致发光器件的测试中,Liq的掺杂表现出类似的现象,掺入Liq的器件性能介于非掺杂具有Liq/Al阴极和Al阴极结构器件之间,三种器件的最大电流效率分别为3.96,4.27和2.27 cd/A,并且在吸收光谱和光致发光光谱中观察不到电荷转移所带来的额外变化。

MoO_(3)掺杂有机半导体NPB光电性质研究

在典型有机空穴传输材料胺类衍生物NPB(N,N’-diphenyl-N,N’-bis(1-naphthyl)(1,1’-biphenyl)-4,4’diamine)中引入过渡金属氧化物MoO_(3)制备了只有空穴传输的单载流子器件.结果表明:MoO_(3)的引入明显提升了NPB的导电性能,在约2.0 V的外加电压下,100 nm厚纯NPB薄膜电流密度仅为1.28 mA/cm^(2),而同样厚度的掺杂薄膜NPB∶MoO_(3)(50 wt.%)电流密度达到了2530 mA/cm^(2).同样掺杂比例的NPB∶MoO_(3)薄膜吸收谱显示位于500 nm附近存在既不同于NPB也不同于MoO_(3)的额外吸收峰,表明体系中产生了电荷转移复合物NPB+-MoO_(3)^(-),从而产生了额外的空穴载流子,进而提升了掺杂体系的导电性能.进一步的荧光分析表明,MoO_(3)的引入对NPB自身荧光具有明显的猝灭作用.NPB∶MoO_(3)(30 wt.%)薄膜的荧光强度比纯NPB薄膜荧光强度降低了2个数量级,NPB∶MoO_(3)(50 wt.%)掺杂薄膜的荧光强度降低为零.